华润微电子
公司
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华润微电子 公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下专注于微电子业务的高科技企业,成立于2002年,注册于开曼群岛,主要运营地为江苏无锡。公司整合了多家中国半导体企业,形成了完整的产业链,包括集成电路设计、晶圆制造、封装测试及分立器件等业务。华润微电子致力于成为中国领先的功率半导体和智能传感器产品供应商,利用中国制造的成本优势和技术积累,不断推动企业发展。自2004年起,公司连续被评为中国电子信息百强企业,并于2020年在科创板上市,成为境内红筹第一股。未来,华润微电子将继续围绕核心技术提升和资源优化配置,推动综合一体化产品的发展。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)IGBT管/模块LED驱动线性稳压器(LDO)单片机(MCU/MPU/SOC)仿真器/烧录器三极管(BJT)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
CRSS052N08N 产品实物图片
封装:TO-263
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 174W 85V 120A 1个N沟道 TO-263
库存:243337
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.955
1000+0.88
10000+
量大可议价
合计:0.96
CRSS042N10N 产品实物图片
封装:D2PAK(TO-263)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道 TO-263
库存:124888
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.57
1000+1.45
10000+
量大可议价
合计:1.57
CR4N65A4K 产品实物图片
自营CR4N65A4K
封装:TO-252
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω@10V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 75W 650V 4A 1个N沟道 TO-252-2
库存:4932
批次 : 22+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
8.0
1+0.3624
2500+0.3328
37500+
量大可议价
合计:0.36
已优惠 0.09
CS4N65A3R 产品实物图片
自营CS4N65A3R
封装:TO-251
手册:-
库存:3990
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.645
3000+0.6
45000+
量大可议价
合计:0.65
PT4115BE89E 产品实物图片
封装:SOT-89-5
手册:-
库存:3980
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.416
4000+0.389
60000+
量大可议价
合计:0.42
CRSS038N08N 产品实物图片
封装:TO-263
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.8mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 208W 85V 120A 1个N沟道 TO-263
库存:3069
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
8.0
1+1.688
1000+1.56
10000+
量大可议价
合计:1.69
已优惠 0.42
CRTD030N04L 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.3mΩ@10V,40A
描述:场效应管(MOSFET) 116W 40V 80A 1个N沟道 TO-252-2
库存:3050
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.04
2500+0.98
25000+
量大可议价
合计:1.04
PT4115B89E-B 产品实物图片
封装:SOT-89-5
手册:-
库存:2792
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.438
4000+0.41
40000+
量大可议价
合计:0.44
CS18N20A4R 产品实物图片
封装:TO-220
手册:-
库存:2500
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.992
2500+0.936
37500+
量大可议价
合计:0.99
CRSS028N10N 产品实物图片
封装:TO-263
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET) 100V,180V
库存:2061
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.02
1000+2.88
10000+
量大可议价
合计:3.02
CS3N150AHR 产品实物图片
封装:TO-3PH
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1.5A
描述:场效应管(MOSFET) 32W 1.5kV 3A 1个N沟道 TO-3PH
库存:1408
批次 : 24+
最小包 : 25
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.89
25+3.6
250+
量大可议价
合计:3.89
CRG40T60AK3SD 产品实物图片
封装:TO-247
手册:-
库存:1388
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+4.38
1000+4.2
10000+
量大可议价
合计:4.38
CRTD045N03L 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.1mΩ@10V,30A
描述:场效应管(MOSFET) 101W 30V 80A 1个N沟道 TO-252-2
库存:1192
批次 : 22+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.567
2500+0.525
25000+
量大可议价
合计:0.57
CRG60T60AK3HD 产品实物图片
封装:TO-247-3
手册:-
库存:1024
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+6.29
2500+6.08
25000+
量大可议价
合计:6.29
CRSM038N10N4 产品实物图片
封装:DFN5x6
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 139W 100V 100A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存:1000
批次 : 23+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.61
5000+2.5
50000+
量大可议价
合计:2.61
CRTT032N06N 产品实物图片
封装:未知
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 2.6mΩ 60V 160A TO-220
库存:969
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.67
1000+1.55
10000+
量大可议价
合计:1.67
CRST045N10N 产品实物图片
封装:TO-220
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道 TO-220
库存:854
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.15
1000+1.98
10000+
量大可议价
合计:2.15
CR7N65A4K 产品实物图片
自营CR7N65A4K
封装:TO-252-2
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 108W 650V 7A 1个N沟道 TO-252-2
库存:735
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.756
2500+0.699
25000+
量大可议价
合计:0.76
CRJQ80N65F 产品实物图片
封装:TO-247-3
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) CRJQ80N65F TO-247-3
库存:458
批次 : 23+
最小包 : 300
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.48
300+8.15
6000+
量大可议价
合计:8.48
F601D-G 产品实物图片
自营F601D-G
封装:SOT-23
手册:-
库存:365
批次 : 23+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.198
3000+0.175
30000+
量大可议价
合计:0.2
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