
CRMICRO(华润微)
类目:
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
- LED驱动
- 智能功率模块(IPM)
- 音频功率放大器
- 碳化硅二极管
- RS-485/RS-422芯片
- 电池管理
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- DC-DC电源芯片
- 三极管(BJT)
- 达林顿晶体管阵列
封装:
- TO-220
- TO-252
- TO-247
- TO-263
- TO-220F
- SOT-89-5
- DFN-8(5X6)
- TO-3PN
- TO-247-3
- HTSSOP-28
- TO-3P
- DIP-25
- SOP-23H
- SOP-8
- TO-247-2
- SOT-223
- SOT-23-6
- TO-247-3L
- TO-247-4L
- TO-252-2
- DFN-8-EP(5X6)
- DFN5X6-8
- DFN8X8
- SOT-23
- SOT-23-5
- TO-220-3L
- TO-220AB
- TO-247PLUS
- TO-3PH
- LQFP-32L(7X7)
- PDFN-8
- PDFN-8(5X6)
- SOP16
- SSOP-24L
- TO-220-3
- TO-220IS
- TOLL
- TOLL-8
- 螺栓安装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):85V复制
连续漏极电流(Id):120A复制
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 174W 85V 120A 1个N沟道复制库存:56066复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.83
50+¥1.4
1000+¥1.3
合计¥1.83
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¥12领取
描述:-
库存:22450复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥0.623
100+¥0.415
1250+¥0.377
2500+¥0.346
合计¥0.62
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):115V复制
连续漏极电流(Id):172A复制
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道复制库存:10519复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥2.68
50+¥2.06
1000+¥1.9
合计¥2.68
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):120A复制
导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道复制库存:9170复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥2.33
1000+¥2.21
合计¥2.33
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¥12领取
描述:-
库存:7830复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥9.79
1000+¥9.45
合计¥9.79
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¥12领取
类型:DC-DC复制
工作电压(DC):6V~30V复制
开关频率:1MHz复制
通道数:1复制
描述:其他复制库存:7731复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.727
200+¥0.502
2000+¥0.455
4000+¥0.426
合计¥0.73
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¥12领取
类型:DC-DC复制
工作电压(DC):6V~40V复制
开关频率:1MHz复制
通道数:1复制
描述:未分类复制库存:3310复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:24+
1+¥0.416
4000+¥0.389
合计¥0.42
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¥12领取
描述:未分类复制
库存:3122复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥2.71
100+¥2.17
1000+¥1.94
2000+¥1.83
4000+¥1.74
合计¥2.71
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):650V复制
连续漏极电流(Id):7A复制
导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 36W 650V 7A 1个N沟道复制库存:2542复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥1.37
100+¥1.05
1250+¥0.914
2500+¥0.862
合计¥1.37
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漏源电压(Vdss):650V复制
连续漏极电流(Id):4A复制
导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V复制
耗散功率(Pd):75W复制
描述:-库存:2457复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥0.994
100+¥0.765
1250+¥0.649
2500+¥0.6
合计¥0.99
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):80A复制
导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 116W 40V 80A 1个N沟道复制库存:2387复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥2.03
100+¥1.57
1250+¥1.37
2500+¥1.3
合计¥2.03
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):80A复制
导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 116W 40V 80A 1个N沟道复制库存:1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥1.9894
合计¥1.99
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):180A复制
导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制库存:1994复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥4.06
100+¥3.25
1000+¥3.12
合计¥4.06
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):180A复制
导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制库存:6复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥3.9788
合计¥3.98
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):85V复制
连续漏极电流(Id):120A复制
导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 208W 85V 120A 1个N沟道复制库存:1840复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥2.76
50+¥2.11
1000+¥1.95
合计¥2.76
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):120A复制
导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A复制库存:1781复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥3.02
100+¥2.41
1000+¥2.31
合计¥3.02
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):120A复制
导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A复制库存:2复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥2.9596
合计¥2.96
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):650V复制
连续漏极电流(Id):32A复制
导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V复制
描述:-库存:1660复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥6.43
100+¥5.45
1000+¥5.25
合计¥6.43
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