圣禾堂在线买通用器件,上圣禾堂更省钱!
圣禾堂在线买通用器件,上圣禾堂更省钱!
NCE(新洁能) 品牌logo图

NCE(新洁能)

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片,致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司,涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节,确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展,新洁能的产品应用范围不断扩大,涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念,致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
NCE2309 产品实物图片
自营NCE2309复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)1.6A复制
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道复制
库存:128491复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.2076
3000+0.1836
量大可议价
合计0.21
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE4009S 产品实物图片
自营NCE4009S复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOIC-8_150mil复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)9A复制
导通电阻(RDS(on))12.9mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道复制
库存:66597复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.36936
4000+0.3456
量大可议价
合计0.37
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE6050KA 产品实物图片
自营NCE6050KA复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)50A复制
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道复制
库存:48927复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.66528
2500+0.6156
量大可议价
合计0.67
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE6602N 产品实物图片
自营NCE6602N复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23-6复制
数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)3.5A复制
导通电阻(RDS(on))95mΩ@4.5V复制
描述:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制
库存:45000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.342
3000+0.32
量大可议价
合计0.34
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE6005AS 产品实物图片
自营NCE6005AS复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOP-8_150mil复制
数量2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道复制
库存:36856复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.514
4000+0.48
量大可议价
合计0.51
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE3050K 产品实物图片
自营NCE3050K复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2(DPAK)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)50A复制
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 60W 30V 50A 1个N沟道复制
库存:36512复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.4565
2500+0.418
量大可议价
合计0.46
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE6020AK 产品实物图片
自营NCE6020AK复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:TO-252-2复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)20A复制
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道复制
库存:33785复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.49
2500+0.45
量大可议价
合计0.49
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE2302 产品实物图片
自营NCE2302复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))59mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制
库存:31646复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.12852
3000+0.1134
量大可议价
合计0.13
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE2302 产品实物图片
自营NCE2302复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))59mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制
库存:554复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:五年外
9.5
1+0.122094
量大可议价
合计0.12
现在下单最快1小时发货
NCE60P04R 产品实物图片
自营NCE60P04R复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-223复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)4.3A复制
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 60V 4.3A 1个P沟道复制
库存:31487复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.56484
2500+0.5184
量大可议价
合计0.56
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE6012AS 产品实物图片
自营NCE6012AS复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOP-8-4.0mm复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)12A复制
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3W 60V 12A 1个N沟道复制
库存:31103复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.84888
4000+0.7884
量大可议价
合计0.85
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE3415 产品实物图片
自营NCE3415复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))60mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 4A 1个P沟道复制
库存:30774复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.189
3000+0.1674
量大可议价
合计0.19
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE3020Q 产品实物图片
自营NCE3020Q复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:PDFN-8(3.3x3.3)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)20A复制
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 20W 30V 20A 1个N沟道复制
库存:29895复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.52272
3000+0.48816
量大可议价
合计0.52
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE0102 产品实物图片
自营NCE0102复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)2A复制
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道复制
库存:28065复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.19548
3000+0.1728
量大可议价
合计0.2
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE3007S 产品实物图片
自营NCE3007S复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOIC-8_150mil复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)6.5A复制
导通电阻(RDS(on))42mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道复制
库存:23566复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.49572
4000+0.46332
量大可议价
合计0.5
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE3007S 产品实物图片
自营NCE3007S复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOIC-8_150mil复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)6.5A复制
导通电阻(RDS(on))42mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道复制
库存:69复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.485806
量大可议价
合计0.49
现在下单最快1小时发货
NCE01P03S 产品实物图片
自营NCE01P03S复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOP-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 3A 1个P沟道复制
库存:22726复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.69768
4000+0.648
量大可议价
合计0.7
现在下单最快1小时发货
NCE(新洁能)点击线下购买享更多折扣
NCE01P03S 产品实物图片
自营NCE01P03S复制
品牌:NCE(新洁能)复制
封装:SOP-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 3A 1个P沟道复制
库存:14复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.683726
量大可议价
合计0.68
现在下单最快1小时发货
还有132条型号未显示
加载更多