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杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年,是一家位于中国杭州高新技术产业开发区的高新技术企业,专注于集成电路芯片设计及半导体微电子产品的生产。公司自成立以来,经历了快速发展,现已成为国内领先的综合型半导体设计与制造企业之一。士兰微电子在集成电路行业内率先实现了设计与制造一体化(IDM)模式,具备8英寸、12英寸及化合物半导体生产线。公司致力于绿色电源、MEMS传感器、LED照明、高压智能功率模块等领域的技术研发,拥有强大的研发团队和多个国家级科研项目。士兰微电子的产品广泛应用于消费电子、工业自动化、新能源汽车等多个领域,并在国内外市场上享有良好的声誉,致力于成为国际一流的半导体产品供应商。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(13)AC-DC控制器和稳压器(4)加速度传感器(1)栅极驱动IC(1)电机驱动芯片(1)智能功率模块(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
SC7A20HTR 产品实物图片
自营SC7A20HTR
封装:LGA-12(2x2)
手册:-
库存:32733
批次 : 2年内
最小包 : 12000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.94
12000+0.899
120000+
量大可议价
合计:0.94
SD4938TR 产品实物图片
自营SD4938TR
封装:SOP-8
手册:-
库存:8000
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.419
4000+0.391
60000+
量大可议价
合计:0.42
SDH8302STR 产品实物图片
封装:SOP-8
手册:-
描述:AC-DC控制器和稳压器 SDH8302STR SOP-8
库存:7654
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.755
4000+0.699
40000+
量大可议价
合计:0.76
SDH8322STR 产品实物图片
封装:SOP-8
手册:-
描述:AC-DC控制器和稳压器 SDH8322STR SOP-8
库存:4156
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.808
4000+0.75
40000+
量大可议价
合计:0.81
SDM05M50DBS 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
库存:3000
批次 : 25+
最小包 : 500
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.81
500+10.5
5000+
量大可议价
合计:10.81
SVF4N65DTR 产品实物图片
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.7Ω@10V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 77W 650V 4A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:2491
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.626
2500+0.58
25000+
量大可议价
合计:0.63
SDH8303 产品实物图片
自营SDH8303
封装:DIP-8
手册:-
描述:AC-DC控制器和稳压器 SDH8303 DIP-8
库存:1994
批次 : 25+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.759
2000+0.699
40000+
量大可议价
合计:0.76
SVF5N60F 产品实物图片
自营SVF5N60F
封装:TO-220F(TO-220IS)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.15Ω@10V,2.5A
描述:场效应管(MOSFET) 40W 600V 5A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:1321
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.858
1000+0.79
10000+
量大可议价
合计:0.86
SVF12N65F 产品实物图片
自营SVF12N65F
封装:TO-220F 塑封
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)680mΩ@10V,6A
描述:场效应管(MOSFET) 51W 650V 12A 1个N沟道 TO-220F
库存:625
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.42
1000+1.32
10000+
量大可议价
合计:1.42
SGT40N60FD2PN 产品实物图片
封装:TO-3P-3
手册:-
描述:IGBT管/模块 SGT40N60FD2PN TO-3P-3
库存:585
批次 : 25+
最小包 : 600
起订量 : 1
增量 : 1
1+4.05
600+3.86
12000+
量大可议价
合计:4.05
SVF7N65F 产品实物图片
自营SVF7N65F
封装:TO-220F-3
手册:-
描述:MOS场效应管 SVF7N65F TO-220F N沟道,650V,7A,1.1Ω@10V
库存:500
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.08
1000+1
10000+
量大可议价
合计:1.08
SGT50T65FD1PN 产品实物图片
封装:TO-3P-3
手册:-
描述:IGBT管/模块 SGT50T65FD1PN TO-3P-3
库存:305
批次 : 2年内
最小包 : 600
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.97
600+3.8
6000+
量大可议价
合计:3.97
SC7A20TR 产品实物图片
自营SC7A20TR
封装:LGA-12
手册:-
描述:SC7A20H可替代
库存:5
批次 : 25+
最小包 : 12000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.16
5000+1.1
120000+
量大可议价
合计:1.16
SVF10N65F 产品实物图片
自营SVF10N65F
封装:TO-220F 塑封
手册:-
描述:MOS场效应管 SVF10N65F TO-220F N沟道,650V,10A,0.8Ω@10V
库存:0
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.55
1000+2.44
15000+
量大可议价
合计:2.55
SVF7N60F 产品实物图片
自营SVF7N60F
封装:TO-220F-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,3.5A
描述:场效应管(MOSFET) 45W 600V 7A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 50
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.38
50+1.06
1000+
量大可议价
合计:1.38
SD4871 产品实物图片
自营SD4871
封装:SOT23-6
手册:-
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.411
3000+0.384
45000+
量大可议价
合计:0.41
SVF4N60F 产品实物图片
自营SVF4N60F
封装:TO-220F 塑封
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 33W 600V 4A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.725
1000+0.669
20000+
量大可议价
合计:0.73
SVF8N60F 产品实物图片
自营SVF8N60F
封装:TO-220F 塑封
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,4A
描述:场效应管(MOSFET) 48W 600V 8A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.53
1000+1.41
20000+
量大可议价
合计:1.53
SVF4N65CAF 产品实物图片
封装:TO-220F 塑封
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3Ω@10V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 30W 650V 4A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.723
1000+0.667
20000+
量大可议价
合计:0.72
SVF10N60F 产品实物图片
自营SVF10N60F
封装:TO-220F 塑封
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 50W 600V 10A 1个N沟道 TO-220F-3
库存:0
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.56
1000+1.45
20000+
量大可议价
合计:1.56
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