
Hottech(合科泰)
类目:
- 肖特基二极管
- 稳压二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
- 开关二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 快恢复/高效率二极管
- 整流桥
- 通用二极管
- 线性稳压器(LDO)
- 电压基准芯片
- 运算放大器
- 电池管理
封装:
- 0805
- 0603
- SOT-23
- 0402
- 1206
- 1210
- SOD-123
- SOD-323
- SMB
- 2010
- SOT-89
- 2512
- TO-252
- SMA
- SMA(DO-214AC)
- DO-214AC(SMA)
- SOT-323
- SMAF
- SOD-123FL
- LL-34(SOD-80)
- LL-34
- SOP-8
- DO-214AC
- MBF
- 1812
- SOT-363
- MBS
- PDFN3333-8
- ABS
- PDFN5X6-8
- SOT-89-3
- DBS
- DO-214AD
- PDFN3333
- PDFN5X6
- SOD-523
- SOD-523(SC-79)
- SOT-23-6
- TO-92
- DO-214AB
- PDFN(5X6)
- PDFN-8L(3X3)
- SMB(DO-214AA)
- SO-8
- SOT-223
- SOT-23(SOT-23-3)
- TO-252-2(DPAK)
- TSSOP-8
- 无
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥15领取
二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):600mV@1A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 600mV@1A 40V 1A复制库存:202591复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.05148
3000+¥0.04081
合计¥0.05
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):5.8A复制
导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 30V 5.8A 1个N沟道复制库存:172485复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.109625
3000+¥0.087
合计¥0.11
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN复制库存:109786复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.03192
3000+¥0.025305
合计¥0.03
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.2A复制
导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 30V 4.2A 1个P沟道复制库存:104108复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.1265
3000+¥0.10021
合计¥0.13
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二极管配置:独立式复制
耗散功率(Pd):500mW复制
整流电流:150mA复制
直流反向耐压(Vr):75V复制
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 75V 150mA复制库存:103772复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.03256
2500+¥0.02541
合计¥0.03
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3A复制
导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 2.3A 1个P沟道复制库存:70366复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.09163
3000+¥0.07271
合计¥0.09
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):900mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 900mV@3A 40V 1mA@40V 1A复制库存:58935复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.04719
3000+¥0.03751
合计¥0.05
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):1.5A复制
集射极击穿电压(Vceo):25V复制
耗散功率(Pd):250mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A NPN复制库存:45166复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.04719
3000+¥0.03751
合计¥0.05
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):600mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:350mA复制
描述:肖特基二极管 600mV@200mA 40V 350mA复制库存:29526复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.03212
3000+¥0.02541
合计¥0.03
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3A复制
导通电阻(RDS(on)):110mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 400mW 20V 2.1A 1个N沟道复制库存:27371复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.08525
3000+¥0.06765
合计¥0.09
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输出类型:可调复制
输出电压:2.5V~36V复制
输出电流:150mA复制
精度:±1%复制
描述:电压基准芯片 可调 100mA 1mA 2.5V~36V复制库存:23284复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1155
3000+¥0.09141
合计¥0.12
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3.8A复制
导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 60mΩ@2.5V,4A 20V 5A 1个N沟道复制库存:22322复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.08888
3000+¥0.07051
合计¥0.09
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描述:SOD-123 PD:350mW VR:100V IFSM:2A IR:1μA复制
库存:21333复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.02793
3000+¥0.022155
合计¥0.03
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.1A复制
导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 30V 4.1A 1个P沟道复制库存:20691复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.1353
3000+¥0.10791
合计¥0.14
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):160V复制
耗散功率(Pd):300mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 160V 600mA NPN复制库存:20189复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.04719
3000+¥0.03751
合计¥0.05
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