400-1688-345

首页
品牌专区

Alpha and Omega Semiconductor Limited

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品，涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）和电源集成电路（IC）等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用，包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术，优化产品性能与成本，致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务，包括美国、中国、香港和韩国，现有员工超过2300人。自2010年起，AOS在纳斯达克交易所上市，股票代码为AOSL。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)DC-DC电源芯片瞬态抑制二极管(TVS)IGBT管/模块功率电子开关TVS - 二极管套件产品智能功率模块

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营AO3401A

品牌：AOS

封装：SOT23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：44mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23

库存：489590

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.232

3000+￥0.205

45000+

量大可议价

合计：￥0.23

自营AO3400A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：5.7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26.5mΩ@10V,5.7A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：369930

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.293

3000+￥0.259

45000+

量大可议价

合计：￥0.29

自营AO3480C

品牌：AOS

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：6.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23

库存：127298

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.218

3000+￥0.193

45000+

量大可议价

合计：￥0.22

自营AO3407A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：118467

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.322

3000+￥0.285

45000+

量大可议价

合计：￥0.32

自营AO4407C

品牌：AOS

封装：SO-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：14A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道 SOP-8

库存：108582

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.466

3000+￥0.435

45000+

量大可议价

合计：￥0.47

自营AO3402

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@10V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23

库存：89668

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.298

3000+￥0.264

45000+

量大可议价

合计：￥0.3

自营AO4485

品牌：AOS

封装：SOIC-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：10A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A

描述：场效应管(MOSFET) 1.7W 40V 10A 1个P沟道 SOIC-8

库存：64457

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.929

3000+￥0.88

18000+

量大可议价

合计：￥0.93

自营AOZ8231ADI-12

品牌：AOS

封装：DFN-2(1x0.6)

手册：-

反向截止电压(Vrwm)：12V

最大钳位电压：26V

峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us

击穿电压：13V

描述：TVS二极管

库存：57487

批次 : 22+

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

8.0折

1+￥0.0832

10000+￥0.068

100000+

量大可议价

合计：￥0.08

已优惠 0.02 元

自营AOTS21115C

品牌：AOS

封装：TSOP6

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@6.6A,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6

库存：52746

批次 : 5年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

8.0折

1+￥0.244

3000+￥0.216

30000+

量大可议价

合计：￥0.24

已优惠 0.07 元

自营AOD4185

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：40A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,15A

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W；62.5W 40V 40A 1个P沟道 TO-252(DPAK)

库存：50541

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

9.5折

1+￥1.102

2500+￥1.045

37500+

量大可议价

合计：￥1.1

已优惠 0.06 元

自营AO3414

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@1.8V,2.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 3A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：45102

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.299

3000+￥0.266

45000+

量大可议价

合计：￥0.3

自营AON7544

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：30A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道 DFN-8(3x3)

库存：43013

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.443

5000+￥0.403

30000+

量大可议价

合计：￥0.44

自营AO3415A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@1.8V,2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道 SOT-23

库存：35743

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.325

3000+￥0.288

45000+

量大可议价

合计：￥0.33

自营AO3416

品牌：AOS

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：34827

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.342

3000+￥0.32

45000+

量大可议价

合计：￥0.34

自营AOD2610E

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：46A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.3mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道 TO-252-2

库存：34676

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.2

2500+￥1.13

37500+

量大可议价

合计：￥1.2

自营AONR21357

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：34A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.3mΩ@4.5V,16A

描述：场效应管(MOSFET) 5W；30W 30V 21A；34A 1个P沟道 DFN-8(3x3)

库存：30702

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.992

5000+￥0.94

30000+

量大可议价

合计：￥0.99

自营AO4468

品牌：AOS

封装：SOIC-8

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：10.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,10.5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10.5A 1个N沟道 SOP-8

库存：30475

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.471

3000+￥0.44

45000+

量大可议价

合计：￥0.47

自营AO4262E

品牌：AOS

封装：SO-8

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：16.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,16.5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 60V 16.5A 1个N沟道 SOIC-8

库存：30063

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.24

3000+￥1.18

18000+

量大可议价

合计：￥1.24

自营AOD2146

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）

库存：27005

批次 : 21+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

8.0折

1+￥1

2500+￥0.96

25000+

量大可议价

合计：￥1

已优惠 0.25 元

自营AOZ1282CI

品牌：AOS

封装：SOT-23-6

手册：-

功能类型：降压型

输出类型：可调

输入电压：4.5V~36V

输出电流：1.2A

描述：DC-DC电源芯片可调 4.5V~36V 800mV~36V 降压型 SOT-23-6

库存：26154

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.45

3000+￥1.38

18000+

量大可议价

合计：￥1.45

查看更多（还有 5679 条型号未显示）