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深圳市杰盛微半导体有限公司

深圳市杰盛微半导体有限公司成立于2017年,是一家专注于半导体元器件研发、生产和销售的高科技企业。公司总部位于深圳,致力于为全球客户提供高品质、高效率和高可靠性的半导体产品。杰盛微拥有一支由国家特聘专家和留学归国博士组成的研发团队,掌握多项国内领先的关键核心技术。公司产品涵盖霍尔磁性传感器SOC芯片、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETs、二极管、三极管及可控硅等,产品种类超过50种封装形式和10000多种型号。杰盛微已通过ISO9001:2008质量管理体系认证,产品符合SGS报告标准及RoHS指令。我们的目标是超越客户期望,为汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等市场领域提供高可靠性功率模拟IC芯片。公司秉承“客户第一”的理念,致力于推动中国芯片产业的发展。

分类 :
全部三极管(BJT)线性稳压器(LDO)电机驱动芯片二极管肖特基二极管通信接口芯片开关二极管场效应管(MOSFET)稳压二极管瞬态抑制二极管(TVS)电池管理运算放大器比较器逻辑器件RS232芯片RS-485/RS-422芯片电压基准芯片反相器
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
SS8050 产品实物图片
自营SS8050
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)25V
功率(Pd)1W
描述:三极管(BJT) 1W 25V 1.5A NPN TO-92-3
库存:76990
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.026
3000+0.0206
30000+
量大可议价
合计:0.03
1N4148WS 产品实物图片
自营1N4148WS
封装:SOD-323
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流300mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 300mA SOD-323
库存:47779
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0194
3000+0.0155
30000+
量大可议价
合计:0.02
74HC595D 产品实物图片
自营74HC595D
封装:SOP-16
手册:-
功能串行至串行或并行
电源电压2V~6V
元件数1
每个元件位数8
描述:LED显示驱动
库存:36061
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.184
2500+0.162
37500+
量大可议价
合计:0.18
B5819W 产品实物图片
自营B5819W
封装:SOD-123
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)900mV@3A
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A
描述:肖特基二极管 独立式 900mV@3A 40V 1A SOD-123
库存:28035
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0365
3000+0.029
30000+
量大可议价
合计:0.04
S8050 产品实物图片
自营S8050
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)25V
功率(Pd)625mW
描述:三极管(BJT) 300mW 25V 150MHz 500mA SOT-23
库存:27915
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0158
3000+0.0127
30000+
量大可议价
合计:0.02
JSM2301S 产品实物图片
自营JSM2301S
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@2.5V,1A
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.3A 1个P沟道 SOT-23
库存:22995
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0312
3000+0.0247
30000+
量大可议价
合计:0.03
1N4148W 产品实物图片
自营1N4148W
封装:SOD-123
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流300mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 300mA SOD-123
库存:22730
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0208
3000+0.0165
30000+
量大可议价
合计:0.02
B5819WS 产品实物图片
自营B5819WS
封装:SOD-323
手册:-
正向压降(Vf)600mV@1A
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A
反向电流(Ir)1mA@40V
描述:肖特基二极管 600mV@1A 40V 1A SOD-323
库存:22141
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0353
3000+0.028
30000+
量大可议价
合计:0.04
MMBT2222A 产品实物图片
自营MMBT2222A
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)350mA
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN SOT-23
库存:21071
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0286
3000+0.0227
30000+
量大可议价
合计:0.03
AO3400 产品实物图片
自营AO3400
封装:SOT-23
手册:-
功率(Pd)350mW
反向传输电容(Crss@Vds)77pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@4.5V,5A
库存:19902
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.077
3000+0.0611
45000+
量大可议价
合计:0.08
BSS138 产品实物图片
自营BSS138
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@4.5V,0.22A
描述:场效应管(MOSFET)
库存:19845
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0379
3000+0.0299
30000+
量大可议价
合计:0.04
LM358 产品实物图片
自营LM358
封装:SOP-8
手册:-
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)5mV
描述:运算放大器 90dB 5mV 双路 1MHz SOP-8
库存:18726
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.116
4000+0.092
40000+
量大可议价
合计:0.12
BAT54S 产品实物图片
自营BAT54S
封装:SOT-23
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
描述:肖特基二极管 1对串联式 800mV@100mA 30V 200mA SOT-23
库存:18557
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0306
3000+0.0243
45000+
量大可议价
合计:0.03
AMS1117-3.3V 产品实物图片
封装:SOT-223
手册:-
工作电压18V
输出电压3.3V
输出电流800mA
特性热保护(TSD)
描述:线性稳压器(LDO) 18V 800mA 3.3V SOT-223
库存:13837
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.122
2500+0.095
25000+
量大可议价
合计:0.12
BAV99 产品实物图片
自营BAV99
封装:SOT-23
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)75V
整流电流215mA
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 75V 215mA SOT-23
库存:9870
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.024
3000+0.019
45000+
量大可议价
合计:0.02
1N4001W-JSM 产品实物图片
封装:SOD-123
手册:-
二极管配置独立式
反向电流(Ir)5uA@50V
商品分类通用二极管
整流电流1A
描述:通用二极管 独立式 1.1V@1A 50V 1A SOD-123
库存:9000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0151
3000+0.012
45000+
量大可议价
合计:0.02
TP4056 产品实物图片
自营TP4056
封装:ESOP-8
手册:-
充电饱和电压4.2V
商品分类电池管理
工作温度-40℃~+85℃
最大充电电流1A
库存:7668
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.123
4000+0.109
60000+
量大可议价
合计:0.12
1N5819W 产品实物图片
自营1N5819W
封装:SOD-123
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)600mV@200mA
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流350mA
描述:肖特基二极管 独立式 600mV@200mA 40V 350mA SOD-123
库存:6823
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0272
3000+0.0216
30000+
量大可议价
合计:0.03
2N7002 产品实物图片
自营2N7002
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7Ω@5V,50mA
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-23
库存:6722
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.034
3000+0.027
30000+
量大可议价
合计:0.03
BC807 产品实物图片
自营BC807
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)300mW
描述:中高压、中等电流环境下的高效放大应用,是精密电子设备与电路设计的理想选择。
库存:6000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.047
3000+0.0373
45000+
量大可议价
合计:0.05
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