深圳市合科泰电子有限公司
深圳市合科泰电子有限公司
分类 :
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
复制
二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：600mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)：40V复制
整流电流：1A复制
描述：肖特基二极管 600mV@1A 40V 1A复制
库存：150656复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+￥0.04323
3000+￥0.03432
量大可议价
合计￥0.04
现在下单1小时内发货
复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.8A复制
导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 350mW 30V 5.8A 1个N沟道复制
库存：94095复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.08151
3000+￥0.06468
量大可议价
合计￥0.08
现在下单1小时内发货
复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：1.5A复制
集射极击穿电压(Vceo)：25V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A NPN复制
库存：93511复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.04851
3000+￥0.0385
量大可议价
合计￥0.05
现在下单1小时内发货
复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.2A复制
导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 350mW 30V 4.2A 1个P沟道复制
库存：73997复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.10835
3000+￥0.08602
量大可议价
合计￥0.11
现在下单1小时内发货
复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN复制
库存：56703复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.03047
3000+￥0.0242
量大可议价
合计￥0.03
现在下单1小时内发货
复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：3A复制
导通电阻(RDS(on))：115mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 2.3A 1个P沟道复制
库存：50062复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.07106
3000+￥0.05643
量大可议价
合计￥0.07
现在下单1小时内发货
复制
二极管配置：独立式复制
正向压降(Vf)：1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
整流电流：150mA复制
描述：开关二极管 独立式 1.25V@150mA 75V 150mA复制
库存：43970复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.02288
3000+￥0.01815
量大可议价
合计￥0.02
现在下单1小时内发货
复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：3A复制
导通电阻(RDS(on))：110mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 400mW 20V 2.1A 1个N沟道复制
库存：42991复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+￥0.07348
3000+￥0.0583
量大可议价
合计￥0.07
现在下单1小时内发货
复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：340mA复制
导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 225mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存：38183复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.03652
3000+￥0.02904
量大可议价
合计￥0.04
现在下单1小时内发货
复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：25V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 300mW 25V 500mA NPN复制
库存：36730复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.03212
3000+￥0.02541
量大可议价
合计￥0.03
现在下单1小时内发货
复制
描述：SOD-123 PD:350mW VR:100V IFSM:2A IR:1μA复制
库存：36640复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.02772
3000+￥0.022
量大可议价
合计￥0.03
现在下单1小时内发货
复制
正向压降(Vf)：800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)：30V复制
整流电流：200mA复制
反向电流(Ir)：200mA复制
描述：肖特基二极管 800mV@100mA 30V 200mA复制
库存：29666复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.03949
3000+￥0.03135
量大可议价
合计￥0.04
现在下单1小时内发货
复制
二极管配置：独立式复制
正向压降(Vf)：1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
整流电流：150mA复制
描述：开关二极管 独立式 1V@10mA 75V 150mA复制
库存：27253复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.02882
2500+￥0.02255
量大可议价
合计￥0.03
现在下单1小时内发货
复制
输出类型：可调复制
输出电压：2.5V~36V复制
输出电流：100mA复制
精度：±1%复制
描述：电压基准芯片 可调 100mA 1mA 2.5V~36V复制
库存：26769复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+￥0.10142
3000+￥0.08052
量大可议价
合计￥0.1
现在下单1小时内发货
复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：160V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 300mW 160V 600mA NPN复制
库存：24908复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.03817
3000+￥0.03025
量大可议价
合计￥0.04
现在下单1小时内发货
还有285条型号未显示
加载更多