深圳市微碧半导体有限公司
VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下的品牌，专注于MOSFET领域的设计、生产和销售。作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心，积极批量开发，致力服务于中高端市场的终端制造商，整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准，VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET，封装规格齐全，有：SOP-8、TO252、DFN、TO-220等等一系列的封装产线，参数范围 电压：12V-1700V 电流：0.5A-450A;产品生产严格执行ISO9001国际质量标准，均符合RoHs/REACH环保要求.
分类 :
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
功率(Pd)：1.6W
反向传输电容(Crss@Vds)：130pF@15V
商品分类：场效应管(MOSFET)
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
描述：MOS场效应管 AO3401-VB SOT-23
库存：8735
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.263
3000+￥0.233
30000+
量大可议价
合计：￥1.32
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：6A
功率(Pd)：1.3W
描述：MOS场效应管 SI2300BDS-T1-GE3-VB SOT-23
库存：5330
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.181
3000+￥0.16
30000+
量大可议价
合计：￥0.91
描述：MOS场效应管 AP2306N-VB SOT-23
库存：5244
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.192
3000+￥0.17
30000+
量大可议价
合计：￥0.96
库存：5000
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.54
2500+￥1.47
37500+
量大可议价
合计：￥1.54
库存：4200
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.11
2500+￥1.05
25000+
量大可议价
合计：￥1.11
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,2A
库存：3254
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.933
1000+￥0.86
10000+
量大可议价
合计：￥0.93
库存：3150
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.271
3000+￥0.24
30000+
量大可议价
合计：￥1.36
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：5.1A
功率(Pd)：1.3W
描述：MOS场效应管 SI2302DS-T1-GE3-VB SOT-23
库存：3055
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+￥0.176
3000+￥0.156
30000+
量大可议价
合计：￥1.76
描述：MOS场效应管 AM2394NE-VB SOT-23
库存：3000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.694
3000+￥0.645
45000+
量大可议价
合计：￥3.47
功率(Pd)：300mW
反向传输电容(Crss@Vds)：2pF@25V
商品分类：场效应管(MOSFET)
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
描述：MOS场效应管 BS170FTA-VB SOT-23
库存：3000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+￥0.182
3000+￥0.162
45000+
量大可议价
合计：￥1.82
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：5.6A
功率(Pd)：1.6W
描述：MOS场效应管 AO3401A-VB SOT-23
库存：3000
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.289
3000+￥0.257
30000+
量大可议价
合计：￥1.45
功率(Pd)：1.6W
反向传输电容(Crss@Vds)：155pF
商品分类：场效应管(MOSFET)
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
描述：MOS场效应管 WPM2015-3/TR-VB SOT-23
库存：3000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.219
3000+￥0.194
45000+
量大可议价
合计：￥1.1
描述：MOS场效应管 MI3407-VB SOT-23
库存：3000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.339
3000+￥0.299
45000+
量大可议价
合计：￥1.7
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：11.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,10A
库存：2988
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.07
4000+￥1.01
40000+
量大可议价
合计：￥1.07
描述：MOS场效应管 BSS308PE-VB SOT-23
库存：2940
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+￥0.339
3000+￥0.299
45000+
量大可议价
合计：￥1.7
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：55A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,5A
库存：2801
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.94
1000+￥1.8
10000+
量大可议价
合计：￥1.94
描述：MOS场效应管 CES2305-VB SOT-23
库存：2780
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+￥0.203
3000+￥0.18
30000+
量大可议价
合计：￥2.03
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A
库存：2594
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.53
2500+￥1.46
25000+
量大可议价
合计：￥1.53
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：3.5A
功率(Pd)：1.6W
描述：MOS场效应管 SI2305DS-T1-GE3-VB SOT-23
库存：2525
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+￥0.198
3000+￥0.175
30000+
量大可议价
合计：￥1.98
库存：1500
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.55
4000+￥1.47
24000+
量大可议价
合计：￥1.55
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