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AM(安美半导体)

AM(安美半导体)

安徽安美半导体有限公司成立于 2013 年 10 月,是一家专注于研发、制造半导体元器件的高新技术企业,位于安徽省池州市。 公司拥有专业的管理团队和经验丰富的资深工程技术人员,全面推行 iatf16949-2016 汽车质量体系和 iso14001-2015 环境质量体系。采用 idm 模式,致力于为客户提供更好的品质和更具成本竞争优势的产品。 作为国家高新技术企业和安徽省省认定企业技术中心,公司核心管理层在半导体材料、芯片和封测领域均具有深厚的产品制程研发设计能力。公司拥有 28 项发明专利和 180 项实用新型专利。在工艺制造方面,拥有低阻抗缓变结扩散技术、领先的 sipos 沉积技术、pg-gpp 芯片工艺、低漏电全系列 tvs 芯片等优势。 公司产品丰富,包含 mosfet、tvs 二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、标准整流二极管等半导体分立器件。具备五年以上给国际汽车制造工厂成功供货经验,产品主要应用于汽车电子、工控电源、5g 通讯、消费类电子、新能源等领域。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MUR160SA 产品实物图片
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正向压降(Vf)1.3V@1A复制
直流反向耐压(Vr)600V复制
整流电流1A复制
描述:-
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MMBT3904M 产品实物图片
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集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)100mW复制
描述:-
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50+0.11077
500+0.0863
1500+0.072705
8000+0.064549
24000+0.0575
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合计5.54
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RB521SM5-40 产品实物图片
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正向压降(Vf)540mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流200mA复制
描述:-
库存:6630复制
最小包 : 8000复制
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50+0.103419
500+0.08056
1500+0.067872
8000+0.060219
24000+0.053673
48000+0.050048
合计5.17
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2SA2029 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
封装:SOT-723复制
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集电极电流(Ic)150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)150mW复制
直流电流增益(hFE)560@1mA,6V复制
描述:-
库存:6511复制
最小包 : 8000复制
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20+0.167867
200+0.129802
600+0.108655
2000+0.095967
8000+0.08489
16000+0.07905
合计3.36
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BAS516 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
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正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)75V复制
整流电流250mA复制
描述:-
库存:5525复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
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50+0.086199
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1500+0.056593
8000+0.050249
24000+0.044711
48000+0.041791
合计4.31
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1N4448D1 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
封装:DFN1006-2L复制
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正向压降(Vf)1V@100mA复制
直流反向耐压(Vr)80V复制
整流电流100mA复制
描述:-
库存:5057复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
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50+0.123055
500+0.095866
1500+0.080761
10000+0.071698
20000+0.063844
50000+0.059614
合计6.15
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BZX584C3V3 产品实物图片
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稳压值(标称值)3.3V复制
反向电流(Ir)5uA复制
稳压值(范围)3.1V~3.5V复制
描述:-
库存:5015复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
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50+0.11077
500+0.0863
1500+0.072705
8000+0.064549
24000+0.0575
48000+0.053673
合计5.54
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1SS400 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
封装:SOD-523复制
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正向压降(Vf)1.2V@100mA复制
直流反向耐压(Vr)80V复制
整流电流100mA复制
描述:-
库存:4292复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
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RoHS
批次:下单后确认
50+0.078747
500+0.061326
1500+0.051659
8000+0.045919
24000+0.040884
48000+0.038165
合计3.94
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MMBT2222AM 产品实物图片
品牌:AM(安美)复制
封装:SOT-723复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)60V复制
耗散功率(Pd)265mW复制
描述:-
库存:4284复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
批次:下单后确认
20+0.180555
200+0.140074
600+0.117517
2000+0.104023
8000+0.092342
16000+0.086099
合计3.61
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RB521D3-30 产品实物图片
品牌:AM(安美)复制
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正向压降(Vf)530mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流100mA复制
描述:-
库存:3400复制
最小包 : 15000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
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20+0.147626
200+0.114999
600+0.096873
2000+0.085998
15000+0.076633
30000+0.071497
合计2.95
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BC846BS 产品实物图片
BC846BS复制
品牌:AM(安美)复制
封装:SOT-363-6L复制
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晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:-
库存:3264复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
批次:下单后确认
20+0.196869
200+0.153366
600+0.129198
3000+0.114697
9000+0.10211
21000+0.095363
合计3.94
2-5 工作日内发货

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BZX584C5V1 产品实物图片
品牌:AM(安美)复制
封装:SOD-523复制
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二极管配置独立式复制
稳压值(标称值)5.1V复制
反向电流(Ir)2uA复制
稳压值(范围)4.8V~5.4V复制
描述:-
库存:3102复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
批次:下单后确认
50+0.11077
500+0.0863
1500+0.072705
8000+0.064549
24000+0.0575
48000+0.053673
合计5.54
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数据17小时前更新

BZX584C18 产品实物图片
BZX584C18复制
品牌:AM(安美)复制
封装:SOD-523复制
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二极管配置独立式复制
稳压值(标称值)18V复制
反向电流(Ir)100nA复制
稳压值(范围)16.8V~19.1V复制
描述:-
库存:2932复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
批次:下单后确认
50+0.11077
500+0.0863
1500+0.072705
8000+0.064549
24000+0.0575
48000+0.053673
合计5.54
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BAT54M5 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
封装:SOD-523复制
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二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
描述:-
库存:2847复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
RoHS
批次:下单后确认
50+0.098485
500+0.076733
1500+0.064649
8000+0.057399
24000+0.051055
48000+0.047732
合计4.92
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SMAJ24CA 产品实物图片
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品牌:AM(安美)复制
封装:DO-214AC(SMA)复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)24V复制
钳位电压38.9V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10.3A复制
描述:-
库存:2737复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
批次:下单后确认
20+0.250441
200+0.190625
600+0.157394
5000+0.137456
10000+0.120135
20000+0.11077
合计5.01
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