Ncepower新洁能
无锡新洁能股份有限公司成立于 2013 年 1 月 5 日，是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业. 公司总部位于无锡市新吴区电腾路 6 号，拥有完善的质量控制保证系统，确保产品品质的一致性和稳定性. 公司的主要团队人员由业界精英组成，研发力量雄厚，曾首创多项中国第一，在功率半导体领域拥有深厚的技术积累和丰富的实践经验. 新洁能以 “诚信” 为经营理念，致力于为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统，目标是成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商.
分类 :
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-200V N-Channel Trench MOSFET
库存：0
批次 : -
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.81
5000+￥1.72
30000+
量大可议价
合计：￥1.81
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-150V P-Channel Trench MOSFET
库存：70000
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+￥1.045178
合计：￥2612.94
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-300V N-Channel Automotive MOSFET
库存：50000
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥1.543495
合计：￥7717.48
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：其他 VDS =100V,ID =330A
库存：42000
批次 : 24+
最小包 : 1
起订量 : 2000
增量 : 2000
2000+￥7.350003
合计：￥14700.01
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 100V,ID =135A
库存：20000
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1000
增量 : 1000
1000+￥2.355584
合计：￥2355.58
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：IGBT 600-650V IGBT
库存：16000
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1000
增量 : 1000
1000+￥3.363368
合计：￥3363.37
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） VDS =60V,ID =50A
库存：15000
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+￥1.029003
合计：￥2572.51
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET TO-220-3L
库存：10000
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1000
增量 : 1000
1000+￥3.660302
合计：￥3660.3
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：IGBT 80A,650V
库存：7200
批次 : 24+
最小包 : 600
起订量 : 600
增量 : 600
600+￥14.25792
合计：￥8554.75
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-200V N-Channel Trench MOSFET
库存：6000
批次 : 23+
最小包 : 3000
起订量 : 3000
增量 : 3000
3000+￥0.239898
3001+￥0.174926
合计：￥719.69
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） Nmos/650V/180mohom/TO-220F
库存：5750
批次 : 24+
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+￥7.730467
93+￥5.636799
合计：￥386.52
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） VDS =100V,ID =135A
库存：5000
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥4.584633
合计：￥22923.17
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET
库存：5000
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥2.206646
合计：￥11033.23
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-150V P-Channel Trench MOSFET
库存：5000
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+￥0.653533
合计：￥1633.83
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 150V,28MR,Vth=3.1V
库存：5000
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥1.619053
合计：￥8095.27
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 12-200V N-Channel Trench MOSFET
库存：5000
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥0.918381
合计：￥4591.91
2-5 工作日内发货
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） VDS =85V,ID =135A
库存：5000
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 5000
增量 : 5000
5000+￥4.145849
合计：￥20729.25
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） VDS =-40V,ID =-13A
库存：4000
批次 : 23+
最小包 : 4000
起订量 : 4000
增量 : 4000
4000+￥0.896302
合计：￥3585.21
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） VDS=60V,ID=5A
库存：4000
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 4000
增量 : 4000
4000+￥0.807484
合计：￥3229.94
2-5 工作日内发货
数据更新
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET） 600-650V IGBT
库存：3600
批次 : 25+
最小包 : 600
起订量 : 600
增量 : 600
600+￥10.12503
合计：￥6075.02
2-5 工作日内发货
数据更新
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