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无锡新洁能

无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片,致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司,涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节,确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展,新洁能的产品应用范围不断扩大,涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念,致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)套件产品IGBT管/模块创客教育套件场效应管(MOSFET)瞬态抑制二极管(TVS)场效应管(MOSFET)IGBT场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)集成电路
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
NCE6003X 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V复制
描述:-
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NCE0102 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
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漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)2A复制
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V,1A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道复制
库存:118710复制
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NCE3401AY 产品实物图片
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漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V,1A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.4A 1个P沟道复制
库存:90187复制
最小包 : 3000复制
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NCE2309 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)1.6A复制
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,1.5A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道复制
库存:61443复制
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品牌:NCE(新洁能)复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,5A复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道复制
库存:57306复制
最小包 : 4000复制
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NCE3401 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.2A复制
导通电阻(RDS(on))90mΩ@2.5V,1A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 4.2A 1个P沟道复制
库存:57007复制
最小包 : 3000复制
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3000+0.2052
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NCE40P05Y 产品实物图片
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封装:SOT23-3L复制
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漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)5.3A复制
导通电阻(RDS(on))73mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 5.3A 1个P沟道复制
库存:53058复制
最小包 : 3000复制
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3000+0.155
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NCE3050K 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
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漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)50A复制
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,25A复制
描述:场效应管(MOSFET) 60W 30V 50A 1个N沟道复制
库存:39481复制
最小包 : 2500复制
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1+0.4565
2500+0.418
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NCE3095K 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2复制
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漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)95A复制
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@10V,20A复制
描述:场效应管(MOSFET) 95W 30V 95A 1个N沟道复制
库存:37676复制
最小包 : 2500复制
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2500+0.295
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NCE3415 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))60mΩ@2.5V,4A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 4A 1个P沟道复制
库存:32203复制
最小包 : 3000复制
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1+0.21708
3000+0.19332
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NCE6050KA 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)50A复制
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V,20A复制
描述:场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道复制
库存:29865复制
最小包 : 2500复制
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NCE4009S 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOIC-8_150mil复制
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连续漏极电流(Id)9A复制
导通电阻(RDS(on))12.9mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道复制
库存:28864复制
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NCE0106R 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-223复制
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漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)9A复制
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V,5A复制
描述:场效应管(MOSFET) 3W 100V 6A 1个N沟道复制
库存:26775复制
最小包 : 2500复制
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2500+0.4536
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NCE6005AR 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-223复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,5A复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 1个N沟道复制
库存:23407复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.49
2500+0.45
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NCE6080K 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道复制
库存:22518复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.901
2500+0.85
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