
Cmos(广东场效应半导体)
品牌产品
类目:
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 三极管(BJT)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 快恢复/高效率二极管
- IGBT管/模块
- 线性稳压器(LDO)
- 达林顿管
封装:
- TO-252
- TO-220
- TO-220F
- DFN-8(5X6)
- TO-263
- TO-247
- SOP-8
- DFN-8(3.3X3.3)
- TO-251
- SOT-23-3L
- TOLL-8
- SOT-89
- DFN-8 5X6
- TO-252-4L
- TO-3P
- DFN-85X6
- SOT-23
- DFN-8 3.3X3.3
- DFN-83.3X3.3
- TO-247-4
- TO-251A
- TO-263-7
- DFN-8(8X8)
- 5X6
- TO-262
- 3.3X3.3
- DFN-16 10X12
- SOT-23-3
- TO-220F-2
- TO-247A-LL
- TOLL
- TOLL-8L
- TSOP-6
- DFN-6(2X2)
- DFN-8(3X3)
- DFN-85
- PDFN-8(5X6)
- SOT-223
- SOT-23-6L
- TO-220-2
- TO-220FY
- TO-247S
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):7A复制
导通电阻(RDS(on)):29mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 7A 1个P沟道复制库存:2989复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.216
3000+¥0.191
合计¥0.22
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¥15领取
类型:NPN复制
集射极击穿电压(Vceo):100V复制
集电极电流(Ic):8A复制
耗散功率(Pd):20W复制
描述:达林顿管 100V 8A NPN TO-252复制库存:2478复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.831
2500+¥0.755
合计¥0.83
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):15A复制
导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V复制
描述:MOS管,DFN-8 3.3x3.3,P沟道,耐压:-60V,电流:-15A,10V内阻:75mΩ,4.5V内阻:115mΩ,功率:40W,CISS(Typ):870pF复制库存:980复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.564
5000+¥0.523
合计¥0.56
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):90A复制
导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 100W 60V 90A 1个N沟道复制库存:665复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:23+
1+¥1.11
5000+¥1.05
合计¥1.11
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):400A复制
导通电阻(RDS(on)):0.85mΩ@10V复制
描述:校验通过!复制库存:496复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥2.59
2000+¥2.47
合计¥2.59
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):120V复制
连续漏极电流(Id):100A复制
导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ@10V复制
描述:校验通过!复制库存:424复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥2.76
2500+¥2.64
合计¥2.76
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):200V复制
连续漏极电流(Id):1.2A复制
导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 200V 1.2A 1个N沟道复制库存:343复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
1+¥0.283
3000+¥0.25
合计¥0.28
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):80A复制
导通电阻(RDS(on)):8.3mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45W 40V 80A 1个N沟道 DFN-8(5x6)复制库存:289复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.673
5000+¥0.625
合计¥0.67
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):80A复制
导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 95W 60V 80A 1个P沟道 DFN-8(5x6)复制库存:241复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥1.3
5000+¥1.23
合计¥1.3
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):8A复制
导通电阻(RDS(on)):65mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 8A 1个P沟道 SOT-23-3L复制库存:239复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.252
3000+¥0.223
合计¥0.25
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):90A复制
导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150W 40V 90A 1个P沟道复制库存:236复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.946
2500+¥0.893
合计¥0.95
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):90A复制
导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V复制
描述:CMSA070N10采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。复制库存:199复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥1.03
5000+¥0.98
合计¥1.03
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):90A复制
导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 170W 55V 90A 1个P沟道复制库存:193复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥3.71
800+¥3.55
合计¥3.71
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):150A复制
导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 30V 150A 1个P沟道复制库存:128复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥1.49
5000+¥1.41
合计¥1.49
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):150A复制
导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 30V 150A 1个P沟道复制库存:57复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥1.4602
合计¥1.46
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):50A复制
导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 85W 20V 50A 1个P沟道复制库存:177复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.473
5000+¥0.431
合计¥0.47
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):50A复制
导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 85W 20V 50A 1个P沟道复制库存:1复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.46354
合计¥0.46
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