微硕(WINSOK)半导体 品牌logo图

微硕(WINSOK)半导体

微硕(WINSOK)半导体是一家专注于功率半导体元件及数模集成电路(IC)设计的公司。成立以来,微硕致力于通过持续的技术创新和市场需求分析,提供高性能、可靠的半导体产品。公司拥有一支经验丰富的研发团队,专注于提升产品的设计质量与性能。微硕的产品涵盖了广泛的应用领域,包括汽车电子、消费电子和工业控制等。通过不断优化生产工艺和技术积累,微硕在行业内树立了良好的声誉,成为国内外客户信赖的合作伙伴。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
WSD3066DN33 产品实物图片
封装:DFN-8(3.3x3.3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.7mΩ@10V,35A
描述:场效应管(MOSFET) 45W 30V 50A 1个N沟道 DFN-8(3.3x3.3)
库存:12879
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.733
5000+0.68
50000+
量大可议价
合计:0.73
WSD4070DN33 产品实物图片
封装:PDFN3333-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)68A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,7A
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 68A 1个N沟道 PDFN3333-8
库存:9473
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.03
5000+0.979
50000+
量大可议价
合计:1.03
WST4041 产品实物图片
自营WST4041
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 40V 6A 1个P沟道 SOT-23
库存:9123
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.494
3000+0.462
30000+
量大可议价
合计:0.49
WST3400 产品实物图片
自营WST3400
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 7A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:7569
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.224
3000+0.198
45000+
量大可议价
合计:0.22
WST3401 产品实物图片
自营WST3401
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)52mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 5.5A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:7463
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.221
3000+0.195
30000+
量大可议价
合计:0.22
WSD6040DN56 产品实物图片
封装:DFN-8-EP(6.1x5.2)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 37.8W 60V 36A 1个N沟道 DFN-8-EP(6.1x5.2)
库存:6645
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.854
5000+0.793
30000+
量大可议价
合计:0.85
WSD90P06DN56 产品实物图片
封装:DFN5X6-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,30A
描述:场效应管(MOSFET) 96W 60V 90A 1个P沟道 PDFN-8(4.9x5.8)
库存:6575
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.86
5000+3.72
30000+
量大可议价
合计:3.86
WSE3099 产品实物图片
自营WSE3099
封装:SOT-89-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 5A 1个P沟道 SOT-89-3
库存:6418
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.581
1000+0.536
10000+
量大可议价
合计:0.58
WST4045 产品实物图片
自营WST4045
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)73mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:6060
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.34
3000+0.318
45000+
量大可议价
合计:0.34
WSP6956 产品实物图片
自营WSP6956
封装:SO-8
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 3.5W 60V 10A 2个N沟道 SO-8
库存:6030
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.03
3000+0.979
18000+
量大可议价
合计:1.03
WST3407 产品实物图片
自营WST3407
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)52mΩ@10V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 5.8A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:6000
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.288
3000+0.255
45000+
量大可议价
合计:0.29
WSD40P10DN56 产品实物图片
封装:DFN-8(4.9x5.8)
手册:-
功率(Pd)54W
反向传输电容(Crss@Vds)76pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)78mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 54W 100V 30A 1个P沟道 DFN-8(4.9x5.8)
库存:5159
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.66
5000+1.57
30000+
量大可议价
合计:1.66
WSD75100DN56 产品实物图片
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.3mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 155W 75V 100A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存:4989
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.12
5000+2.99
50000+
量大可议价
合计:3.12
WSD30L40DN33 产品实物图片
封装:DFN-8(3x3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,20A
库存:4720
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.799
5000+0.741
50000+
量大可议价
合计:0.8
WSD30160DN56 产品实物图片
封装:DFN5x6-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9mΩ@10V,120A
描述:场效应管(MOSFET) 62.5W 30V 120A 1个N沟道 DFN-8(4.9x5.8)
库存:4637
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.41
5000+1.33
30000+
量大可议价
合计:1.41
WSD30L90DN56 产品实物图片
封装:PDFN-8(5.2x6.2)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 40W 30V 90A 1个P沟道 PDFN-8(5.2x6.2)
库存:4560
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.3
5000+1.23
50000+
量大可议价
合计:1.3
WSP4984 产品实物图片
自营WSP4984
封装:SOP-8_150mil
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,6.6A
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 10A 2个N沟道 SOP-8
库存:4364
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.858
3000+0.812
18000+
量大可议价
合计:0.86
WST03P06 产品实物图片
自营WST03P06
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@10V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 60V 3.5A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:4317
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.381
3000+0.356
45000+
量大可议价
合计:0.38
WSD40L60DN56 产品实物图片
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,15A
描述:场效应管(MOSFET) 50W 40V 60A 1个P沟道 DFN-8(5x6)
库存:4089
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.27
5000+1.2
50000+
量大可议价
合计:1.27
WSF45P10 产品实物图片
自营WSF45P10
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)46A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 136W 100V 46A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:2995
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.84
2500+1.75
37500+
量大可议价
合计:1.84
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