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华微电子

吉林华微电子股份有限公司成立于1965年,是一家集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。公司总部位于吉林市,拥有近40万平方米的生产基地和先进的生产设备,年芯片加工能力达400万片,封装能力达到24亿只。华微电子在IGBT、MOSFET、SCR等领域处于国内领先地位,并与多家国际知名企业建立了合作关系。作为中国功率半导体器件制造基地,华微电子致力于技术创新与市场拓展,产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、电力电子等战略性新兴领域。公司坚持以诚信共赢为原则,持续推动自主知识产权产品的研发,力求在全球半导体行业中占据一席之地。

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
JCS2N60RC 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:DAPK
手册:-
功率(Pd)44W
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@10V,1A
描述:场效应管(MOSFET) 44W 600V 1.9A 1个N沟道 DPAK
库存:232500
批次 : 超2年
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+0.51744
合计:1293.6
3-5 工作日内发货
JCS4N65BC 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-262
手册:-
库存:50000
批次 : 超2年
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+0.625856
合计:31.29
3-5 工作日内发货

数据更新

JCS4N65F 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:31990
批次 : 超2年
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+0.65296
合计:32.65
3-5 工作日内发货

数据更新

JT040K065WED-GE-BR 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-247-3
手册:-
库存:22770
批次 : 超2年
最小包 : 30
起订量 : 30
增量 : 30
30+6.005138
合计:180.15
3-5 工作日内发货

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MC10N005-C 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-220C
手册:-
库存:19900
批次 : 超2年
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+1.9712
合计:98.56
3-5 工作日内发货

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MT06N008A 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-220C
手册:-
库存:18000
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1000
增量 : 1000
1000+1.270147
合计:1270.15
3-5 工作日内发货

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JCS9N50FC-F-B 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:10000
批次 : 超2年
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+1.085392
合计:54.27
3-5 工作日内发货

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JCS7HN65FC-F-BR-K1 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:9880
批次 : 2年内
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+1.156131
合计:57.81
3-5 工作日内发货

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JT020N065FED-F-BR 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:8000
批次 : 2年内
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+2.667067
合计:133.35
3-5 工作日内发货

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JCS60N10I-R-AR 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:5000
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+1.106952
合计:2767.38
3-5 工作日内发货

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JCS4N65RC 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
功率(Pd)122W
反向传输电容(Crss@Vds)3.5pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.1Ω@10V,2A
库存:5000
批次 : 超2年
最小包 : 2500
起订量 : 2500
增量 : 2500
2500+0.736736
合计:1841.84
3-5 工作日内发货

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JCS4N65FC-F-BR 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:4980
批次 : 2年内
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+1.076398
合计:53.82
3-5 工作日内发货

数据更新

JCS1404C 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-220C
手册:-
功率(Pd)333W
反向传输电容(Crss@Vds)235pF
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V,95A
库存:4809
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1000
增量 : 1000
1000+2.540149
合计:2540.15
3-5 工作日内发货

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3DD13007MD-C 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:4000
批次 : 超2年
最小包 : 50
起订量 : 50
增量 : 50
50+1.1088
合计:55.44
3-5 工作日内发货

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JCS4N65VC 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:
手册:-
库存:3440
批次 : 2年内
最小包 : 800
起订量 : 800
增量 : 800
800+0.660453
合计:528.36
3-5 工作日内发货

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3DD4613H-92-FJ 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-92-FJ
手册:-
描述:三极管(BJT) 1W 500V 1.5A NPN TO-92-3
库存:1262
批次 : 下单后确认
最小包 : 2000
起订量 : 1260
增量 : 5
5+0.675555
50+0.47879
150+0.3834
500+0.325335
合计:851.2
2-5 工作日内发货

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3DD4251T 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-92-FJ
手册:-
库存:1037
批次 : 下单后确认
最小包 : 2000
起订量 : 1020
增量 : 20
20+0.312185
200+0.21957
600+0.17172
合计:318.43
2-5 工作日内发货

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JCS4N65RC-DPAK 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:DPAK
手册:-
功率(Pd)122W
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.6Ω@10V,2A
漏源电压(Vdss)650V
描述:场效应管(MOSFET) 122W 650V 4A 1个N沟道 DPAK
库存:159
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 159
增量 : 1
1+1.531726
10+1.207106
30+1.048463
100+0.926144
500+0.852421
1000+0.80208
合计:243.54
2-5 工作日内发货

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JCS2N60RC 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:DAPK
手册:-
功率(Pd)44W
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@10V,1A
描述:场效应管(MOSFET) 44W 600V 1.9A 1个N沟道 DPAK
库存:2231
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.6475
10+0.5129
30+0.4552
100+0.3833
500+0.3512
1000+0.332
合计:6.48
2-5 工作日内发货

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JCS640RH-O-R-N-A 产品实物图片
品牌:吉林华微
封装:TO-252-2(DPAK)
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 140W 200V 18A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:2125
批次 : 下单后确认
最小包 : 2500
起订量 : 10
增量 : 1
1+3.5826
10+2.9335
30+2.6048
100+2.2761
500+2.0789
1000+1.9803
合计:35.83
2-5 工作日内发货

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