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芯成半导体

芯成半导体（上海）有限公司成立于2000年，是美国加州硅谷的ISSI公司在中国大陆设立的全资子公司。作为全球领先的集成电路设计企业，芯成半导体专注于高性能存储器的研发与销售，产品涵盖动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）、闪存（Flash）等。公司致力于为汽车电子、工业控制、医疗设备、网络通信及消费类电子等多个领域提供高品质、高可靠性的存储解决方案。凭借强大的技术实力和市场洞察力，芯成半导体不断推动创新，满足客户对高性能存储器日益增长的需求。在2021年度，公司荣获中国IC设计成就奖之十大IC设计公司，展现了其在行业中的影响力和专业性。

分类 :

全部静态随机存取存储器(SRAM)同步动态随机存取内存(SDRAM)存储器NOR FLASHLED驱动DDR SDRAMNOR FLASH同步动态随机存取内存(SDRAM)存储器LED显示驱动动态随机存取存储器(DRAM)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营IS25LP080D-JNLE-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：8-SOIC

手册：-

存储器格式：闪存

存储容量：8Mb （1M x 8）

存储器接口：SPI - 四 I/O， QPI， DTR

安装类型：表面贴装型

描述：NOR FLASH 8Mbit SPI 800us 2.3V~3.6V SOIC-8

库存：479

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.99

3000+￥1.9

18000+

量大可议价

合计：￥1.99

自营IS31FL3236A-QFLS2-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-QFN

手册：-

安装类型：表面贴装型

电压 - 供电（最高）：5.5V

电流 - 输出/通道：38mA

内部开关：是

描述：LED-驱动器-IC-36-输出-线性-I²C-调光-38mA-44-QFN（5x5）

库存：366

批次 : 21+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥2.09

2500+￥2

37500+

量大可议价

合计：￥2.09

自营IS42S32800J-6BLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TFBGA-90(8x13)

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：有源

存储器类型：易失

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

库存：9

批次 : 2年内

最小包 : 240

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥30.46

240+￥29.64

4800+

量大可议价

合计：￥30.46

自营IS66WVE4M16EBLL-70BLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：48-TFBGA（6x8）

手册：-

访问时间：70ns

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

存储器接口：并联

存储器格式：PSRAM

描述：PSRAM（伪-SRAM）-存储器-IC-64Mb-（4M-x-16）-并联-70ns-48-TFBGA（6x8）

库存：8

批次 : 待确认

最小包 : 480

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥17.92

480+￥17.4

4800+

量大可议价

合计：￥17.92

自营IS42S16400J-6TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-54-10.2mm

手册：-

存储器格式：DRAM

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

电压 - 供电：3V ~ 3.6V

技术：SDRAM

描述：SDRAM-存储器-IC-64Mb-（4M-x-16）-并联-166MHz-5.4ns-54-TSOP-II

库存：5

批次 : 23+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥10.31

108+￥10

1080+

量大可议价

合计：￥10.31

自营IS61WV51216EDBLL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-44-10.2mm

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：8Mb （512K x 16）

描述：IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

库存：3

批次 : 24+

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥45.54

135+￥44.3

1350+

量大可议价

合计：￥45.54

自营IS42S16160J-7TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）

手册：-

存储容量：256Mbit

时钟频率(fc)：143MHz

工作电压：3V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：同步动态随机存取内存(SDRAM) 143MHz -40℃~+85℃ 256Mbit 3V~3.6V TSOP-54-10.2mm

库存：3

批次 : 22+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥16.53

108+￥16.05

2160+

量大可议价

合计：￥16.53

自营IS61WV25616BLL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-TSOP II

手册：-

存储容量：4Mbit

工作电压(Vcc)：2.4V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：静态随机存取存储器(SRAM) -40℃~+85℃ 4Mbit 2.4V~3.6V TSOPII-44

库存：1

批次 : 22+

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥12.1

135+￥11.75

2700+

量大可议价

合计：￥12.1

自营IS42S16160G-7TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-54

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：不适用于新设计

存储器类型：易失

描述：IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

库存：1

批次 : 21+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥21.14

108+￥20.57

2160+

量大可议价

合计：￥21.14

自营IS62WV2568BLL-55HLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：32-sTSOP I

手册：-

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

技术：SRAM - 异步

存储器接口：并联

访问时间：55ns

描述：SRAM-异步-存储器-IC-2Mb（256K-x-8）-并联-55ns-32-sTSOP-I

库存：0

批次 : -

最小包 : 2000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥8.16

2000+￥7.89

30000+

量大可议价

合计：￥8.16

自营IS61WV51216BLL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-44-10.2mm

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：有源

存储器类型：易失

描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

库存：0

批次 : -

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥54.12

135+￥52.8

1350+

量大可议价

合计：￥54.12

自营IS62C1024AL-35QLI-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：32-SOP

手册：-

写周期时间 - 字，页：35ns

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

技术：SRAM - 异步

存储容量：1Mb （128K x 8）

描述：SRAM-异步-存储器-IC-1Mb-（128K-x-8）-并联-35ns-32-SOP

库存：0

批次 : -

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥8.81

1000+￥8.51

15000+

量大可议价

合计：￥8.81

自营IS61C1024AL-12JL

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：32-SOJ

手册：-

库存：0

批次 : -

最小包 : 22

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥8.68

22+￥8.26

440+

量大可议价

合计：￥8.68

自营IS61LV2568L-10TL

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-TSOP II

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：2Mb （256K x 8）

描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

库存：0

批次 : -

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥17.29

135+￥16.78

2700+

量大可议价

合计：￥17.29

自营IS43DR16640B-3DBLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：84-TWBGA

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：不适用于新设计

存储器类型：易失

描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

库存：0

批次 : -

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥15.99

2500+￥15.59

37500+

量大可议价

合计：￥15.99

自营IS62LV256AL-45ULI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：28-SOP

手册：-

存储容量：256Kbit

工作电压(Vcc)：3V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：静态随机存取存储器(SRAM) -40℃~+85℃ 256Kbit 3V~3.6V SOP-28

库存：0

批次 : -

最小包 : 120

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥5.7

120+￥5.42

2400+

量大可议价

合计：￥5.7

自营IS62WV51216BLL-55TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOP-44-10.2mm

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：8Mb （512K x 16）

描述：ISSI,IS62WV51216BLL-55TLI SRAM 8Mb 3V

库存：0

批次 : -

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥20.7

135+￥20.14

2700+

量大可议价

合计：￥20.7

自营IS61LV25616AL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-TSOP II

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：4Mb （256K x 16）

描述：4Mb,High-Sp/LP,Async,256K x 16,10ns,3.3v

库存：0

批次 : -

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥17.16

1000+￥16.7

15000+

量大可议价

合计：￥17.16

自营IS42S16160J-6TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：54-TSOP II

手册：-

存储器格式：DRAM

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

电压 - 供电：3V ~ 3.6V

技术：SDRAM

描述：SDRAM-存储器-IC-256Mb-（16M-x-16）-并联-166MHz-5.4ns-54-TSOP-II

库存：0

批次 : -

最小包 : 1080

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥37.43

1080+￥36.51

16200+

量大可议价

合计：￥37.43

自营IS42S16400F-7TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：54-TSOP II

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM

存储容量：64Mb （4M x 16）

描述：SDRAM 存储器 IC 64Mbit 并联 143 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

库存：0

批次 : -

最小包 : 1080

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥18.77

1080+￥18.31

16200+

量大可议价

合计：￥18.77

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