类目:
- AC-DC控制器和稳压器
- 理想二极管/ORING控制器
- 场效应管(MOSFET)
- 浪涌保护器
- 栅极驱动芯片
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 电源变压器
- 比较器
- 功率电子开关
- 线性稳压器(LDO)
- DC-DC电源芯片
- 专业电源管理(PMIC)
- 变压器驱动器
- 激光驱动
- 开发板
- RS-485/RS-422芯片
- 缓冲器/驱动器/收发器
封装:
- SOT-23-6
- SOP-8
- SOT-23-6L
- DFN-8(5X6)
- DO-214AB
- SOP-8L
- SMD-8P,12.1X8.3MM
- SOT-23-5
- SOT23-6L
- SOT-23-5L
- DFN-8L(2X3)
- DFN3X3
- MSOP-10
- PDFN-8L(5X6)
- PDFN3333-8L
- SMD-6P,7.1X6.5MM
- SMD-6P,7.1X6.6MM
- SOP-8-EP
- SOT23-6
- TO-263-3L
- TOLL
- CSP-6
- DFN-10(3X3)
- DFN-10L(3X3)
- DFN-6(2X2)
- DFN-6L(2X2)
- DFN-8L(5X6)
- DFN3X3-10L
- EMSOP-8
- ESOP-8
- ESOP8
- MSOP-8
- QFN-24(4X4)
- QFN4X4-24L
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
工作电压:2.25V~5.5V;3.3V~5V复制
功率管耐压:30V复制
功率管耐流:1A复制
功率管导通电阻:300mΩ;350mΩ复制
描述:推挽式隔离电源 推挽式隔离电源,Vcc电压5v ,MOS耐压30V复制库存:5988复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.572
3000+¥0.532
合计¥0.57
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功能特性:反向电流阻断复制
描述:-库存:4948复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥2.63
5000+¥2.53
合计¥2.63
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类型:负载开关复制
通道数:1复制
输入控制逻辑:低电平有效复制
工作电压:3.2V~90V复制
描述:具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器,超低静态功耗EN=0V关断,静态功耗小于2uA,防止电压反接的耐负压90V能力复制库存:4179复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥2.4
3000+¥2.31
合计¥2.4
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驱动配置:低边复制
负载类型:MOSFET复制
驱动通道数:2复制
灌电流(IOL):5A复制
描述:是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端中的每一个都能够提供和吸收 5A 峰值电流,最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚,如果未连接则默认开启。快速的传播延迟时间和快速的上升和下降时间使其非常适合高频应用。此外,该驱动器在 A 和 B 通道之间具有匹配的内部传播延迟,适用于需要严格时序的双栅极驱动器应用,如同步整流器。复制库存:3979复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.419
4000+¥0.391
合计¥0.42
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功能特性:反向电流阻断复制
描述:-库存:2998复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.65
2000+¥1.56
合计¥1.65
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输出极性:正极复制
工作电压:100V复制
输出电压:1.2V~90V复制
输出电流:50mA复制
描述:MX5709T 是一款高耐压线性稳压器,采用热增强型封装,能够承受高达 100V 的连续直流或瞬态输入电压。该器件在输出电容大于 2.2μF 且任何输入电容大于 0.47μF 时保持稳定。由于其小型化封装(PSOP8)和可能较小的输出电容,该器件的实现需要最小的电路板空间。复制库存:2998复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.32
3000+¥0.283
合计¥0.32
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工作电压:2.25V~5.5V复制
功率管耐压:36V复制
功率管耐流:1A复制
功率管导通电阻:300mΩ;350mΩ复制
描述:-库存:2996复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.629
3000+¥0.585
合计¥0.63
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通道数:1复制
工作电压:4V~20V复制
工作电流:70uA复制
工作温度:-40℃~+125℃复制
描述:MX5114E旨在通过内部N沟道MOSFET以强大的灌电流能力驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)。MX5114E提供反相和同相输入,以满足反相和同相输入的要求。MX5114E的输入与TTL/CMOS逻辑兼容,且无论VDD电压如何,都能承受高达18 V的输入电压复制库存:2976复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥1.38
3000+¥1.31
合计¥1.38
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功能特性:反向电流阻断复制
描述:-库存:2926复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥1.85
3000+¥1.76
合计¥1.85
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类型:负载开关复制
输入控制逻辑:高电平有效复制
工作电压:1V~5.5V复制
最大连续电流:2A复制
描述:负载开关,1-5v负载开关, 2A负载开关, 导通电阻100毫欧负载开关复制库存:2859复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.206
3000+¥0.182
合计¥0.21
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描述:-
库存:2851复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥0.401
3000+¥0.375
合计¥0.4
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输入电压(Vin):1V~40V复制
反向耐压:60V复制
FET类型:内置FET复制
正向压降(Vf):40mV复制
描述:-库存:2739复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.76
3000+¥1.67
合计¥1.76
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输入电压(Vin):0V~55V复制
反向耐压:65V复制
FET类型:外置FET复制
栅极驱动电压:6.3V复制
描述:-库存:2724复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.99
3000+¥1.89
合计¥1.99
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FET类型:内置FET复制
通道数:1复制
触发电流:1A~5A复制
工作电压:4.5V~13.8V复制
描述:MX25924系列电子保险丝是采用小型封装的高度集成的电路保护和电源管理解决方案。该器件仅需极少的外部元件,且具备多种保护模式。它们能有效应对过载、短路、电压浪涌、过大浪涌电流和反向电流等问题复制库存:2673复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.923
4000+¥0.875
合计¥0.92
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功能特性:带使能;反向电流阻断复制
描述:O-ring MOSFET控制器 防电流倒灌控制器复制库存:2558复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.37
3000+¥1.3
合计¥1.37
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