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芯成半导体

芯成半导体（上海）有限公司成立于2000年，是美国加州硅谷的ISSI公司在中国大陆设立的全资子公司。作为全球领先的集成电路设计企业，芯成半导体专注于高性能存储器的研发与销售，产品涵盖动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）、闪存（Flash）等。公司致力于为汽车电子、工业控制、医疗设备、网络通信及消费类电子等多个领域提供高品质、高可靠性的存储解决方案。凭借强大的技术实力和市场洞察力，芯成半导体不断推动创新，满足客户对高性能存储器日益增长的需求。在2021年度，公司荣获中国IC设计成就奖之十大IC设计公司，展现了其在行业中的影响力和专业性。

分类 :

全部静态随机存取存储器(SRAM)(25)同步动态随机存取内存(SDRAM)(12)存储器(10)NOR FLASH(9)LED驱动(4)DDR SDRAM(3)NOR FLASH(3)同步动态随机存取内存(SDRAM)(2)LED显示驱动(1)动态随机存取存储器(DRAM)(1)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营IS31FL3236A-QFLS2-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-QFN

手册：-

安装类型：表面贴装型

电压 - 供电（最高）：5.5V

电流 - 输出/通道：38mA

内部开关：是

描述：LED-驱动器-IC-36-输出-线性-I²C-调光-38mA-44-QFN（5x5）

库存：491

批次 : 21+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥3.2

100+￥2.67

1250+￥2.42

25000+

量大可议价

合计：￥3.2

现在下单1小时内发货

自营IS42S16160G-7TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-54

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：不适用于新设计

存储器类型：易失

描述：IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

库存：13

批次 : 21+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥23.67

10+￥21.14

2160+

量大可议价

合计：￥23.67

现在下单1小时内发货

自营IS66WVE4M16EBLL-70BLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：48-TFBGA（6x8）

手册：-

访问时间：70ns

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

存储器接口：并联

存储器格式：PSRAM

描述：PSRAM（伪-SRAM）-存储器-IC-64Mb-（4M-x-16）-并联-70ns-48-TFBGA（6x8）

库存：10

批次 : 25+

最小包 : 480

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥20.79

10+￥17.92

4800+

量大可议价

合计：￥20.79

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自营IS31FL3729-QFLS4-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：QFN-32-EP(4x4)

手册：-

类型：DC-DC控制器

输入电压：2.7V~5.5V

开关频率：400kHz~1MHz

通道数：16

描述：LED照明驱动器IC 16n(n=1-8) or 159 LED Matrix with PWM Control and Dot Correction, QFN-32 (4mm4mm), T&R

库存：8

批次 : 24+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥4

100+￥3.33

1250+￥3.03

25000+

量大可议价

合计：￥4

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自营IS42S32800J-6BLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TFBGA-90(8x13)

手册：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

零件状态：有源

存储器类型：易失

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

库存：8

批次 : 23+

最小包 : 240

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥34.13

10+￥30.46

4800+

量大可议价

合计：￥34.13

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自营IS61LV25616AL-10TL

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOP-44-10.2mm

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：4Mb （256K x 16）

描述：芯片存储器 SRAM 4MB 10NS TSOP-2-44

库存：6

批次 : 24+

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥19.82

10+￥17.09

2700+

量大可议价

合计：￥19.82

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自营IS61WV51216EDBLL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-44-10.2mm

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：8Mb （512K x 16）

描述：IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

库存：5

批次 : 24+

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥51.01

10+￥45.54

1350+

量大可议价

合计：￥51.01

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自营IS42S16400J-6TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOPII-54-10.2mm

手册：-

存储器格式：DRAM

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

电压 - 供电：3V ~ 3.6V

技术：SDRAM

描述：SDRAM-存储器-IC-64Mb-（4M-x-16）-并联-166MHz-5.4ns-54-TSOP-II

库存：5

批次 : 23+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥10.31

1080+

量大可议价

合计：￥10.31

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自营IS25LP128F-JBLE

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：SOIC-8-208mil

手册：-

接口类型：SPI

存储容量：128Mbit

工作电压：2.3V~3.6V

页写入时间(Tpp)：800us

描述：NOR FLASH 128Mbit SPI 800us 2.3V~3.6V SOIC-8-208mil

库存：4

批次 : 24+

最小包 : 90

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥9.98

900+

量大可议价

合计：￥9.98

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自营IS61WV25616BLL-10TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：44-TSOP II

手册：-

存储容量：4Mbit

工作电压(Vcc)：2.4V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：静态随机存取存储器(SRAM) -40℃~+85℃ 4Mbit 2.4V~3.6V TSOPII-44

库存：4

批次 : 5年内

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥12.1

2700+

量大可议价

合计：￥12.1

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自营IS42S16160J-7TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）

