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湖南静芯微电子技术有限公司

湖南静芯微电子技术有限公司成立于2015年,总部位于湖南省长沙市。公司专注于高性能电子元器件的研发与设计,致力于为客户提供先进的集成电路解决方案。静芯微的团队由一批留学归国人员和经验丰富的年轻工程师组成,具备强大的技术背景和创新能力。公司主要产品包括ESD(静电放电)保护器件、TVS(瞬态电压抑制器)器件及相关集成电路,广泛应用于汽车电子、消费电子和工业自动化等领域。静芯微始终秉承“以人为本、以技术为源”的理念,通过持续的技术创新和优质的客户服务,力求在激烈的市场竞争中占据一席之地。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(2)二极管(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
PSM712-ES 产品实物图片
自营PSM712-ES
封装:SOT-23
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)12V;7V
最大钳位电压19V;26V
峰值脉冲电流(Ipp)17A
库存:18327
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.56
200+0.186
1500+0.116
3000+0.0927
30000+
量大可议价
合计:0.56
现在下单1小时内发货
SELC2F5V1B 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
库存:15195
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.231
500+0.0768
5000+0.0512
10000+0.042
60000+
量大可议价
合计:11.55
现在下单1小时内发货
RCLAMP0521T-ES 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
库存:11955
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.203
500+0.0679
5000+0.0452
10000+0.0371
100000+
量大可议价
合计:0.2
现在下单1小时内发货
TPD1E01B04DPYR-ES 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
击穿电压3.7V
反向截止电压(Vrwm)3.3V
反向漏电流(Ir)1uA
商品分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存:10002
批次 : 25+
最小包 : 10000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.24
500+0.0799
5000+0.0533
10000+0.0437
60000+
量大可议价
合计:12
现在下单1小时内发货
ESD5341N-ES 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
库存:10000
批次 : 24+
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.226
500+0.0754
5000+0.0503
10000+0.0412
100000+
量大可议价
合计:0.23
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BSS138 产品实物图片
自营BSS138
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存:9000
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.211
200+0.0706
1500+0.0441
3000+0.035
30000+
量大可议价
合计:10.55
现在下单1小时内发货
RCLAMP0524P-ES 产品实物图片
封装:DFN2510-10L
手册:-
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压12V
峰值脉冲电流(Ipp)4.5A
库存:9000
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.436
200+0.146
1500+0.0909
3000+0.0721
30000+
量大可议价
合计:0.44
现在下单1小时内发货
SEUC10F5V4U 产品实物图片
封装:DFN2510-10L
手册:-
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压12V
峰值脉冲电流(Ipp)4.5A
库存:9000
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.436
200+0.146
1500+0.0909
30000+
量大可议价
合计:8.72
现在下单1小时内发货
AO3400A 产品实物图片
自营AO3400A
封装:SOT23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)21mΩ@10V,5.8A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 6A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:8829
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.505
200+0.168
1500+0.105
3000+0.0834
30000+
量大可议价
合计:10.1
现在下单1小时内发货
2N7002KD 产品实物图片
自营2N7002KD
封装:SOT-363
手册:-
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.85Ω@10V,0.3A
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 2个N沟道 SOT-363
库存:6070
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.514
200+0.172
1500+0.107
3000+0.0851
45000+
量大可议价
合计:10.28
现在下单1小时内发货
RCLAMP0522P-ES 产品实物图片
封装:DFN1610-6L
手册:-
击穿电压6V
反向截止电压(Vrwm)5V
反向漏电流(Ir)1uA
商品分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存:6002
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.605
200+0.201
1500+0.127
3000+0.1
45000+
量大可议价
合计:6.05
现在下单1小时内发货
SI2302CDS-T1-GE3-ES 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
功率(Pd)4W
反向传输电容(Crss@Vds)88pF
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@4.5V,3.5A
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 20V 3.5A 1个N沟道 SOT-23
库存:6002
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.313
200+0.104
1500+0.0652
3000+0.0518
45000+
量大可议价
合计:15.65
现在下单1小时内发货
SI2301CDS-T1-GE3-ES 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)82mΩ@4.5V,2A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存:5728
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.303
200+0.101
1500+0.0631
3000+0.0499
30000+
量大可议价
合计:15.15
现在下单1小时内发货
SI2300 产品实物图片
自营SI2300
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@2.5V,3A
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 20V 6A 1个N沟道 SOT-23
库存:5416
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 20
增量 : 1
1+0.356
200+0.119
1500+0.0741
3000+0.0589
30000+
量大可议价
合计:7.12
现在下单1小时内发货
AO4407 产品实物图片
自营AO4407
封装:SOP8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1个P沟道 SOP-8
库存:5399
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.606
200+0.418
1500+0.38
30000+
量大可议价
合计:3.03
现在下单1小时内发货
PESD5V0S1BA-ES 产品实物图片
封装:SOD-323
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压11V
峰值脉冲电流(Ipp)8A
库存:5160
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.26
200+0.0867
1500+0.0541
3000+0.0431
30000+
量大可议价
合计:0.26
现在下单1小时内发货
SS26 产品实物图片
自营SS26
封装:DO-214AC(SMA)
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)700mV
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流2A
描述:肖特基二极管 独立式 700mV 60V 2A DO-214AC(SMA)
库存:4997
批次 : 25+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.34
500+0.113
2500+0.0756
5000+0.062
30000+
量大可议价
合计:0.34
现在下单1小时内发货
SMF05CT1G-ES 产品实物图片
封装:SOT-363
手册:-
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)8A
库存:4908
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.565
200+0.189
1500+0.118
3000+0.0933
30000+
量大可议价
合计:0.56
现在下单1小时内发货
AOD403 产品实物图片
自营AOD403
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)62A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 15A 1个P沟道 TO-252
库存:4645
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 5
增量 : 1
1+1.01
100+0.777
1250+0.659
2500+0.61
25000+
量大可议价
合计:5.05
现在下单1小时内发货
BSS138BK 产品实物图片
自营BSS138BK
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,500mA
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存:4480
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 50
增量 : 1
1+0.199
200+0.0664
1500+0.0416
3000+0.033
30000+
量大可议价
合计:9.95
现在下单1小时内发货
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