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类目:
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • TO-252
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
TPD65R600C 产品实物图片
品牌:无锡紫光微复制
封装:TO-252复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):650V复制
连续漏极电流(Id):7A复制
导通电阻(RDS(on)):560mΩ@10V复制
描述:特性:极低的品质因数 RDS(on) × Qg。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用:开关电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)复制
库存:1307复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+¥0.665574
10+¥0.594872
30+¥0.558302
100+¥0.52417
500+¥0.502228
1000+¥0.490038
合计¥0.67
2-5 工作日内发货

数据2小时前更新

TPD65R600C 产品实物图片
品牌:无锡紫光微复制
封装:TO-252复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):650V复制
连续漏极电流(Id):7A复制
导通电阻(RDS(on)):560mΩ@10V复制
描述:特性:极低的品质因数 RDS(on) × Qg。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用:开关电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)复制
库存:1384复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:下单后确认
1+¥0.6216
10+¥0.5556
30+¥0.5214
100+¥0.4896
500+¥0.4691
1000+¥0.4577
合计¥0.62
2-5 工作日内发货

数据2小时前更新