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漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：49mΩ@2.5V复制
耗散功率(Pd)：1.4W复制
描述：场效应管(MOSFET)复制
库存：150复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.3A，4.5V复制
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：830pF @ 10V复制
漏源电压（Vdss）：12V复制
安装类型：表面贴装型复制
描述：表面贴装型-P-通道-12V-4.3A（Ta）-Micro3™-SOT-23复制
库存：43复制
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起订量 : 1复制
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