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无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，专注于半导体功率器件的研发与销售。公司主要产品包括MOSFET和IGBT等半导体芯片，致力于为客户提供高性能的电力解决方案。新洁能拥有多家全资子公司，涵盖芯片设计、生产和封装测试等环节，确保产品质量和技术领先。随着新能源汽车、智能装备和5G等新兴领域的快速发展，新洁能的产品应用范围不断扩大，涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业。公司秉持创新驱动的发展理念，致力于在云计算、大数据和智能电网等前沿技术领域中发挥重要作用。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)套件产品创客教育套件IGBT管/模块场效应管(MOSFET)光耦-逻辑输出瞬态抑制二极管(TVS)场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)IC插座IGBT场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)栅极驱动芯片集成电路IGBT

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营NCE6003X

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

功率(Pd)：1.7W

工作温度：-55℃~+150℃

库存：244440

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.12312

3000+￥0.09828

30000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCE6005AS

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8_150mil

手册：-

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8

库存：170556

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.46872

4000+￥0.43848

60000+

量大可议价

合计：￥0.47

自营NCE0102

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@10V,1A

描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道 SOT-23

库存：91563

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.14904

3000+￥0.13176

45000+

量大可议价

合计：￥0.15

自营NCE6050KA

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：70371

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.48168

2500+￥0.4428

25000+

量大可议价

合计：￥0.48

自营NCE3416

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23

库存：63734

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.14904

3000+￥0.13176

30000+

量大可议价

合计：￥0.15

自营NCE2301

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V,3A

描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23

库存：53031

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.12528

3000+￥0.09936

45000+

量大可议价

合计：￥0.13

自营NCE40P05Y

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：5.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 5.3A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：49558

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.16308

3000+￥0.14472

30000+

量大可议价

合计：￥0.16

自营NCE6020AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,24A

描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：46573

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.36288

2500+￥0.33264

25000+

量大可议价

合计：￥0.36

自营NCE3401

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23(SOT-23-3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 4.2A 1个P沟道 SOT-23

库存：39586

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.13392

3000+￥0.1188

30000+

量大可议价

合计：￥0.13

自营NCE20P45Q

品牌：NCE（新洁能）

封装：DFN-8(3.3x3.3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：19V

连续漏极电流(Id)：45A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 80W 19V 45A 1个P沟道 DFN-8(3.3x3.3)

库存：35009

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.8154

5000+￥0.75492

50000+

量大可议价

合计：￥0.82

自营NCE3400X

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

功率(Pd)：1.3W

库存：34110

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.12312

3000+￥0.09828

30000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营NCE6005AR

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-223

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 1个N沟道 SOT-223

库存：30784

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.41364

2500+￥0.37908

25000+

量大可议价

合计：￥0.41

自营NCE40P40K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：40A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,12A

描述：场效应管(MOSFET) 80W 40V 40A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：30716

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.74736

2500+￥0.6912

37500+

量大可议价

合计：￥0.75

自营NCE2309

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：1.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：190mΩ@10V,1.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道 SOT-23

库存：30682

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.1512

3000+￥0.13392

45000+

量大可议价

合计：￥0.15

自营NCE6008AS

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：8A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,8A

描述：场效应管(MOSFET) 2.1W 60V 8A 1个N沟道 SOP-8

库存：28006

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.6048

4000+￥0.5616

40000+

量大可议价

合计：￥0.6

自营NCEP0178AK

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：78A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,39A

描述：场效应管(MOSFET) 125W 100V 78A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：26176

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.4904

2500+￥1.4256

37500+

量大可议价

合计：￥1.49

自营NCE40P13S

品牌：NCE（新洁能）

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：13A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 13A 1个P沟道 SOP-8

库存：24699

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.75708

4000+￥0.702

40000+

量大可议价

合计：￥0.76

自营NCE6050A

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-220(TO-220-3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道 TO-220

库存：24443

批次 : 25+

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.7506

1000+￥0.6912

10000+

量大可议价

合计：￥0.75

自营NCE4060K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：60A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 65W 40V 60A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：23356

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.51732

2500+￥0.4752

25000+

量大可议价

合计：￥0.52

自营NCE4080K

品牌：NCE（新洁能）

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 80W 40V 80A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：22691

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.56484

2500+￥0.5184

25000+

量大可议价

合计：￥0.56

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