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MASPOWER(麦思浦)

MASPOWER(麦思浦)

深圳市麦思浦半导体有限公司成立于 2016 年 2 月 23 日,是一家致力于更低能耗的功率半导体研发推广的优秀半导体综合服务商. 公司总部位于深圳,研发设计设立在上海,核心研发人员均来自于 ST、Fairchild、MagnaChip 等知名半导体厂商,拥有超过 20 年的研发经验,可提供定制化服务. 麦思浦对全球范围内的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各个方面进行资源整合和创新开发,覆盖产业链的各个环节,其产品在国际领域达到先进水平. 公司下设研发中心、品质管控中心、销售中心、供应链管理中心等部门,以优良的产品性能、稳定的产品质量和良好的国际信誉为依托,为客户提供效能更高的产品、全面的技术支持和完善的售后服务,助力客户提升产品竞争力. 其主营产品包括 IGBT 单管、SIC、快恢复二极管、超高压 MOS 等. 这些产品广泛应用于逆变焊机、变频器、充电桩、UPS、电机驱动、AC/DC、光伏逆变、通信电源、储能等领域. 麦思浦半导体秉持 “以客为本、以质求存、以优取胜、以精图新” 的核心价值观,以 “做工业类电源半导体器件一流供应商” 为愿景,努力为客户打破元器件采购领域的国外限制,同时为员工搭建实现人生价值的平台.

品牌产品
类目
  • 场效应管(MOSFET)
  • 快恢复/高效率二极管
  • IGBT管/模块
  • 电压基准芯片
封装
  • TO-263
  • TO-252
  • TO-220F
  • SOP-8
  • TO-247
  • TO-220
  • TO-247-2
  • TO-220AC
  • TO-220C-2L
  • DIP-7
  • SOT-227
  • TO-3PB
  • TO-3PF
  • TO-3PH
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MS8N90ICT0 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-220复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)900V复制
连续漏极电流(Id)8A复制
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V复制
描述:900V 8A 0.7Ω TO-220 MOSFET 高压mos复制
库存:1复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+7.05
50+6.72
量大可议价
合计7.05
现在下单最快1小时发货
MSN4688 产品实物图片
MSN4688复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:SOP-8复制
数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)60V;45V复制
连续漏极电流(Id)5A;3.5A复制
导通电阻(RDS(on))55mΩ@4.5V;100mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 45V;60V 5A;3.5A 1个N沟道 SOP-8复制
库存:2176复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+1.59742
50+1.276876
150+1.1395
500+0.968098
2500+0.891778
5000+0.84588
合计7.99
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS60N350DD1 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-252复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V复制
描述:MOSFET 350V 60A TO-252封装 低压大电流 场效应管 贴片 国产 电焊机复制
库存:2167复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+1.865494
50+1.464814
150+1.293094
500+1.078868
2500+0.983468
5000+0.926228
合计9.33
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS13N20HGD0 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-252复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)13A复制
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200V 13A TO-252复制
库存:1861复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+3.0104
10+2.3638
30+2.0882
100+1.749
500+1.59
1000+1.4946
合计3.01
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS8N90ICD0 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-252复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)900V复制
连续漏极电流(Id)8A复制
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V复制
描述:MOSFET 8A 900V TO-252封装 易安装 国产复制
库存:1648复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+6.5508
10+5.5014
30+4.9714
100+4.452
500+4.1446
1000+3.975
合计6.55
2-5 工作日内发货

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MS4N1350S 产品实物图片
MS4N1350S复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-220F复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1.5kV复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 63W 1.5kV 4A 1个N沟道复制
库存:930复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+11.819
10+9.4446
50+8.1302
100+6.6568
500+5.9996
1000+5.7028
合计11.82
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS3N100HGD0 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-252复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1kV复制
连续漏极电流(Id)3A复制
导通电阻(RDS(on))5.2Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 50W 1kV 3A 1个N沟道 TO-252复制
库存:804复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+3.4238
10+2.809
30+2.5016
100+2.1942
500+1.855
1000+1.7596
合计3.42
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS4N1350E 产品实物图片
MS4N1350E复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-263复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1.5kV复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 80W 1.5kV 4A 1个N沟道复制
库存:636复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+12.243
10+10.8014
30+10.0064
100+9.1054
500+7.155
800+6.9748
合计12.24
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS6N120FE 产品实物图片
MS6N120FE复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-263复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1.2kV复制
连续漏极电流(Id)6A复制
导通电阻(RDS(on))6Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.2kV 6A TO-263复制
库存:629复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+9.6248
10+8.2892
30+7.5472
100+6.7204
500+6.3494
800+6.1904
合计9.62
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS24N80HCE0 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-263复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)800V复制
连续漏极电流(Id)24A复制
导通电阻(RDS(on))205mΩ@10V复制
描述:特性:低栅极电荷:典型值为 46nC。 超快速开关。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用:功率因数校正 (PFC)。 开关电源 (SMPS)复制
库存:578复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+20.246
10+17.1296
30+15.1792
100+13.1864
500+12.2854
800+11.8932
合计20.25
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

ESTF30S120U 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-247-2复制
复制
正向压降(Vf)3.2V@30A复制
直流反向耐压(Vr)1.2kV复制
整流电流30A复制
反向电流(Ir)100uA@1200V复制
描述:-
库存:452复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+7.6956
10+6.9748
30+6.5826
90+6.1374
510+5.9466
合计7.7
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

ESTF30SS120C 产品实物图片
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-220AC复制
二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)2.2V复制
直流反向耐压(Vr)1.2kV复制
整流电流30A复制
描述:1200V 30A TO-220AC 快恢复二极管复制
库存:365复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+6.085957
10+5.065327
50+4.50776
250+3.874598
合计6.09
2-3 工作日内发货

数据14小时前更新

MS5N100FD 产品实物图片
MS5N100FD复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-252复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1kV复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 68W 1kV 5A 1个N沟道 TO-252复制
库存:362复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+5.0244
10+4.2824
30+3.9114
100+3.5404
500+2.7984
1000+2.6818
合计5.02
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

MS4N1350 产品实物图片
MS4N1350复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-3PH复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1.5kV复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 140W 1.5kV 4A 1个N沟道 TO-3PH复制
库存:326复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+9.748235
10+8.101505
30+6.841045
90+5.81438
合计9.75
2-3 工作日内发货

数据14小时前更新

MS8N100FE 产品实物图片
MS8N100FE复制
品牌:MASPOWER(麦思浦)复制
封装:TO-263复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)1kV复制
连续漏极电流(Id)8A复制
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 31.7W 1kV 8A 1个N沟道 TO-263复制
库存:319复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+9.5824
10+8.1302
30+7.3352
100+6.4342
500+6.0314
800+5.8512
合计9.58
2-5 工作日内发货

数据4小时前更新

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