NCE（新洁能）
主营产品
MOSFET20-150V SGT/Trench MOSFET中低压MOSFETIPM模块低功耗MOSFETIGBTIGBT模块SiC MOSFET超结MOSFETGaN
应用领域
消费电子汽车电子工业电子新能源汽车充电桩智能装备制造轨道交通光伏新能源5G
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- IGBT管/模块
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 智能功率模块(IPM)
- 音频功率放大器
- 电池管理
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 功率电子开关
- LCD驱动
- 电荷泵
封装：
- SOP-8
- TO-220
- TO-252
- TO-252-2(DPAK)
- TO-247
- TO-263
- TO-252-2L
- SOT-23
- TO-220F
- DFN5*6
- DFN5X6-8L
- TO-252-2
- SOT-23(SOT-23-3)
- SOT23-3L
- TOLL
- SOIC-8_150MIL
- TO-220-3L
- TO-263-2L
- SOT-23-6
- TO-247-3L
- DFN-8(5X6)
- SOT-23-5
- TO-251
- TO-252(DPAK)
- DFN3.3X3.3-8L
- SOIC-8
- SOT-23-3L
- SOT-89-3L
- DFN-8(4.9X5.8)
- QDPAK-22L
- SOP-16
- SOP-8_150MIL
- SOT-223
- SOT-23-6L
- DFN-8(3X3)
- SOP-14
- DFN 5X6-8L
- PQFN-26(5X6)
- SOP-23
- SOT-89
- TO-220F-3
- TO-247-4L
- TO-247P
- TO-252-4L
- TO252
- TSSOP-20
- DFN-8L(5X6)
- DFN3*3
- DFN3.3*3.3
- PDFN-8(3.3X3.3)
- QFN-24(4X4)
- SOT-223-3L
- TO-220F(TO-220IS)
- TO-252-4
- DFN
- DFN-8L(3.3X3.3)
- DFN5X6-EP
- DIP-23
- ESOP-13
- N
- PDFN-8(5.1X5.8)
- QFN-48(7X7)
- SOP8
- SOT-89-3
- SOT23
- SSOP-24
- TO-220(TO-220-3)
- TO220F
- TOLL-8
- DFN-12(1.5X3)
- DFN-8(2X3)
- DFN-8(3.1X3.2)
- DFN-8(3.3X3.3)
- DFNWB-6-EP(2X2)
- MSOP-10
- NCE60P50
- PDFN-8(5.8X4.9)
- QFN-16(3X3)
- QFN-24-EP(4X4)
- SO-8
- SOP-28
- SOP-8-4.0MM
- SOP28
- SOT-223-2L
- SOT23-6L
- TDFN-12(1.5X2.4)
- TO-247-3
- TO-263(D2PAK)
- TO-263-2
- TO-263-3
- TO-3P
- TO-92-2.5MM
- TO220
- TO251
- TO263-7L
- TO263-7LHC
- TOLT-16
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：2A复制
导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 100V 2A 1个N沟道复制库存：111187复制
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批次：26+
1+￥0.19548
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：1.6A复制
导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.6A 1个P沟道复制库存：98201复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.1A复制
导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V复制
描述：采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制库存：90199复制
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：20A复制
导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 45W 60V 20A 1个N沟道复制库存：69413复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：9.1A复制
导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道复制库存：56877复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：50A复制
导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道复制库存：55746复制
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漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 80W 40V 80A 1个N沟道复制库存：52672复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制库存：52009复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年内
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漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 4A 1个N沟道复制库存：554复制
最小包 : 3000复制
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批次：五年外
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漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V复制
描述：NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制库存：45196复制
最小包 : 2500复制
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漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V复制
描述：NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。它可用于多种应用场景。复制库存：99复制
最小包 : 2500复制
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批次：两年外
9.8折
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数量：2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：5A复制
导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 2个N沟道复制库存：45027复制
最小包 : 4000复制
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：5A复制
导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 60V 5A 1个N沟道复制库存：44880复制
最小包 : 2500复制
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批次：26+
1+￥0.486
2500+￥0.446
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漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：60A复制
导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 65W 40V 60A 1个N沟道复制库存：28563复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.559
2500+￥0.519
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：3A复制
导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V复制
描述：NCE6003X采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。复制库存：40767复制
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批次：26+
1+￥0.141
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漏源电压(Vdss)：150V复制
连续漏极电流(Id)：2A复制
导通电阻(RDS(on))：300mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 150V 2A 1个N沟道复制库存：37509复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.51624
2500+￥0.47304
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.4A复制
导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.4A 1个P沟道复制库存：35631复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.209
3000+￥0.185
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