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无锡新洁能 品牌logo图

无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片，致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司，涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节，确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展，新洁能的产品应用范围不断扩大，涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念，致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(210)套件产品(9)IGBT管/模块(8)创客教育套件(6)场效应管(MOSFET)(3)光耦-逻辑输出(1)瞬态抑制二极管(TVS)(1)场效应管(MOSFET)(1)场效应管(MOSFET)(1)IC插座(1)IGBT(1)场效应管(MOSFET)(1)(1)(1)场效应管(MOSFET)(1)栅极驱动芯片(1)IGBT(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
NCE6005AS 产品实物图片
自营NCE6005AS
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOP-8_150mil
手册：-
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A
描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8
库存：115977
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.751
200+￥0.518
2000+￥0.471
40000+
量大可议价
合计：￥0.75
现在下单1小时内发货
NCE6020AK 产品实物图片
自营NCE6020AK
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-2
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,24A
描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：115250
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.557
100+￥0.372
1250+￥0.338
25000+
量大可议价
合计：￥0.56
现在下单1小时内发货
NCE3401 产品实物图片
自营NCE3401
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23(SOT-23-3)
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.2A
描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 4.2A 1个P沟道 SOT-23
库存：114493
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.226
200+￥0.146
1500+￥0.127
30000+
量大可议价
合计：￥0.23
现在下单1小时内发货
NCE40P05Y 产品实物图片
自营NCE40P05Y
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT23-3L
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：5.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@10V,5A
描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 5.3A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存：82284
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.288
200+￥0.185
1500+￥0.162
30000+
量大可议价
合计：￥0.29
现在下单1小时内发货
NCE3400X 产品实物图片
自营NCE3400X
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
功率(Pd)：1.3W
库存：81315
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.568
200+￥0.19
1500+￥0.119
30000+
量大可议价
合计：￥0.57
现在下单1小时内发货
NCE60P04Y 产品实物图片
自营NCE60P04Y
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23-3L
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,4A
描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 4A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存：74428
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.564
200+￥0.364
1500+￥0.316
3000+￥0.28
30000+
量大可议价
合计：￥0.56
现在下单1小时内发货
NCE6050KA 产品实物图片
自营NCE6050KA
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-2(DPAK)
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A
描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：71776
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.738
100+￥0.492
1250+￥0.446
25000+
量大可议价
合计：￥0.74
现在下单1小时内发货
NCE4606 产品实物图片
自营NCE4606
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOP-8
手册：-
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,6A
描述：场效应管(MOSFET) 2W 30V 6.5A；7A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8
库存：47518
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.628
200+￥0.433
2000+￥0.393
4000+￥0.368
40000+
量大可议价
合计：￥0.63
现在下单1小时内发货
NCE6080K 产品实物图片
自营NCE6080K
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,20A
描述：场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道 TO-252-2
库存：47132
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.08
100+￥0.835
1250+￥0.707
25000+
量大可议价
合计：￥1.08
现在下单1小时内发货
NCE3416 产品实物图片
自营NCE3416
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23(SOT-23-3)
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,6.5A
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23
库存：46067
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.273
200+￥0.176
1500+￥0.154
30000+
量大可议价
合计：￥0.27
现在下单1小时内发货
NCE6050A 产品实物图片
自营NCE6050A
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-220(TO-220-3)
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A
描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-220
库存：41042
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.903
50+￥0.695
10000+
量大可议价
合计：￥0.9
现在下单1小时内发货
NCE6005AR 产品实物图片
自营NCE6005AR
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-223
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A
描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 1个N沟道 SOT-223
库存：39830
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.703
100+￥0.469
1250+￥0.426
25000+
量大可议价
合计：￥0.7
现在下单1小时内发货
NCE2301 产品实物图片
自营NCE2301
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23(SOT-23-3)
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V,3A
描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存：36934
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.556
200+￥0.185
1500+￥0.116
3000+￥0.092
30000+
量大可议价
合计：￥0.56
现在下单1小时内发货
NCE2309 产品实物图片
自营NCE2309
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：190mΩ@10V,1.5A
描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道 SOT-23
库存：34872
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.258
200+￥0.166
1500+￥0.145
30000+
量大可议价
合计：￥0.26
现在下单1小时内发货
NCE4009S 产品实物图片
自营NCE4009S
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOIC-8_150mil
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@4.5V,4A
描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道 SOIC-8
库存：32733
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.564
200+￥0.364
2000+￥0.316
40000+
量大可议价
合计：￥0.56
现在下单1小时内发货
NCE0110K 产品实物图片
自营NCE0110K
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-2(DPAK)
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：9.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,6A
描述：场效应管(MOSFET) 30W 100V 9.6A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：28892
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.684
100+￥0.455
1250+￥0.415
25000+
量大可议价
合计：￥0.68
现在下单1小时内发货
NCEP0178AK 产品实物图片
自营NCEP0178AK
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-2(DPAK)
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：78A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,39A
描述：场效应管(MOSFET) 125W 100V 78A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：28671
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥2.16
100+￥1.66
1250+￥1.45
25000+
量大可议价
合计：￥2.16
现在下单1小时内发货
NCE3404 产品实物图片
自营NCE3404
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOT-23
手册：-
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@4.5V,4A
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23
库存：27518
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.302
200+￥0.195
1500+￥0.17
3000+￥0.15
30000+
量大可议价
合计：￥0.3
现在下单1小时内发货
NCE4614 产品实物图片
自营NCE4614
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOP-8
手册：-
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4A
库存：26751
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.725
200+￥0.501
2000+￥0.454
40000+
量大可议价
合计：￥0.73
现在下单1小时内发货
NCE4435 产品实物图片
自营NCE4435
品牌：NCE（新洁能）
封装：SOP-8_150mil
手册：-
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：9.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,6.9A
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道 SOP-8
库存：26156
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.566
200+￥0.391
2000+￥0.355
40000+
量大可议价
合计：￥0.57
现在下单1小时内发货
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