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无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片，致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司，涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节，确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展，新洁能的产品应用范围不断扩大，涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念，致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)套件产品创客教育套件IGBT管/模块场效应管(MOSFET)光耦-逻辑输出瞬态抑制二极管(TVS)场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)IC插座IGBT场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)栅极驱动芯片集成电路IGBT

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营NCE6005AS

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8_150mil

手册：-

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8

库存：221022

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.444

4000+￥0.415

40000+

量大可议价

合计：￥0.44

自营NCE6050KA

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：101133

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.446

2500+￥0.41

25000+

量大可议价

合计：￥0.45

自营NCE3416

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23

库存：78114

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.138

3000+￥0.122

30000+

量大可议价

合计：￥0.14

自营NCE6020AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,24A

描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：64910

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.336

2500+￥0.308

25000+

量大可议价

合计：￥0.34

自营NCE4614

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4A

库存：57696

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.454

4000+￥0.425

40000+

量大可议价

合计：￥0.45

自营NCE2309

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：1.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：190mΩ@10V,1.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道 SOT-23

库存：52700

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.141

3000+￥0.125

30000+

量大可议价

合计：￥0.14

自营NCE3401

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 4.2A 1个P沟道 SOT-23

库存：45101

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.124

3000+￥0.11

30000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCEP0178AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：78A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,39A

描述：场效应管(MOSFET) 125W 100V 78A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：42662

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.39

2500+￥1.33

25000+

量大可议价

合计：￥1.39

自营NCE40P13S

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：13A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 13A 1个P沟道 SOP-8

库存：39106

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.701

4000+￥0.65

40000+

量大可议价

合计：￥0.7

自营NCE4435

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8_150mil

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：9.1A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,6.9A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道 SOP-8

库存：37336

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.353

4000+￥0.33

60000+

量大可议价

合计：￥0.35

自营NCE3400X

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

功率(Pd)：1.3W

库存：34655

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.114

3000+￥0.091

30000+

量大可议价

合计：￥0.11

自营NCE2302

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：59mΩ@2.5V

描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道 SOT-23

库存：26988

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.113

3000+￥0.0899

30000+

量大可议价

合计：￥0.11

自营NCE6005AR

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-223

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 1个N沟道 SOT-223

库存：25859

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.383

2500+￥0.351

25000+

量大可议价

合计：￥0.38

自营NCE3401AY

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@2.5V,1A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.4A 1个P沟道 SOT-23

库存：23759

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.156

3000+￥0.138

30000+

量大可议价

合计：￥0.16

自营NCE60P04Y

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 4A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：22692

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.283

3000+￥0.25

30000+

量大可议价

合计：￥0.28

自营NCE3020Q

品牌：NCE（新洁能）

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 20W 30V 20A 1个N沟道 PDFN-8(3.3x3.3)

库存：22313

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.392

5000+￥0.37

50000+

量大可议价

合计：￥0.39

自营NCE6080D

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-263

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道 TO-263-2

库存：21917

批次 : 2年内

最小包 : 800

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.16

800+￥1.08

8000+

量大可议价

合计：￥1.16

自营NCE2304

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：3.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,3.6A

描述：场效应管(MOSFET) 1.7W 30V 3.6A 1个N沟道 SOT-23

库存：20585

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.121

3000+￥0.107

45000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCEP1520K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：150V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：59mΩ@10V,10A

描述：场效应管(MOSFET) 68W 150V 20A 1个N沟道 TO-252-2

库存：20461

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.767

2500+￥0.71

25000+

量大可议价

合计：￥0.77

自营NCE01P13K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：13A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,16A

描述：场效应管(MOSFET) 40W 100V 13A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：20317

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.545

2500+￥0.499

37500+

量大可议价

合计：￥0.55

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