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无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片，致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司，涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节，确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展，新洁能的产品应用范围不断扩大，涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念，致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)(221)套件产品(11)创客教育套件(8)IGBT管/模块(8)场效应管(MOSFET)(3)光耦-逻辑输出(1)瞬态抑制二极管(TVS)(1)场效应管(MOSFET)(1)场效应管(MOSFET)(1)IC插座(1)IGBT(1)场效应管(MOSFET)(1)(1)场效应管(MOSFET)(1)栅极驱动芯片(1)IGBT(1)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营NCE6005AS

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8_150mil

手册：-

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8

库存：215343

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.444

4000+￥0.415

40000+

量大可议价

合计：￥0.44

自营NCE6003X

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

功率(Pd)：1.7W

工作温度：-55℃~+150℃

库存：190521

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.114

3000+￥0.091

30000+

量大可议价

合计：￥0.11

自营NCE3416

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23

库存：114642

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.154

3000+￥0.136

30000+

量大可议价

合计：￥0.15

自营NCE3401

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 4.2A 1个P沟道 SOT-23

库存：93458

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.147

3000+￥0.13

30000+

量大可议价

合计：￥0.15

自营NCE6050KA

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：80674

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.446

2500+￥0.41

25000+

量大可议价

合计：￥0.45

自营NCE6080K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 110W 60V 80A 1个N沟道 TO-252-2

库存：67337

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.707

2500+￥0.655

25000+

量大可议价

合计：￥0.71

自营NCE60P04Y

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 4A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：66592

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.316

3000+￥0.28

30000+

量大可议价

合计：￥0.32

自营NCE4614

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4A

库存：60419

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.454

4000+￥0.425

40000+

量大可议价

合计：￥0.45

自营NCEP0178AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：78A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,39A

描述：场效应管(MOSFET) 125W 100V 78A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：58849

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.41

2500+￥1.34

25000+

量大可议价

合计：￥1.41

自营NCE0102

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@10V,1A

描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道 SOT-23

库存：57674

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.139

3000+￥0.123

30000+

量大可议价

合计：￥0.14

自营NCE6020AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,24A

描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：57604

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.338

2500+￥0.31

25000+

量大可议价

合计：￥0.34

自营NCE40P40K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：40A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,12A

描述：场效应管(MOSFET) 80W 40V 40A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：57434

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.756

2500+￥0.699

25000+

量大可议价

合计：￥0.76

自营NCE40P05Y

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：5.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 5.3A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：47746

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.162

3000+￥0.144

30000+

量大可议价

合计：￥0.16

自营NCE4009S

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOIC-8_150mil

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：9A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@4.5V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道 SOIC-8

库存：46060

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.316

4000+￥0.28

40000+

量大可议价

合计：￥0.32

自营NCE3400X

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

功率(Pd)：1.3W

库存：37875

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.119

3000+￥0.094

30000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCE2309

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：1.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：190mΩ@10V,1.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道 SOT-23

库存：36582

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.145

3000+￥0.128

30000+

量大可议价

合计：￥0.14

自营NCE2302

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：59mΩ@2.5V

描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道 SOT-23

库存：35115

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.113

3000+￥0.0899

30000+

量大可议价

合计：￥0.11

自营NCE4435

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8_150mil

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：9.1A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,6.9A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道 SOP-8

库存：34702

批次 : 24+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.353

4000+￥0.33

60000+

量大可议价

合计：￥0.35

自营NCE2301

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V,3A

描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23

库存：28399

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.124

3000+￥0.0985

45000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCE60P50K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 95W 60V 50A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：28070

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.32

2500+￥1.27

25000+

量大可议价

合计：￥1.32

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