微硕(WINSOK)半导体 品牌logo图

微硕(WINSOK)半导体

微硕(WINSOK)半导体是一家专注于功率半导体元件及数模集成电路(IC)设计的公司。成立以来,微硕致力于通过持续的技术创新和市场需求分析,提供高性能、可靠的半导体产品。公司拥有一支经验丰富的研发团队,专注于提升产品的设计质量与性能。微硕的产品涵盖了广泛的应用领域,包括汽车电子、消费电子和工业控制等。通过不断优化生产工艺和技术积累,微硕在行业内树立了良好的声誉,成为国内外客户信赖的合作伙伴。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(17)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
WSD30L90DN56 产品实物图片
封装:PDFN-8(5.2x6.2)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 40W 30V 90A 1个P沟道 PDFN-8(5.2x6.2)
库存:9295
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.93
100+1.55
1250+1.38
2500+1.3
50000+
量大可议价
合计:1.93
现在下单1小时内发货
WST2339 产品实物图片
自营WST2339
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@4.5V,4A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 7.1A 1个P沟道 SOT-23
库存:8905
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.651
200+0.449
1500+0.408
3000+0.381
30000+
量大可议价
合计:3.26
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WSD3066DN33 产品实物图片
封装:DFN-8(3.3x3.3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.7mΩ@10V,35A
描述:场效应管(MOSFET) 45W 30V 50A 1个N沟道 DFN-8(3.3x3.3)
库存:7976
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.25
100+0.967
1250+0.806
2500+0.733
50000+
量大可议价
合计:1.25
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WSP6956 产品实物图片
自营WSP6956
封装:SO-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 3.5W 60V 10A 2个N沟道 SO-8
库存:7468
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.7
100+1.36
750+1.21
1500+1.14
3000+1.08
30000+
量大可议价
合计:1.7
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WSD6040DN56 产品实物图片
封装:DFN-8-EP(6.1x5.2)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 37.8W 60V 36A 1个N沟道 DFN-8-EP(6.1x5.2)
库存:6700
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.3
100+1.04
1250+0.928
2500+0.876
50000+
量大可议价
合计:1.3
现在下单1小时内发货
WST3400 产品实物图片
自营WST3400
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 7A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:6327
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.407
200+0.262
1500+0.228
3000+0.202
30000+
量大可议价
合计:4.07
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WSP4984 产品实物图片
自营WSP4984
封装:SOP-8_150mil
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,6.6A
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 10A 2个N沟道 SOP-8
库存:5958
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.3
100+1.04
750+0.928
1500+0.876
3000+0.831
30000+
量大可议价
合计:1.3
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WST4041 产品实物图片
自营WST4041
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 40V 6A 1个P沟道 SOT-23
库存:5696
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.789
200+0.544
1500+0.494
30000+
量大可议价
合计:0.79
现在下单1小时内发货
WSD90P06DN56 产品实物图片
封装:DFN5X6-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,30A
描述:场效应管(MOSFET) 96W 60V 90A 1个P沟道 PDFN-8(4.9x5.8)
库存:5381
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+5.51
100+4.6
1250+4.26
2500+4.06
50000+
量大可议价
合计:5.51
现在下单1小时内发货
WSD30160DN56 产品实物图片
封装:DFN5x6-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9mΩ@10V,120A
描述:场效应管(MOSFET) 62.5W 30V 120A 1个N沟道 DFN-8(4.9x5.8)
库存:5040
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.31
100+1.85
1250+1.65
2500+1.56
5000+1.48
50000+
量大可议价
合计:2.31
现在下单1小时内发货
WSD75100DN56 产品实物图片
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.3mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 155W 75V 100A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存:5000
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+4.53
100+3.77
1250+3.49
2500+3.33
5000+3.2
50000+
量大可议价
合计:4.53
现在下单1小时内发货
WSD30L40DN33 产品实物图片
封装:DFN-8(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,20A
库存:4344
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.37
100+1.06
1250+0.879
2500+0.799
50000+
量大可议价
合计:1.37
现在下单1小时内发货
WST4040 产品实物图片
自营WST4040
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 40V 5.8A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:3675
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.633
200+0.436
1500+0.397
30000+
量大可议价
合计:3.17
现在下单1小时内发货
WST4045 产品实物图片
自营WST4045
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)73mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:3120
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.605
200+0.39
1500+0.339
3000+0.299
30000+
量大可议价
合计:3.03
现在下单1小时内发货
WSF45P10 产品实物图片
自营WSF45P10
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)46A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 136W 100V 46A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:3000
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.83
100+2.17
1250+1.89
25000+
量大可议价
合计:2.83
现在下单1小时内发货
WST3401 产品实物图片
自营WST3401
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)52mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 5.5A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:2775
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.415
200+0.268
1500+0.233
3000+0.206
30000+
量大可议价
合计:4.15
现在下单1小时内发货
WSE3099 产品实物图片
自营WSE3099
封装:SOT-89-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 5A 1个P沟道 SOT-89-3
库存:2739
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.756
50+0.581
10000+
量大可议价
合计:0.76
现在下单1小时内发货
WSD40L60DN56 产品实物图片
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,15A
描述:场效应管(MOSFET) 50W 40V 60A 1个P沟道 DFN-8(5x6)
库存:360
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.03
100+1.63
1250+1.45
2500+1.37
5000+1.3
50000+
量大可议价
合计:2.03
现在下单1小时内发货
WSD4070DN33 产品实物图片
封装:PDFN3333-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)68A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,7A
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 68A 1个N沟道 PDFN3333-8
库存:26
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.54
100+1.22
1250+1.09
2500+1.03
50000+
量大可议价
合计:1.54
现在下单1小时内发货
WSP4882 产品实物图片
自营WSP4882
封装:SOP-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@10V,8A
描述:场效应管(MOSFET) 2W 30V 8A 2个N沟道 SOP-8
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.945
200+0.727
1500+0.632
3000+0.588
45000+
量大可议价
合计:0.95
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