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深圳铨力半导体有限公司

深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家专注于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术企业。公司总部位于中国深圳,并在韩国和广州设有分公司。铨力的研发团队由来自台湾、美国硅谷及国内顶尖技术精英组成,致力于为客户提供高性能的半导体产品。公司年产超400KK的中低压MOSFET和AC-DC电源管理芯片等产品,广泛应用于电脑、网络通信、消费电子、手机及电池等领域。铨力始终坚持以客户需求为导向,通过持续的研发创新,提供绿色、节能、高效的功率半导体解决方案,力求为客户的成功提供强有力的支持。凭借强大的研发能力和高效的服务团队,铨力已成为多个行业的重要合作伙伴,产品远销国内外。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(52)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
AP4946S 产品实物图片
自营AP4946S
封装:SOP-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8
库存:105458
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
9.0
1+0.5076
200+0.3276
2000+0.2844
40000+
量大可议价
合计:0.51
已优惠 0.05现在下单1小时内发货
AP4580 产品实物图片
自营AP4580
封装:SOT-23-8L
手册:-
类型2个N沟道+2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)146mΩ@4.5V,1.8A
描述:场效应管(MOSFET) 全桥 2个N沟道+2个P沟道 SOT-23-8L
库存:30299
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.459
200+0.296
1500+0.258
3000+0.227
30000+
量大可议价
合计:2.3
现在下单1小时内发货
AP4435C 产品实物图片
自营AP4435C
封装:SOP-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 10A 1个P沟道 SOP-8
库存:16096
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.484
200+0.312
2000+0.271
40000+
量大可议价
合计:2.42
现在下单1小时内发货
APG077N01G 产品实物图片
封装:PDFN-8(5.1x5.8)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@4.5V,40A
描述:场效应管(MOSFET) 105W 100V 90A 1个N沟道 PDFN-8(5.1x5.8)
库存:15010
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.5
100+1.2
1250+1.07
2500+1.01
50000+
量大可议价
合计:1.5
现在下单1小时内发货
AP20P30Q 产品实物图片
自营AP20P30Q
封装:DFN(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@4.5V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 40W 30V 20A 1个P沟道 DFN-8(3x3.3)
库存:11939
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.01
100+0.671
1250+0.559
2500+0.495
50000+
量大可议价
合计:1.01
现在下单1小时内发货
AP2301 产品实物图片
自营AP2301
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存:11138
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.393
200+0.131
1500+0.0819
3000+0.065
30000+
量大可议价
合计:7.86
现在下单1小时内发货
AP90P03G 产品实物图片
自营AP90P03G
封装:PDFN5x6-8L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 79W 30V 90A 1个P沟道 PDFN-8L(5x6)
库存:10285
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.16
100+0.896
1250+0.747
2500+0.679
50000+
量大可议价
合计:1.16
现在下单1小时内发货
AP3910GD 产品实物图片
自营AP3910GD
封装:FN-8-EP
手册:-
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
描述:场效应管(MOSFET) 35W 30V 36A 1个N沟道+1个P沟道 DFN-8-EP(5x6)
库存:10010
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.98
100+0.754
1250+0.628
2500+0.571
30000+
量大可议价
合计:0.98
现在下单1小时内发货
APG035N04Q 产品实物图片
封装:PDFN-8L(3x3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
功率(Pd)51.6W
描述:场效应管(MOSFET) 2.8mΩ@20V,70A 40V 70A 1个N沟道 PDFN-8L(3x3)
库存:9998
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+1.15
100+0.887
1250+0.739
2500+0.672
30000+
量大可议价
合计:5.75
现在下单1小时内发货
AP2317QD 产品实物图片
自营AP2317QD
封装:PDFN-8L(3.3x3.3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 15W 20V 12A 2个P沟道 PDFN-8L(3.3x3.3)
库存:9946
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.612
500+0.437
2500+0.398
30000+
量大可议价
合计:0.61
现在下单1小时内发货
AP15P03Q 产品实物图片
自营AP15P03Q
封装:DFN(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,9A
描述:场效应管(MOSFET) 900mW 30V 12A 1个P沟道 PDFN-8(3x3.2)
库存:9234
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.531
500+0.354
2500+0.308
5000+0.28
50000+
量大可议价
合计:0.53
现在下单1小时内发货
APG068N04G 产品实物图片
封装:PDFN5x6-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
描述:场效应管(MOSFET) 5.7mΩ@20V,50A 40V 50A 1个N沟道 PDFN5x6-8L
库存:9003
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+1.05
100+0.701
1250+0.584
2500+0.518
50000+
量大可议价
合计:5.25
现在下单1小时内发货
AP2335 产品实物图片
自营AP2335
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 2W 20V 7A 1个P沟道 SOT-23
库存:8998
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.234
200+0.15
1500+0.131
3000+0.116
30000+
量大可议价
合计:1.17
现在下单1小时内发货
AP30P30Q 产品实物图片
自营AP30P30Q
封装:DFN(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,15A
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 30A 1个P沟道 PDFN3333-8
库存:8987
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.962
100+0.642
1250+0.534
2500+0.473
50000+
量大可议价
合计:0.96
现在下单1小时内发货
AP25P06K 产品实物图片
自营AP25P06K
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 60W 60V 25A 1个P沟道 TO-252-2
库存:8982
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.863
100+0.575
1250+0.523
2500+0.48
25000+
量大可议价
合计:0.86
现在下单1小时内发货
AP6800 产品实物图片
自营AP6800
封装:SOT-23-6
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,5.8A
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 5.8A 2个N沟道 SOT-23-6
库存:8915
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.358
200+0.232
1500+0.201
30000+
量大可议价
合计:1.79
现在下单1小时内发货
AP4008QD 产品实物图片
自营AP4008QD
封装:PDFN3x3
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 21W 40V 20A 2个N沟道 DFN-8(3.2x3.2)
库存:8749
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.522
500+0.373
2500+0.339
5000+0.32
50000+
量大可议价
合计:0.52
现在下单1小时内发货
AP4407C 产品实物图片
自营AP4407C
封装:SOP-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@4.5V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 12A 1个P沟道 SOP-8
库存:8480
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.521
200+0.359
2000+0.327
4000+0.305
40000+
量大可议价
合计:0.52
现在下单1小时内发货
AP25P06Q 产品实物图片
自营AP25P06Q
封装:PDFN-8(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
功率(Pd)35W
描述:场效应管(MOSFET) 50mΩ@20V,25A 60V 25A 1个P沟道 PDFN-8(3x3)
库存:8425
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 5
增量 : 1
1+1.05
100+0.701
1250+0.584
2500+0.518
50000+
量大可议价
合计:5.25
现在下单1小时内发货
AP90N03Q 产品实物图片
自营AP90N03Q
封装:PDFN3x3-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@4.5V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 46W 30V 90A 1个N沟道 DFN-8(3.3x3.3)
库存:8092
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.588
500+0.419
2500+0.382
50000+
量大可议价
合计:0.59
现在下单1小时内发货
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