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KIA 半导体

KIA半导体是一家专注于中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管和三端稳压管的研发、生产与销售的国家高新技术企业。公司成立以来,凭借强大的技术实力和创新能力,致力于为客户提供高性能的半导体解决方案。KIA半导体与多家国际知名企业建立了良好的合作关系,产品广泛应用于电源管理、汽车电子、消费电子等多个领域。公司秉承“质量第一、客户至上”的原则,不断提升产品质量和服务水平,以满足市场日益增长的需求。KIA半导体的愿景是成为全球领先的半导体供应商,推动行业的可持续发展。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(4)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
KIA2305 产品实物图片
自营KIA2305
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,3.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.5A 1个P沟道 SOT-23
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.281
3000+0.249
45000+
量大可议价
合计:0.28
KNB2710A 产品实物图片
自营KNB2710A
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263
手册:-
功率(Pd)333W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5mΩ@10V,25A
漏源电压(Vdss)100V
描述:场效应管(MOSFET) KNB2710A TO-263(D²Pak)
库存:0
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 1
增量 : 1
1+3.29
800+3.15
12000+
量大可议价
合计:3.29
KIA3510AB 产品实物图片
自营KIA3510AB
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263-2
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 166W 100V 75A 1个N沟道 TO-263-2
库存:0
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.8
800+1.66
8000+
量大可议价
合计:1.8
KIA3510AD 产品实物图片
自营KIA3510AD
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,50A
描述:场效应管(MOSFET) 166W 100V 70A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:0
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.87
2500+2.75
37500+
量大可议价
合计:2.87
KNY3403B 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:DFN(5x6)
手册:-
功率(Pd)71W
反向传输电容(Crss@Vds)205pF
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 71W 30V 85A 1个N沟道 PDFNWB-8L-EP(5x6)
库存:5000
批次 : -
最小包 : 5000
起订量 : 612
增量 : 1
5+1.186416
20+0.974337
100+0.817173
合计:726.09
2-5 工作日内发货
KNY3403B 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:DFN(5x6)
手册:-
功率(Pd)71W
反向传输电容(Crss@Vds)205pF
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 71W 30V 85A 1个N沟道 PDFNWB-8L-EP(5x6)
库存:5000
批次 : -
最小包 : 5000
起订量 : 665
增量 : 5
5+0.95484
20+0.84102
100+0.74778
合计:634.97
2-3 工作日内发货
KIA431A 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23
手册:-
描述:电压基准芯片 可调 100mA 1mA 2.5V~36V SOT-23
库存:2159
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 2150
增量 : 10
10+0.365545
100+0.25909
300+0.20748
合计:785.92
2-5 工作日内发货

数据更新

KND3508A 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,35A
漏源电压(Vdss)80V
类型1个N沟道
描述:场效应管(MOSFET) 12mΩ@10V,35A 80V 70A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:1480
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 329
增量 : 1
1+2.0659
30+1.784875
100+1.521575
500+1.233175
1000+1.177
合计:679.68
2-3 工作日内发货
KND3508A 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,35A
漏源电压(Vdss)80V
类型1个N沟道
描述:场效应管(MOSFET) 12mΩ@10V,35A 80V 70A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:1480
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 286
增量 : 1
1+2.463984
30+2.049681
100+1.745373
500+1.41162
1000+1.28331
合计:704.7
2-5 工作日内发货
KPE4403B 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOP-8
手册:-
库存:1347
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 1147
增量 : 1
1+0.43587
合计:499.94
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA6035AD 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
功率(Pd)99W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A
漏源电压(Vdss)350V
描述:场效应管(MOSFET) 99W 350V 11A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:1105
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 353
增量 : 1
1+1.8396
30+1.59165
100+1.4157
500+1.1556
1000+1.10745
2000+1.07856
合计:649.38
2-3 工作日内发货

数据更新

KIA6035AD 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
功率(Pd)99W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A
漏源电压(Vdss)350V
描述:场效应管(MOSFET) 99W 350V 11A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:1105
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 289
增量 : 1
1+2.4192
30+2.02272
100+1.73264
500+1.4112
1000+1.2936
2000+1.176
合计:699.15
2-5 工作日内发货
KIA2300 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 6A 1个N沟道 SOT-23
库存:979
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 979
增量 : 1
1+0.400766
10+0.319203
30+0.249678
100+0.2052
500+0.177192
1000+0.160281
合计:392.35
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA78L05FG 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:
手册:-
压差1.7V@(40mA)
商品分类线性稳压器(LDO)
最大输入电压30V
特性短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP)
描述:线性稳压器(LDO) 固定 30V 100mA 5V SOT-89-3
库存:950
批次 : -
最小包 : 1000
起订量 : 950
增量 : 1
5+0.554256
20+0.454854
100+0.381276
合计:526.54
2-5 工作日内发货
KIA78L05FG 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:
手册:-
压差1.7V@(40mA)
商品分类线性稳压器(LDO)
最大输入电压30V
特性短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP)
描述:线性稳压器(LDO) 固定 30V 100mA 5V SOT-89-3
库存:950
批次 : -
最小包 : -
起订量 : 950
增量 : 5
5+0.445592
20+0.392476
100+0.348964
合计:423.31
2-3 工作日内发货
KIA2302 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3A 1个N沟道 SOT-23
库存:788
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 788
增量 : 1
1+0.371236
10+0.290848
30+0.224725
100+0.18249
500+0.155759
1000+0.139755
合计:292.53
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA3402 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23
库存:783
批次 : 下单后确认
最小包 : 3000
起订量 : 783
增量 : 1
1+0.28043
100+0.231306
合计:219.58
2-5 工作日内发货

数据更新

KIA840SB 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263-2
手册:-
功率(Pd)100W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,4A
漏源电压(Vdss)500V
描述:场效应管(MOSFET) 100W 500V 8A 1个N沟道 TO-263-2
库存:758
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 263
增量 : 1
1+2.561585
30+2.219153
100+1.903342
500+1.55364
1000+1.488905
合计:673.7
2-3 工作日内发货
KIA840SB 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:TO-263-2
手册:-
功率(Pd)100W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,4A
漏源电压(Vdss)500V
描述:场效应管(MOSFET) 100W 500V 8A 1个N沟道 TO-263-2
库存:758
批次 : -
最小包 : 800
起订量 : 226
增量 : 1
1+3.117024
30+2.592771
100+2.207807
500+1.785735
1000+1.623405
合计:704.45
2-5 工作日内发货
KNS8104A 产品实物图片
品牌:KIA 半导体
封装:S0T-89
手册:-
库存:671
批次 : 下单后确认
最小包 : 1000
起订量 : 670
增量 : 5
5+0.45037
50+0.39442
150+0.35832
500+0.33787
合计:301.75
2-5 工作日内发货

数据更新

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