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信安半导体

深圳市信安半导体有限公司成立于2010年,专注于高压和中低压大电流系列功率器件的研发与生产。公司总部位于中国深圳,其工厂设立在韩国浦项市,汇聚了来自三星半导体和仙童半导体的顶尖研发人才。信安半导体致力于提供高效、可靠的功率管理解决方案,产品涵盖MOSFET、IGBT等多种类型,广泛应用于储能、通信、电焊及光伏等领域。凭借稳定的产品质量和强大的技术支持,信安半导体逐渐成为国内外市场的重要参与者,能够有效替代知名品牌如IR、ON、ST等。公司始终关注能效提升与技术创新,以满足日益增长的市场需求。

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
TSD16N25M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 250mΩ 250V 16A 1个N沟道 TO-252-2
库存:1507
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 394
增量 : 1
1+2.805025
10+1.96456
30+1.59564
100+1.26891
500+1.062756
1000+1.037316
合计:1105.18
2-5 工作日内发货
TSD5N60M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 48W 600V 5A 1个N沟道 TO-252
库存:884
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 555
增量 : 5
5+1.96562
50+1.38177
150+1.12488
500+0.898035
2500+0.729492
5000+0.685184
合计:1090.92
2-5 工作日内发货
TSD5N65M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 58W 650V 5A 1个N沟道 TO-252
库存:701
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 640
增量 : 5
5+1.03646
50+0.90753
150+0.8244
500+0.77717
合计:663.33
2-5 工作日内发货

数据更新

TSA28N50M 产品实物图片
封装:TO-3P
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 290W 500V 28A 1个N沟道 TO-3P-3
库存:568
批次 : 下单后确认
最小包 : 30
起订量 : 60
增量 : 1
1+14.4275
10+10.686
30+8.268
90+6.1586
450+5.6498
900+5.4272
合计:865.65
2-5 工作日内发货

数据更新

TSF10N60M 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 52W 600V 10A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:436
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 226
增量 : 1
1+4.93
10+3.497
50+2.76
100+2.208
500+1.855
1000+1.749
合计:1114.18
2-5 工作日内发货

数据更新

TSA40N20M 产品实物图片
封装:TO-3P
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 65mΩ 200V 40A 1个N沟道 TO-3P
库存:393
批次 : 下单后确认
最小包 : 30
起订量 : 124
增量 : 1
1+6.525
10+5.265
30+4.56
90+4.0365
合计:809.1
2-5 工作日内发货
TSF20N60MR 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 40W 600V 20A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:357
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 127
增量 : 1
1+8.5405
10+6.201
50+4.776
100+3.933
500+3.2754
1000+3.0952
合计:1084.64
2-5 工作日内发货
TSP630M 产品实物图片
封装:TO-220
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 200V 9A 1个N沟道 TO-220
库存:310
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 310
增量 : 5
5+2.30463
50+1.55701
150+1.26876
500+1.014415
2000+0.852346
5000+0.802738
合计:714.44
2-5 工作日内发货
TSF12N90M 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
库存:242
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 72
增量 : 1
1+11.339
10+8.463
50+6.948
100+5.727
合计:816.41
2-5 工作日内发货
TSF840MD 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 500V 8A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:242
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 240
增量 : 5
5+3.57976
50+2.27552
150+1.85424
500+1.366552
2000+1.245712
5000+1.173208
合计:859.14
2-5 工作日内发货
TSP50N25M 产品实物图片
封装:TO-220
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 78mΩ 250V 50A 1个N沟道 TO-220
库存:242
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 108
增量 : 1
1+9.5555
10+7.111
50+5.652
100+4.623
合计:1031.99
2-5 工作日内发货
TSF20N50MR 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 300mΩ 500V 20A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:206
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 139
增量 : 1
1+7.5255
10+5.46
50+4.332
100+3.588
500+2.9892
1000+2.8302
合计:1046.04
2-5 工作日内发货

数据更新

TSP32N20M 产品实物图片
封装:TO-220
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 86mΩ 200V 32A 1个N沟道 TO-220
库存:171
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 171
增量 : 1
1+6.0175
10+4.342
50+3.528
100+2.921
合计:1028.99
2-5 工作日内发货
TSF14N30M 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ
漏源电压(Vdss)300V
类型1个N沟道
描述:场效应管(MOSFET) 290mΩ 300V 14A 1个N沟道 TO-220F
库存:170
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 170
增量 : 1
1+4.118
10+2.899
50+2.364
100+1.8975
合计:700.06
2-5 工作日内发货
TSF65R550 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
库存:161
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 161
增量 : 1
1+4.843
10+3.497
50+2.844
100+2.346
合计:779.72
2-5 工作日内发货
TSF65R300 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
库存:153
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 153
增量 : 1
1+6.496
10+4.693
50+3.804
100+3.151
合计:993.89
2-5 工作日内发货
TSF4N90M 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 40W 900V 4A 1个N沟道 TO-220FP-3
库存:151
批次 : 下单后确认
最小包 : 50
起订量 : 151
增量 : 1
1+4.1035
10+2.873
50+2.232
100+1.7595
500+1.4734
1000+1.378
合计:619.63
2-5 工作日内发货
TSD6N50M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.3Ω 500V 6A 1个N沟道 TO-252
库存:140
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 140
增量 : 5
5+1.179285
50+1.03259
150+0.93792
合计:165.1
2-5 工作日内发货

数据更新

TSU5N60M 产品实物图片
封装:TO-251
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 48W 600V 5A 1个N沟道 TO-251
库存:127
批次 : 下单后确认
最小包 : 80
起订量 : 125
增量 : 5
5+2.091335
50+1.47225
160+1.19976
480+0.959215
2480+0.806024
4000+0.759066
合计:261.42
2-5 工作日内发货
TSA50N25M 产品实物图片
封装:TO-3P
手册:-
库存:127
批次 : 下单后确认
最小包 : 30
起订量 : 70
增量 : 1
1+11.7015
10+8.736
30+7.176
90+5.911
合计:819.11
2-5 工作日内发货

数据更新

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