NCE（新洁能）
品牌产品
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
- 智能功率模块(IPM)
- 音频功率放大器
- 电池管理
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 功率电子开关
- LCD驱动
- 电荷泵
封装：
- SOP-8
- TO-252-2L
- TO-252
- TO-220
- SOT-23
- TO-247
- TO-263
- DFN5X6-8L
- TO-220F
- TO-252-2(DPAK)
- TO-220-3L
- TO-247-3L
- SOT-23-5
- TO-263-2L
- SOT-23-6
- DFN5*6
- SOIC-8
- SOT-23(SOT-23-3)
- TOLL
- QDPAK-22L
- SOT-23-3L
- SOP-16
- TO-252-2
- SOT23-3L
- SOP-14
- DFN3.3X3.3-8L
- SOIC-8_150MIL
- SOP-23
- TO-220-3
- TO-251
- TSSOP-20
- PQFN-26(5X6)
- TO-252(DPAK)
- DFN 5X6-8L
- QFN-24(4X4)
- SOP-8_150MIL
- SOT-89-3L
- DFN-8(4.9X5.8)
- SOT-223-3L
- SOT-23-6L
- TO252
- DFN-8(5X6)
- ESOP-13
- QFN-48(7X7)
- SOP8
- SSOP-24
- TO-247-4L
- TO-252-4
- DFN-8(3X3)
- DFN3*3
- PDFN-8(3.3X3.3)
- SOT-223
- SOT-89
- TO-220F-3
- TO-247P
- DFN-8(2X3)
- DFN-8L(3.3X3.3)
- DFN3.3*3.3
- DIP-23
- MSOP-10
- QFN-16(3X3)
- QFN-24-EP(4X4)
- SOP-28
- SOP28
- SOT-223-2L
- SOT23
- TDFN-12(1.5X2.4)
- TO-247-3
- TO-252-4L
- TO-263-2
- TO220F
- TO263-7L
- TO263-7LHC
- TOLL-8
- 40V
- DFN-12(1.5X3)
- DFN-8(3.1X3.2)
- DFN-8(3.3X3.3)
- DFN5X6-EP
- DFNWB-6-EP(2X2)
- PDFN-8(5.1X5.8)
- SO8_150MIL
- SOP-8-4.0MM
- TO-220(TO-220-3)
- TO-220F(TO-220IS)
- TO-263(D²PAK)
- TO-263-3
- TO220
- TO251
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：1.6A复制
导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道复制库存：101307复制
最小包 : 3000复制
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批次：26+
1+￥0.2376
3000+￥0.21
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制库存：65869复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.15876
3000+￥0.1404
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制库存：554复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：五年外
9.5折
1+￥0.150822
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：50A复制
导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道复制库存：64090复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.5994
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：2A复制
导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道复制库存：62567复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.19548
3000+￥0.1728
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：3A复制
导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V复制
描述：NCE6003X采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制库存：58967复制
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批次：26+
1+￥0.147
3000+￥0.13
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 80W 40V 80A 1个N沟道复制库存：55387复制
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批次：26+
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V复制
描述：NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制库存：45196复制
最小包 : 2500复制
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批次：两年内
1+￥0.60372
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V复制
描述：NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制库存：98复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次：两年外
9.8折
1+￥0.591646
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合计￥0.59
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：60A复制
导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 65W 40V 60A 1个N沟道复制库存：42818复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.574
2500+￥0.531
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道复制库存：41907复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.842
2500+￥0.78
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合计￥0.84
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：150V复制
连续漏极电流(Id)：2A复制
导通电阻(RDS(on))：300mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 150V 2A 1个N沟道复制库存：40295复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.52272
2500+￥0.47952
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 10A 1个N沟道复制库存：35335复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.40284
4000+￥0.37584
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合计￥0.4
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：20A复制
导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道复制库存：34559复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.49
2500+￥0.45
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合计￥0.49
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数量：1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：3.5A复制
导通电阻(RDS(on))：95mΩ@4.5V复制
描述：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制库存：30640复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.415
3000+￥0.388
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.1A复制
导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V复制
描述：采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制库存：30538复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.1728
3000+￥0.15336
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：12A复制
导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3W 60V 12A 1个N沟道复制库存：30011复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.8262
4000+￥0.7668
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