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NCE(新洁能) 品牌logo图

NCE(新洁能)

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片,致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司,涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节,确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展,新洁能的产品应用范围不断扩大,涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念,致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)栅极驱动芯片IGBT管/模块智能功率模块(IPM)碳化硅场效应管(MOSFET)音频功率放大器电池管理功率电子开关LCD驱动无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
品牌 :
全部NCE(新洁能)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)1.6A复制
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道复制
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漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.4A 1个P沟道复制
库存:79991复制
最小包 : 3000复制
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3000+0.195
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道复制
库存:62348复制
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批次:26+
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)60A复制
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 65W 40V 60A 1个N沟道复制
库存:59769复制
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漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 80W 40V 80A 1个N沟道复制
库存:56314复制
最小包 : 2500复制
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漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)9.6A复制
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 30W 100V 9.6A 1个N沟道复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道复制
库存:51842复制
最小包 : 2500复制
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漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V复制
描述:NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制
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批次:两年内
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NCE0110AK 产品实物图片
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漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V复制
描述:NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制
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最小包 : 2500复制
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批次:两年外
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导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 150V 2A 1个N沟道复制
库存:40345复制
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NCE6050KA 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)50A复制
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道复制
库存:39165复制
最小包 : 2500复制
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批次:26+
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NCE4009S 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOIC-8_150mil复制
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漏源电压(Vdss)40V复制
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导通电阻(RDS(on))12.9mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道复制
库存:38346复制
最小包 : 4000复制
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批次:两年内
1+0.36936
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NCE6003X 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
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漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V复制
描述:NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制
库存:33170复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.131
3000+0.116
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合计0.13
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NCE6012AS 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOP-8-4.0mm复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)12A复制
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3W 60V 12A 1个N沟道复制
库存:30024复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.84888
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NCE2060K 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
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漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)60A复制
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 60W 20V 60A 1个N沟道复制
库存:27132复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次:两年内
1+0.49464
2500+0.4536
量大可议价
合计0.49
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NCE2060K 产品实物图片
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品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)60A复制
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 60W 20V 60A 1个N沟道复制
库存:708复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次:五年外
9.5
1+0.469908
量大可议价
合计0.47
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NCE6602N 产品实物图片
自营NCE6602N复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23-6复制
12领取
数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)3.5A复制
导通电阻(RDS(on))95mΩ@4.5V复制
描述:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制
库存:27000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.386
3000+0.362
量大可议价
合计0.39
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