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CRMICRO(华润微) 品牌logo图

CRMICRO(华润微)

华润微电子有限公司是华润集团旗下专注于微电子业务的高科技企业,成立于2002年,注册于开曼群岛,主要运营地为江苏无锡。公司整合了多家中国半导体企业,形成了完整的产业链,包括集成电路设计、晶圆制造、封装测试及分立器件等业务。华润微电子致力于成为中国领先的功率半导体和智能传感器产品供应商,利用中国制造的成本优势和技术积累,不断推动企业发展。自2004年起,公司连续被评为中国电子信息百强企业,并于2020年在科创板上市,成为境内红筹第一股。未来,华润微电子将继续围绕核心技术提升和资源优化配置,推动综合一体化产品的发展。

类目
  • 场效应管(MOSFET)
  • IGBT管/模块
  • LED驱动
  • 智能功率模块(IPM)
  • 音频功率放大器
  • 碳化硅二极管
  • RS-485/RS-422芯片
  • 电池管理
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
  • 线性稳压器(LDO)
  • DC-DC电源芯片
  • 三极管(BJT)
  • 达林顿晶体管阵列
封装
  • TO-220
  • TO-252
  • TO-247
  • TO-263
  • TO-220F
  • SOT-89-5
  • DFN-8(5X6)
  • TO-3PN
  • TO-247-3
  • HTSSOP-28
  • TO-3P
  • DIP-25
  • SOP-23H
  • SOP-8
  • TO-247-2
  • SOT-223
  • SOT-23-6
  • TO-247-3L
  • TO-247-4L
  • TO-252-2
  • DFN-8-EP(5X6)
  • DFN5X6-8
  • DFN8X8
  • SOT-23
  • SOT-23-5
  • TO-220-3L
  • TO-220AB
  • TO-247PLUS
  • TO-3PH
  • LQFP-32L(7X7)
  • PDFN-8
  • PDFN-8(5X6)
  • SOP16
  • SSOP-24L
  • TO-220-3
  • TO-220IS
  • TOLL
  • TOLL-8
  • 螺栓安装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
CRSS052N08N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)85V复制
连续漏极电流(Id)120A复制
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 174W 85V 120A 1个N沟道复制
库存:56066复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.83
50+1.4
1000+1.3
量大可议价
合计1.83
现在下单最快1小时发货
ULN2003CB 产品实物图片
自营ULN2003CB复制
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:SOP16复制
12领取
复制
描述:-
库存:22450复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.623
100+0.415
1250+0.377
2500+0.346
量大可议价
合计0.62
现在下单最快1小时发货
CRST045N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-220复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)115V复制
连续漏极电流(Id)172A复制
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道复制
库存:10519复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+2.68
50+2.06
1000+1.9
量大可议价
合计2.68
现在下单最快1小时发货
CRSS037N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)120A复制
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道复制
库存:9170复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+2.33
1000+2.21
量大可议价
合计2.33
现在下单最快1小时发货
CRG75T75AK5SD 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-247复制
12领取
复制
描述:-
库存:7830复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+9.79
1000+9.45
量大可议价
合计9.79
现在下单最快1小时发货
PT4115B89E-B 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:SOT-89-5复制
类目:LED驱动
12领取
类型DC-DC复制
工作电压(DC)6V~30V复制
开关频率1MHz复制
通道数1复制
描述:其他复制
库存:7731复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.727
200+0.502
2000+0.455
4000+0.426
量大可议价
合计0.73
现在下单最快1小时发货
PT4115BE89E 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:SOT-89-5复制
类目:LED驱动
12领取
类型DC-DC复制
工作电压(DC)6V~40V复制
开关频率1MHz复制
通道数1复制
描述:未分类复制
库存:3310复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:24+
1+0.416
4000+0.389
量大可议价
合计0.42
现在下单最快1小时发货
CRSM011N04N6Q 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:DFN8x8复制
12领取
复制
描述:未分类复制
库存:3122复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+2.71
100+2.17
1000+1.94
2000+1.83
4000+1.74
量大可议价
合计2.71
现在下单最快1小时发货
CR7N65FA9K 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-220F复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)650V复制
连续漏极电流(Id)7A复制
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 36W 650V 7A 1个N沟道复制
库存:2542复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+1.37
100+1.05
1250+0.914
2500+0.862
量大可议价
合计1.37
现在下单最快1小时发货
CS4N65A4R 产品实物图片
自营CS4N65A4R复制
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-252-2复制
12领取
漏源电压(Vdss)650V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V复制
耗散功率(Pd)75W复制
描述:-
库存:2457复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.994
100+0.765
1250+0.649
2500+0.6
量大可议价
合计0.99
现在下单最快1小时发货
CRTD030N04L 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-252复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 116W 40V 80A 1个N沟道复制
库存:2387复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+2.03
100+1.57
1250+1.37
2500+1.3
量大可议价
合计2.03
现在下单最快1小时发货
CRTD030N04L 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-252复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 116W 40V 80A 1个N沟道复制
库存:1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+1.9894
量大可议价
合计1.99
现在下单最快1小时发货
CRSS028N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)180A复制
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:1994复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+4.06
100+3.25
1000+3.12
量大可议价
合计4.06
现在下单最快1小时发货
CRSS028N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)180A复制
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:6复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+3.9788
量大可议价
合计3.98
现在下单最快1小时发货
CRSS038N08N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)85V复制
连续漏极电流(Id)120A复制
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 208W 85V 120A 1个N沟道复制
库存:1840复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+2.76
50+2.11
1000+1.95
量大可议价
合计2.76
现在下单最快1小时发货
CRSS042N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)120A复制
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A复制
库存:1781复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+3.02
100+2.41
1000+2.31
量大可议价
合计3.02
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CRSS042N10N 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)120A复制
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A复制
库存:2复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+2.9596
量大可议价
合计2.96
现在下单最快1小时发货
CRJS99N65G2BF 产品实物图片
品牌:CRMICRO(华润微)复制
封装:TO-263复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)650V复制
连续漏极电流(Id)32A复制
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V复制
描述:-
库存:1660复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+6.43
100+5.45
1000+5.25
量大可议价
合计6.43
现在下单最快1小时发货
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