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华朔半导体有限公司

华朔半导体有限公司是一家专注于半导体器件研发与销售的高新技术企业。公司致力于推动半导体行业的创新与发展,凭借强大的自主研发能力,华朔已成为高压和中压半导体器件领域的领先者。公司以客户需求为导向,不断推出符合市场趋势的新产品,力求在技术、质量和服务上为客户提供最佳解决方案。华朔半导体的产品广泛应用于多个领域,包括计算机、消费电子、通讯电源及新能源等,旨在为客户创造更高的价值和更好的使用体验。通过持续的技术创新和优化,华朔将不断提升市场竞争力,努力成为全球半导体行业的重要参与者。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
AO3401A 产品实物图片
自营AO3401A
封装:SOT-23
手册:-
功率(Pd)1W
反向传输电容(Crss@Vds)58pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)54mΩ@4.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 4.2A 1个P沟道 SOT-23
库存:7000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.141
3000+0.125
30000+
量大可议价
合计:0.14
HSBA6066 产品实物图片
自营HSBA6066
封装:DFN-8(5.1x5.7)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 75W 60V 78A 1个N沟道 DFN-8(5.1x5.7)
库存:5475
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.21
3000+1.14
18000+
量大可议价
合计:1.21
HSU4103 产品实物图片
自营HSU4103
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,8A
描述:场效应管(MOSFET) 35W 40V 27A 1个P沟道 TO-252-2
库存:4945
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.747
2500+0.692
25000+
量大可议价
合计:0.75
HSS1N20 产品实物图片
自营HSS1N20
封装:SOT-23L
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 710mW 200V 1A 1个N沟道 SOT-23L
库存:4241
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.396
3000+0.37
45000+
量大可议价
合计:0.4
HSK4101 产品实物图片
自营HSK4101
封装:SOT-89
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 40V 5.8A 1个P沟道 SOT-89
库存:2694
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.579
1000+0.533
20000+
量大可议价
合计:0.58
HSM4313 产品实物图片
自营HSM4313
封装:SOP-8
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 6.5A 2个P沟道 SOP-8
库存:2490
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.853
2500+0.79
25000+
量大可议价
合计:0.85
HSH80P10 产品实物图片
自营HSH80P10
封装:TO-263
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 210W 100V 80A 1个P沟道 TO-263
库存:1300
批次 : 25+
最小包 : 800
起订量 : 1
增量 : 1
1+4.09
800+3.92
8000+
量大可议价
合计:4.09
HSBB6115 产品实物图片
自营HSBB6115
封装:PRPAK3x3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 5.2W 60V 26A 1个P沟道 DFN-8(3x3)
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.68
3000+2.57
18000+
量大可议价
合计:2.68
HSS0127 产品实物图片
自营HSS0127
封装:SOT-23L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)650mΩ@10V,800mA
描述:场效应管(MOSFET) 1W 100V 900mA 1个P沟道 SOT-23L
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.577
3000+0.537
45000+
量大可议价
合计:0.58
HSBB0012 产品实物图片
自营HSBB0012
封装:PRPAK(3x3)
手册:-
功率(Pd)21W
反向传输电容(Crss@Vds)3.7pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 21W 100V 20A 1个N沟道 PRPAK(3x3)
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.523
3000+0.489
45000+
量大可议价
合计:0.52
HSM3214 产品实物图片
自营HSM3214
封装:SOP-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,8A
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 10A 2个N沟道 SOP-8
库存:0
批次 : -
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.42
4000+1.36
24000+
量大可议价
合计:1.42
HSS2307A 产品实物图片
自营HSS2307A
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@4.5V,1.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.2A 1个P沟道 SOT-23-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.297
3000+0.263
45000+
量大可议价
合计:0.3
HSS4P06 产品实物图片
自营HSS4P06
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@4.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 60V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.883
3000+0.836
18000+
量大可议价
合计:0.88
HSCA2030 产品实物图片
自营HSCA2030
封装:DFN(3x3)
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.8mΩ@4.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 31W 20V 56A 2个N沟道 DFN-8-EP(3x3)
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.84
3000+1.75
18000+
量大可议价
合计:1.84
HSBB6056 产品实物图片
封装:PRPAK(3x3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 27.8W 60V 30A 1个N沟道 PRPAK(3x3)
库存:9000
批次 : 24+
最小包 : 1
起订量 : 341
增量 : 1
1+2.920251
10+2.191168
50+1.756708
100+1.46608
500+1.23354
3000+1.12167
6000+1.05303
合计:995.81
2-5 工作日内发货
HSS2N15 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 150V 1.8A 1个N沟道 SOT-23
库存:8351
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 730
增量 : 5
5+1.43811
50+1.02726
150+0.84456
500+0.6854
3000+0.56816
6000+0.537526
合计:1049.82
2-5 工作日内发货
AO3400A 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
功率(Pd)1W
反向传输电容(Crss@Vds)61pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)27mΩ@4.5V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 5.2A 1个N沟道 SOT-23
库存:6891
批次 : 24+
最小包 : 1
起订量 : 3683
增量 : 1
1+0.377119
10+0.274309
50+0.208772
100+0.1674
500+0.150654
1000+0.135774
合计:1388.93
2-5 工作日内发货
HSU60P02 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 70W 20V 60A 1个P沟道 TO-252-2
库存:5342
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 365
增量 : 5
5+2.31333
50+1.65256
150+1.35864
500+1.10262
2500+0.893474
5000+0.844396
合计:844.37
2-5 工作日内发货
HSBB6115 产品实物图片
封装:PRPAK3x3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 5.2W 60V 26A 1个P沟道 DFN-8(3x3)
库存:5255
批次 : 24+
最小包 : 1
起订量 : 289
增量 : 1
1+3.772382
10+2.466002
50+1.930928
100+1.728832
500+1.36774
1000+1.29129
合计:1090.22
2-5 工作日内发货
HSUL8712 产品实物图片
封装:UDFN-4-EP(1x1)
手册:-
库存:5125
批次 : 下单后确认
最小包 : 10000
起订量 : 815
增量 : 5
5+1.021815
50+0.80145
150+0.69444
500+0.611225
2500+0.485374
5000+0.472018
合计:832.78
2-5 工作日内发货

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