手册：-

存储容量：256Mbit

时钟频率(fc)：143MHz

工作电压：3V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：同步动态随机存取内存(SDRAM) 143MHz -40℃~+85℃ 256Mbit 3V~3.6V TSOP-54-10.2mm

库存：3

批次 : 22+

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥16.53

2160+

量大可议价

合计：￥16.53

现在下单1小时内发货

自营IS62WV51216BLL-55TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOP-44-10.2mm

手册：-

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：8Mb （512K x 16）

描述：ISSI,IS62WV51216BLL-55TLI SRAM 8Mb 3V

库存：1

批次 : 24+

最小包 : 135

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥23.19

10+￥20.7

2700+

量大可议价

合计：￥23.19

现在下单1小时内发货

自营IS25WQ040-JNLE

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：8-SOP

手册：-

接口类型：SPI

存储容量：4Mbit

工作电压：1.65V~1.95V

页写入时间(Tpp)：1ms

描述：NOR FLASH 4Mbit SPI 1ms 1.65V~1.95V SOIC-8-208mil

库存：0

批次 : -

最小包 : 100

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥2.41

2000+

量大可议价

合计：￥2.41

自营IS61C1024AL-12JLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：32-SOJ

手册：-

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

技术：SRAM - 异步

存储容量：1Mb （128K x 8）

存储器接口：并联

描述：SRAM-异步-存储器-IC-1Mb-（128K-x-8）-并联-12ns-32-SOJ

库存：0

批次 : -

最小包 : 22

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥18.09

440+

量大可议价

合计：￥18.09

自营IS25LP128F-JLLE

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：8-WSON（8x6）

手册：-

存储器格式：闪存

存储容量：128Mb （16M x 8）

存储器接口：SPI - 四 I/O， QPI， DTR

安装类型：表面贴装型

描述：FLASH-NOR-存储器-IC-128Mb-（16M-x-8）-SPI-四-I-O-QPI-DTR-133MHz-8-WSON（8x6）

库存：0

批次 : -

最小包 : 480

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥12.59

10+￥10.86

9600+

量大可议价

合计：￥12.59

自营IS43LD32320C-18BLI-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：134-TFBGA

手册：-

存储器构架(格式)：SDRAM LPDDR2

时钟频率(fc)：533MHz

存储容量：1Gbit

工作电压：1.7V~1.95V

描述：SDRAM-Mobile-LPDDR2-S4-存储器-IC-1Gb-（32M-x-32）-并联-533MHz-134-TFBGA（10x11.5）

库存：0

批次 : -

最小包 : 2000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥56.43

100+￥51.3

1000+￥49.81

30000+

量大可议价

合计：￥56.43

自营IS31FL3239-QFLS4-TR

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：132-WFQFN

手册：-

输入电压：2.7V~5.5V

开关频率：31.5kHz

通道数：24

输出电流：38mA

描述：LED照明驱动器IC 24-Channel LED Driver, QFN-32 (4.0mm x 4.0mm), T&R

库存：0

批次 : -

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥26.77

100+￥24.34

1250+￥23.63

37500+

量大可议价

合计：￥26.77

自营IS43TR16256B-125KBLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：96-TWBGA（9x13）

手册：-

存储器构架(格式)：SDRAM DDR3

时钟频率(fc)：800MHz

存储容量：4Gbit

工作电压：1.5V

描述：SDRAM-DDR3-存储器-IC-4Gb-（256M-x-16）-并联-800MHz-20ns-96-TWBGA（9x13）

库存：0

批次 : -

最小包 : 950

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥46.06

10+￥41.12

190+￥40

3800+

量大可议价

合计：￥46.06

自营IS25LP032D-JBLE

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：SOIC-8-208mil

手册：-

存储器格式：闪存

存储容量：32Mb （4M x 8）

存储器接口：SPI - 四 I/O， QPI， DTR

安装类型：表面贴装型

描述：FLASH-NOR-存储器-IC-32Mb-（4M-x-8）-SPI-四-I-O-QPI-DTR-133MHz-8-SOP

库存：0

批次 : -

最小包 : 2000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥6.19

100+￥5.15

1000+￥4.69

20000+

量大可议价

合计：￥6.19

自营IS42S32400F-6TLI

品牌：ISSI(美国芯成)

封装：TSOP-86-10.2mm

手册：-

存储容量：128Mbit

时钟频率(fc)：166MHz

工作电压：3V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

描述：同步动态随机存取内存(SDRAM) 166MHz -40℃~+85℃ 128Mbit 3V~3.6V TSOP-86-10.2mm

库存：0

批次 : -

最小包 : 108

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥16.86

1080+

量大可议价

合计：￥16.86

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