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深圳铨力半导体有限公司

深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家专注于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术企业。公司总部位于中国深圳，并在韩国和广州设有分公司。铨力的研发团队由来自台湾、美国硅谷及国内顶尖技术精英组成，致力于为客户提供高性能的半导体产品。公司年产超400KK的中低压MOSFET和AC-DC电源管理芯片等产品，广泛应用于电脑、网络通信、消费电子、手机及电池等领域。铨力始终坚持以客户需求为导向，通过持续的研发创新，提供绿色、节能、高效的功率半导体解决方案，力求为客户的成功提供强有力的支持。凭借强大的研发能力和高效的服务团队，铨力已成为多个行业的重要合作伙伴，产品远销国内外。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营AP4946S

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOP-8

手册：-

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8

库存：93048

批次 : 24+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

9.0折

1+￥0.2844

4000+￥0.252

40000+

量大可议价

合计：￥0.28

已优惠 0.04 元

自营AP4580

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23-8L

手册：-

类型：2个N沟道+2个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：146mΩ@4.5V,1.8A

描述：场效应管(MOSFET) 全桥 2个N沟道+2个P沟道 SOT-23-8L

库存：27184

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.244

3000+￥0.217

45000+

量大可议价

合计：￥0.24

自营AP2302B

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：2.8A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@2.5V,2A

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.8A 1个N沟道 SOT-23

库存：17125

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.0453

3000+￥0.036

30000+

量大可议价

合计：￥0.05

自营AP4407C

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：12A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@4.5V,5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 12A 1个P沟道 SOP-8

库存：14445

批次 : 2年内

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.337

4000+￥0.298

40000+

量大可议价

合计：￥0.34

自营APG068N04G

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN5x6-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：50A

阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA

描述：场效应管(MOSFET) 5.7mΩ@20V,50A 40V 50A 1个N沟道 PDFN5x6-8L

库存：13823

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.518

5000+￥0.47

50000+

量大可议价

合计：￥0.52

自营AP60P20Q

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN3x3-8L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：60A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 80W 20V 60A 1个P沟道 DFN-8(3.3x3.3)

库存：13677

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.424

5000+￥0.4

50000+

量大可议价

合计：￥0.42

自营APG077N01G

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN-8(5.1x5.8)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：60A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@4.5V,40A

描述：场效应管(MOSFET) 105W 100V 90A 1个N沟道 PDFN-8(5.1x5.8)

库存：13582

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1

5000+￥0.949

30000+

量大可议价

合计：￥1

自营AP4606C

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：5.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V,3A

描述：场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 SOP-8

库存：12997

批次 : 25+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.221

4000+￥0.195

60000+

量大可议价

合计：￥0.22

自营AP5N10S

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@10V,3A

描述：场效应管(MOSFET) 5W 100V 5A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：12627

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.158

3000+￥0.14

30000+

量大可议价

合计：￥0.16

自营AP2335

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2W 20V 7A 1个P沟道 SOT-23

库存：11911

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.131

3000+￥0.116

30000+

量大可议价

合计：￥0.13

自营AP2301

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,3A

描述：场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23

库存：11816

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.0819

3000+￥0.065

30000+

量大可议价

合计：￥0.08

自营AP20P30Q

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：DFN(3x3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：20A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 40W 30V 20A 1个P沟道 DFN-8(3x3.3)

库存：11439

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.424

5000+￥0.4

50000+

量大可议价

合计：￥0.42

自营AP40P05

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 5A 1个P沟道 SOT-23

库存：11140

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.118

3000+￥0.104

30000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营AP1606

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：DFN(1x0.6)

手册：-

功率(Pd)：550mW

反向传输电容(Crss@Vds)：6.5pF@10V

商品分类：场效应管(MOSFET)

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,0.5A

描述：场效应管(MOSFET) 550mW 20V 700mA 1个N沟道 DFN-3L(0.6x1)

库存：10010

批次 : 24+

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.0646

10000+￥0.053

100000+

量大可议价

合计：￥0.06

自营AP2317QD

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN-8L(3.3x3.3)

手册：-

描述：场效应管(MOSFET) 15W 20V 12A 2个P沟道 PDFN-8L(3.3x3.3)

库存：10010

批次 : 24+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.398

5000+￥0.375

30000+

量大可议价

合计：￥0.4

自营AP3908GD

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN(5x6)

手册：-

功率(Pd)：32W

反向传输电容(Crss@Vds)：278pF@15V

商品分类：场效应管(MOSFET)

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：34mΩ@4.5V,25A

描述：场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 DFN-8(5x6)

库存：9999

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.454

5000+￥0.412

30000+

量大可议价

合计：￥0.45

自营APG035N04Q

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：PDFN-8L(3x3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：100A

功率(Pd)：51.6W

描述：场效应管(MOSFET) 2.8mΩ@20V,70A 40V 70A 1个N沟道 PDFN-8L(3x3)

库存：9998

批次 : 24+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.657

5000+￥0.609

30000+

量大可议价

合计：￥0.66

自营AP3910GD

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：FN-8-EP

手册：-

类型：1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：36A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,30A

描述：场效应管(MOSFET) 35W 30V 36A 1个N沟道+1个P沟道 DFN-8-EP(5x6)

库存：9990

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.565

5000+￥0.524

30000+

量大可议价

合计：￥0.56

自营AP6683

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：DFN-4-EP(1x1)

手册：-

库存：9971

批次 : 25+

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.165

10000+￥0.15

60000+

量大可议价

合计：￥0.17

自营AP4435C

品牌：ALLPOWER(铨力)

封装：SOP-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：10A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 3.7W 30V 10A 1个P沟道 SOP-8

库存：9846

批次 : 24+

最小包 : 4000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.271

4000+￥0.24

40000+

量大可议价

合计：￥0.27

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