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无锡紫光微

无锡紫光微电子有限公司是紫光国微旗下的重要子公司,专注于功率半导体器件的研发与销售。公司致力于为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案,主要产品涵盖超结MOSFET、IGBT、IGTO等多种先进功率器件。无锡紫光微凭借其强大的技术积累和研发能力,积极参与到5G通信、汽车电子、工业自动化等多个领域的应用中。随着全球对高效能和低能耗电子产品需求的增加,公司不断创新,推动产品的升级与优化,以满足市场日益增长的需求。无锡紫光微电子在行业内享有良好的声誉,并致力于成为中国领先的功率半导体供应商,为推动国家半导体产业的发展贡献力量。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)
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TPW65R044MFD 产品实物图片
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封装:TO-247-3
手册:-
描述:Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction MOSFET)是种新型功率器件,无锡紫光微电子限公司在国内率先推出成熟的Multi-EPI超结功率MOSFET平台,量产600V/650V /700V /800V等系列产品,已广泛应用于消费、通信、工控、新能源等领域。同时,紧跟主流技术发展趋势,不断优化和升级产品设计,为客户打造更具性能优势的高可靠性产品。
库存:0
批次 : -
最小包 : 30
起订量 : 1
增量 : 1
1+43.84
30+42.57
600+
量大可议价
合计:43.84
TTD18P10AT 产品实物图片
15领取
封装:TO-252
手册:-
描述:Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
库存:0
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.06
2500+0.997
37500+
量大可议价
合计:1.06
TTX2301A 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
库存:1632
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 1630
增量 : 10
10+0.376275
100+0.26871
300+0.21636
合计:613.33
2-5 工作日内发货

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TPD50R3K8D 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:370
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 370
增量 : 1
1+0.96367
10+0.84487
30+0.76824
100+0.725075
合计:356.56
2-5 工作日内发货

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TPD65R600M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:240
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 240
增量 : 1
1+3.40605
10+2.47806
30+2.02176
100+1.68291
500+1.413828
1000+1.34514
合计:817.45
2-5 工作日内发货

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TTD18P10AT 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
库存:63
批次 : 2021/09/13
最小包 : 2500
起订量 : 63
增量 : 1
1+1.4308
合计:90.14
2-3 工作日内发货

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TTX2302A 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
描述:Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
库存:20
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.243236
合计:4.86
2-3 工作日内发货

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TPA60R150C 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infineon、Fairchild 、 ST 等为此器件的领军企业。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商,目前在开发的产品包括500V/600V/650V/700V/800V/900V 等系列。
库存:10
批次 : -
最小包 : 50
起订量 : 10
增量 : 1
1+10.15868
合计:101.59
2-3 工作日内发货

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TTB145N06A 产品实物图片
封装:TO-263
手册:-
描述:Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
库存:10
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.061912
合计:30.62
2-3 工作日内发货

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TPA65R380D 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infineon、Fairchild 、 ST 等为此器件的领军企业。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商,目前在开发的产品包括500V/600V/650V/700V/800V/900V 等系列。
库存:10
批次 : -
最小包 : 50
起订量 : 10
增量 : 1
1+4.034856
合计:40.35
2-3 工作日内发货

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TPW80R300MFD 产品实物图片
封装:TO-247
手册:-
描述:Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction MOSFET)是种新型功率器件,无锡紫光微电子限公司在国内率先推出成熟的Multi-EPI超结功率MOSFET平台,量产600V/650V /700V /800V等系列产品,已广泛应用于消费、通信、工控、新能源等领域。同时,紧跟主流技术发展趋势,不断优化和升级产品设计,为客户打造更具性能优势的高可靠性产品。
库存:10
批次 : -
最小包 : 30
起订量 : 10
增量 : 1
1+19.81658
合计:198.17
2-3 工作日内发货

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TPD65R380D 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infineon、Fairchild 、 ST 等为此器件的领军企业。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商,目前在开发的产品包括500V/600V/650V/700V/800V/900V 等系列。
库存:10
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.677156
合计:36.77
2-3 工作日内发货
TPA65R600C 产品实物图片
封装:TO-220F
手册:-
描述:超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infineon、Fairchild 、 ST 等为此器件的领军企业。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商,目前在开发的产品包括500V/600V/650V/700V/800V/900V 等系列。
库存:10
批次 : -
最小包 : 50
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.920392
合计:39.2
2-3 工作日内发货

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TPD65R600C 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:1956
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+2.0766
10+1.8785
30+1.7761
100+1.6804
500+1.4413
1000+1.4072
合计:20.77
2-5 工作日内发货

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TTD18P10AT 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
库存:1845
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 50
增量 : 5
5+2.0557
50+1.6267
150+1.4427
500+1.2132
合计:102.78
2-5 工作日内发货
TPD65R940C 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:1516
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 50
增量 : 5
5+1.7226
50+1.5147
150+1.4256
500+1.3167
合计:86.13
2-5 工作日内发货

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TPD65R380D 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
描述:超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infineon、Fairchild 、 ST 等为此器件的领军企业。无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商,目前在开发的产品包括500V/600V/650V/700V/800V/900V 等系列。
库存:1080
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.5838
10+2.871
30+2.5146
100+2.1681
500+1.8513
1000+1.7424
合计:35.84
2-5 工作日内发货

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TPD65R950M 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:846
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+2.3067
10+2.0295
30+1.9107
100+1.7622
500+1.6929
合计:23.07
2-5 工作日内发货

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TPD80R900M 产品实物图片
封装:TO-252-2
手册:-
库存:810
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+4.851
10+3.9105
30+3.4452
100+2.9799
500+2.7027
合计:48.51
2-5 工作日内发货

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TPD65R380C 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
库存:676
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.6432
10+3.2571
30+3.0591
100+2.8611
500+2.7522
合计:36.43
2-5 工作日内发货

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