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无锡国晶微半导体技术有限公司

无锡国晶微半导体技术有限公司是一家高科技创新型企业,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料的研发与产业化。公司致力于提供高效能、低功耗、低阻值的功率器件及光电集成电路产品,涵盖从设计到生产的全链条服务。凭借国内领先的研发实力和丰富的行业经验,无锡国晶微在碳化硅功率器件领域具有显著优势,产品广泛应用于电力电子、可再生能源、汽车电子等多个行业。此外,公司还为客户提供一站式的应用解决方案及现场技术支持,致力于推动半导体技术的进步与应用。通过不断创新与优化,无锡国晶微微半导体技术有限公司正在为全球客户提供更高效、更可靠的半导体产品。

分类 :
全部固态继电器-MOS输出(PHOTOMOS)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
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负载电压40V复制
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1+2.66
2000+2.54
30000+
量大可议价
合计:2.66
GAQY212GSX 产品实物图片
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正向压降(Vf)1.32V复制
负载电压60V复制
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导通电阻180mΩ复制
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批次 : 25+复制
最小包 : 2000复制
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1+2
2000+1.91
20000+
量大可议价
合计:2
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触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
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1+2.05
2000+1.95
20000+
量大可议价
合计:2.05
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触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
正向电流(If)50mA复制
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库存:5546复制
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最小包 : 2000复制
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1+1.63
2000+1.55
20000+
量大可议价
合计:1.63
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正向电流(If)50mA复制
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连续负载电流400mA复制
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最小包 : 2000复制
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1+2.98
2000+2.85
20000+
量大可议价
合计:2.98
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最小包 : 2000复制
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1+1.56
2000+1.48
30000+
量大可议价
合计:1.56
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1+2.85
100+2.64
1000+
量大可议价
合计:2.85
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最小包 : 2000复制
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1+2.95
2000+2.81
30000+
量大可议价
合计:2.95
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连续负载电流2.5A复制
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1+2.89
2000+2.77
30000+
量大可议价
合计:2.89
GAQY237S 产品实物图片
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触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
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负载电压200V复制
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1+3.11
2000+2.97
30000+
量大可议价
合计:3.11
GAQY212GHA 产品实物图片
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连续负载电流1.8A复制
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1+2.8
2000+2.69
20000+
量大可议价
合计:2.8
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1+1.47
2000+1.4
20000+
量大可议价
合计:1.47
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触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
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负载电压400V复制
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1+1.53
2000+1.46
20000+
量大可议价
合计:1.53
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1+2.12
2000+2.03
30000+
量大可议价
合计:2.12
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继电器触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
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连续负载电流1.8A复制
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1+2.42
2000+2.32
30000+
量大可议价
合计:2.42
GAQY212G1S 产品实物图片
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触点形式SPST-NO(1 Form A)复制
正向电流(If)50mA复制
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库存:2531复制
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1+2
2000+1.91
30000+
量大可议价
合计:2
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最小包 : 2000复制
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1+2.09
2000+2
20000+
量大可议价
合计:2.09
GAQW214EH 产品实物图片
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封装:SMD-8复制
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正向电流(If)7mA复制
正向压降(Vf)1.2V复制
负载电压400V复制
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库存:2018复制
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最小包 : 1000复制
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1+3.13
1000+2.98
10000+
量大可议价
合计:3.13
GAQY212G2EH 产品实物图片
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正向电流(If)7mA复制
正向压降(Vf)1.2V复制
负载电压60V复制
连续负载电流2A复制
库存:1933复制
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最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
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1+3.07
2000+2.94
20000+
量大可议价
合计:3.07
GAQY216EH 产品实物图片
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手册:-
正向电流(If)50mA复制
正向压降(Vf)1.2V复制
负载电压600V复制
连续负载电流80mA复制
库存:1924复制
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最小包 : 2000复制
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1+2.28
2000+2.19
30000+
量大可议价
合计:2.28
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