ANHI安海半导体

ANHI 安海半导体是一家由具备功率半导体行业超 20 年经验团队组建的高新技术企业，总部位于济南，在上海、成都、广州、长沙及台湾等地设立了全资子公司和研发中心. 公司总投资 2.195 亿人民币，富士康旗下基金公司为主要投资机构. 公司专注于高性能模拟及功率半导体技术与产品的开发，具备强大的工艺技术和器件开发能力，拥有诸如台积电等国际一流晶圆厂资源和封装测试厂资源，以及强大的销售渠道和市场开拓能力，致力于打破国际厂商垄断，实现该领域国产化. 安海半导体的主营产品包括 SGT MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、SJ MOSFET 等功率半导体器件. 其中 SGT MOSFET 采用先进技术，实现低导通和开关损耗，工作结温范围广；IGBT 产品工作频率覆盖 20-50KHZ，具有静动态损耗低、短路耐受力强等特点；SiC MOSFET 作为第三代宽禁带功率半导体产品，具有高频率、高功率、高效率、低导通电阻等优点；SJ MOSFET 则采用多层外延技术，性能稳定，抗浪涌能力强. 其产品应用领域广泛，涵盖新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通、电子产品充电器、LED 照明、车载 OBC、电机、BMS 等多个领域，为推动相关产业的发展提供了有力支持.