深圳铨力半导体有限公司 品牌logo图

深圳铨力半导体有限公司

深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家专注于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术企业。公司总部位于中国深圳,并在韩国和广州设有分公司。铨力的研发团队由来自台湾、美国硅谷及国内顶尖技术精英组成,致力于为客户提供高性能的半导体产品。公司年产超400KK的中低压MOSFET和AC-DC电源管理芯片等产品,广泛应用于电脑、网络通信、消费电子、手机及电池等领域。铨力始终坚持以客户需求为导向,通过持续的研发创新,提供绿色、节能、高效的功率半导体解决方案,力求为客户的成功提供强有力的支持。凭借强大的研发能力和高效的服务团队,铨力已成为多个行业的重要合作伙伴,产品远销国内外。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(52)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
AP4946S 产品实物图片
自营AP4946S
封装:SOP-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8
库存:105458
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
9.0
1+0.2844
4000+0.252
40000+
量大可议价
合计:0.28
已优惠 0.04
AP4580 产品实物图片
自营AP4580
封装:SOT-23-8L
手册:-
类型2个N沟道+2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)146mΩ@4.5V,1.8A
描述:场效应管(MOSFET) 全桥 2个N沟道+2个P沟道 SOT-23-8L
库存:27299
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.247
3000+0.219
30000+
量大可议价
合计:1.24
AP2301B 产品实物图片
自营AP2301B
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@2.5V,1A
描述:场效应管(MOSFET) 750mW 20V 2A 1个P沟道 SOT-23
库存:27000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.0479
3000+0.038
30000+
量大可议价
合计:0.96
APG077N01G 产品实物图片
封装:PDFN-8(5.1x5.8)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@4.5V,40A
描述:场效应管(MOSFET) 105W 100V 90A 1个N沟道 PDFN-8(5.1x5.8)
库存:14700
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.01
5000+0.961
50000+
量大可议价
合计:1.01
AP4407C 产品实物图片
自营AP4407C
封装:SOP-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@4.5V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 12A 1个P沟道 SOP-8
库存:14455
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.337
4000+0.298
40000+
量大可议价
合计:0.34
APG068N04G 产品实物图片
封装:PDFN5x6-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
描述:场效应管(MOSFET) 5.7mΩ@20V,50A 40V 50A 1个N沟道 PDFN5x6-8L
库存:13975
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.518
5000+0.47
50000+
量大可议价
合计:2.59
AP4435C 产品实物图片
自营AP4435C
封装:SOP-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 10A 1个P沟道 SOP-8
库存:13896
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.271
4000+0.24
40000+
量大可议价
合计:1.36
AP5N10S 产品实物图片
自营AP5N10S
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 5W 100V 5A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:12692
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.158
3000+0.14
30000+
量大可议价
合计:1.58
AP2301 产品实物图片
自营AP2301
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存:11998
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.0819
3000+0.065
30000+
量大可议价
合计:1.64
AP20P30Q 产品实物图片
自营AP20P30Q
封装:DFN(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@4.5V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 40W 30V 20A 1个P沟道 DFN-8(3x3.3)
库存:11939
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.495
5000+0.45
50000+
量大可议价
合计:0.5
AP40N100K 产品实物图片
自营AP40N100K
封装:TO-252-3L
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 40W 100V 40A 1个N沟道 TO-252
库存:10113
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.49
2500+0.45
25000+
量大可议价
合计:0.49
AP2302B 产品实物图片
自营AP2302B
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@2.5V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.8A 1个N沟道 SOT-23
库存:10032
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.0453
3000+0.036
30000+
量大可议价
合计:0.91
AP3910GD 产品实物图片
自营AP3910GD
封装:FN-8-EP
手册:-
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
描述:场效应管(MOSFET) 35W 30V 36A 1个N沟道+1个P沟道 DFN-8-EP(5x6)
库存:10010
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.571
5000+0.53
30000+
量大可议价
合计:0.57
AP1606 产品实物图片
自营AP1606
封装:DFN(1x0.6)
手册:-
功率(Pd)550mW
反向传输电容(Crss@Vds)6.5pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@4.5V,0.5A
描述:场效应管(MOSFET) 550mW 20V 700mA 1个N沟道 DFN-3L(0.6x1)
库存:10010
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.0655
10000+0.0538
60000+
量大可议价
合计:1.31
AP6683 产品实物图片
自营AP6683
封装:DFN-4-EP(1x1)
手册:-
库存:10010
批次 : 25+
最小包 : 10000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.165
10000+0.15
60000+
量大可议价
合计:0.83
APG035N04Q 产品实物图片
封装:PDFN-8L(3x3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
功率(Pd)51.6W
描述:场效应管(MOSFET) 2.8mΩ@20V,70A 40V 70A 1个N沟道 PDFN-8L(3x3)
库存:9998
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.672
5000+0.624
30000+
量大可议价
合计:3.36
AP3908QD 产品实物图片
自营AP3908QD
封装:PDFN3x3
手册:-
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@4.5V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 21W 30V 20A 1个N沟道+1个P沟道 DFN-8-EP(3.2x3.1)
库存:9925
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.36
5000+0.34
50000+
量大可议价
合计:0.36
APG250N01Q 产品实物图片
封装:PDFN3x3-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)25A
功率(Pd)45W
描述:场效应管(MOSFET) 20mΩ@20V,25A 100V 25A 1个N沟道 PDFN3x3-8L
库存:9909
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.518
5000+0.47
50000+
量大可议价
合计:2.59
AP90P03Q 产品实物图片
自营AP90P03Q
封装:PDFN3x3-8L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 48W 30V 60A 1个P沟道 PDFN-8(3x3.2)
库存:9703
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.56
5000+0.52
50000+
量大可议价
合计:0.56
AP90P03G 产品实物图片
自营AP90P03G
封装:PDFN5x6-8L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 79W 30V 90A 1个P沟道 PDFN-8L(5x6)
库存:9285
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.679
5000+0.631
50000+
量大可议价
合计:0.68
查看更多(还有 696 条型号未显示)