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KIA 半导体

KIA半导体是一家专注于中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管和三端稳压管的研发、生产与销售的国家高新技术企业。公司成立以来,凭借强大的技术实力和创新能力,致力于为客户提供高性能的半导体解决方案。KIA半导体与多家国际知名企业建立了良好的合作关系,产品广泛应用于电源管理、汽车电子、消费电子等多个领域。公司秉承“质量第一、客户至上”的原则,不断提升产品质量和服务水平,以满足市场日益增长的需求。KIA半导体的愿景是成为全球领先的半导体供应商,推动行业的可持续发展。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
KNB2710A 产品实物图片
自营KNB2710A
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263
手册:-
功率(Pd)333W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5mΩ@10V,25A
漏源电压(Vdss)100V
描述:场效应管(MOSFET) KNB2710A TO-263(D²Pak)
库存:0
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.29
800+3.15
12000+
量大可议价
合计:3.29
KIA2305 产品实物图片
自营KIA2305
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,3.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.5A 1个P沟道 SOT-23
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.281
3000+0.249
45000+
量大可议价
合计:0.28
KIA3510AB 产品实物图片
自营KIA3510AB
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263-2
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 166W 100V 75A 1个N沟道 TO-263-2
库存:0
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.8
800+1.66
8000+
量大可议价
合计:1.8
KIA3510AD 产品实物图片
自营KIA3510AD
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 166W 100V 70A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:0
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.87
2500+2.75
37500+
量大可议价
合计:2.87
KIA50N06BD 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
功率(Pd)88W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.5mΩ@10V,30A
漏源电压(Vdss)60V
描述:场效应管(MOSFET) 88W 60V 50A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:13932
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 370
增量 : 5
5+2.185585
50+1.60563
150+1.3422
500+1.118835
2500+0.798074
5000+0.75684
合计:808.67
2-5 工作日内发货
KNY3403B 产品实物图片
KNY3403B
品牌:KIA 半导体
封装:DFN(5x6)
手册:-
功率(Pd)71W
反向传输电容(Crss@Vds)205pF
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 71W 30V 85A 1个N沟道 PDFNWB-8L-EP(5x6)
库存:4980
批次 : 超3年
最小包 : 5000
起订量 : 665
增量 : 5
5+0.95484
20+0.84102
100+0.74778
合计:634.97
2-3 工作日内发货

数据更新

KIA3400 产品实物图片
KIA3400
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
功率(Pd)1.4W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,4.8A
漏源电压(Vdss)30V
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.8A 1个N沟道 SOT-23
库存:4343
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 1910
增量 : 10
10+0.46139
100+0.3263
300+0.26088
3000+0.20193
合计:881.25
2-5 工作日内发货

数据更新

KCY3406A 产品实物图片
KCY3406A
品牌:KIA 半导体
封装:DFN5x6
手册:-
库存:4276
批次 : 下单后确认
最小包 : 5000
起订量 : 405
增量 : 1
1+2.67467
10+1.88682
30+1.5396
100+1.23372
500+1.07712
1000+0.928772
合计:1083.24
2-5 工作日内发货

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KIA78L05FG 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-89-3
手册:-
压差1.7V@(40mA)
商品分类线性稳压器(LDO)
最大输入电压30V
特性短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP)
描述:线性稳压器(LDO) 固定 30V 100mA 5V SOT-89-3
库存:4267
批次 : 下单后确认
最小包 : 1000
起订量 : 1435
增量 : 5
5+0.739065
50+0.51909
150+0.41292
1000+0.348105
2000+0.285776
5000+0.26818
合计:1060.56
2-5 工作日内发货

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KNY8104A 产品实物图片
KNY8104A
品牌:KIA 半导体
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
库存:4228
批次 : 下单后确认
最小包 : 5000
起订量 : 1205
增量 : 5
5+0.67773
50+0.53352
150+0.45828
500+0.414604
2500+0.364031
5000+0.354968
合计:816.66
2-5 工作日内发货

数据更新

KPY3203D 产品实物图片
KPY3203D
品牌:KIA 半导体
封装:DFN-8(5x6)
手册:-
库存:4194
批次 : 下单后确认
最小包 : 5000
起订量 : 330
增量 : 5
5+2.237336
50+1.751724
150+1.516428
500+1.228641
2500+1.179298
5000+1.149692
合计:738.32
2-5 工作日内发货

数据更新

KNG8104A 产品实物图片
KNG8104A
品牌:KIA 半导体
封装:DFN-8(3x3)
手册:-
库存:4084
批次 : 下单后确认
最小包 : 5000
起订量 : 1445
增量 : 5
5+0.564775
50+0.4446
150+0.3819
500+0.345558
2500+0.303409
5000+0.295857
合计:816.1
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA2301 产品实物图片
KIA2301
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 2.8A 1个P沟道 SOT-23
库存:3842
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 3240
增量 : 20
20+0.331905
200+0.23517
600+0.18828
3000+0.153985
合计:1075.37
2-5 工作日内发货

数据更新

KND3308A 产品实物图片
KND3308A
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
功率(Pd)120W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9mΩ@10V,30A
漏源电压(Vdss)80V
描述:场效应管(MOSFET) 120W 80V 80A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:3643
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 242
增量 : 1
1+4.408
10+3.133
30+2.568
100+2.07
500+1.59
1000+1.4946
合计:1066.74
2-5 工作日内发货
KCY3310A 产品实物图片
KCY3310A
品牌:KIA 半导体
封装:DFN(5x6)
手册:-
库存:3366
批次 : 下单后确认
最小包 : 5000
起订量 : 148
增量 : 1
1+5.42097
10+4.34031
30+3.76092
100+3.37962
500+2.789814
1000+2.720808
合计:802.3
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA840SD 产品实物图片
KIA840SD
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
功率(Pd)100W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,4A
漏源电压(Vdss)500V
描述:场效应管(MOSFET) 100W 500V 8A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:2822
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 360
增量 : 5
5+2.37916
50+1.6874
150+1.38144
500+1.089625
2500+0.917854
合计:856.5
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA3415 产品实物图片
KIA3415
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 16V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存:2550
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 1890
增量 : 10
10+0.470235
100+0.33111
300+0.26388
3000+0.205428
6000+0.183274
9000+0.17225
合计:888.74
2-5 工作日内发货
KIA2305 产品实物图片
KIA2305
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,3.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.5A 1个P沟道 SOT-23
库存:2329
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 2329
增量 : 1
1+0.531715
10+0.420355
30+0.32695
100+0.26724
500+0.22954
1000+0.20691
合计:1238.36
2-5 工作日内发货
KPD6610B 产品实物图片
KPD6610B
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252
手册:-
库存:2295
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 810
增量 : 5
5+1.032436
50+0.808308
150+0.699732
500+0.615187
2500+0.544284
5000+0.530588
合计:836.27
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA3401 产品实物图片
KIA3401
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
功率(Pd)1.4W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V,4A
漏源电压(Vdss)30V
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存:2176
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 2040
增量 : 10
10+0.441815
100+0.30875
300+0.24468
合计:901.3
2-5 工作日内发货

数据更新

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