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Matsuki electric(松木)

松木电机(Matsuki Electric)是一家专注于半导体领域的公司,致力于提供高性能的电源管理解决方案。公司采用先进的制造工艺,包括0.25、0.18和0.13微米制程技术,确保产品在低压及中、高电压应用中表现优异。松木电机的产品涵盖了类比集成电路、MOSFET、肖特基二极管等多种类型,广泛应用于电子设备和电力系统。凭借强大的研发能力和严格的质量控制,松木电机不断推动技术创新,以满足市场对高效能和可靠性的需求。公司致力于为客户提供优质的产品和服务,成为全球领先的半导体解决方案供应商。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(10)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
ME50P06-G 产品实物图片
自营ME50P06-G
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)61A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,17A
描述:场效应管(MOSFET) 114W 60V 61A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:11300
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.94
100+1.49
1250+1.3
2500+1.24
25000+
量大可议价
合计:1.94
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ME2345A 产品实物图片
自营ME2345A
封装:SOT23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)68mΩ@10V,4.2A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个P沟道 SOT-23
库存:6848
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.403
200+0.26
1500+0.226
3000+0.2
30000+
量大可议价
合计:0.4
现在下单1小时内发货
ME15N10-G 产品实物图片
自营ME15N10-G
封装:TO-252
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A
描述:场效应管(MOSFET) 34.7W 100V 14.7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:6723
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.949
100+0.73
1250+0.619
2500+0.573
37500+
量大可议价
合计:0.95
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ME20P06-G 产品实物图片
自营ME20P06-G
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)17.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)78mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 39.1W 60V 17.7A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:5103
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.977
100+0.751
1250+0.637
2500+0.59
25000+
量大可议价
合计:0.98
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ME2320D-G 产品实物图片
自营ME2320D-G
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@1.8V,5A
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:2190
批次 : 22+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.411
200+0.266
1500+0.231
30000+
量大可议价
合计:0.41
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ME12P04 产品实物图片
自营ME12P04
封装:D-PAK(TO-252)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)18.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,12A
描述:场效应管(MOSFET) 25W 40V 18.6A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:1109
批次 : 22+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.911
100+0.701
1250+0.594
2500+0.55
25000+
量大可议价
合计:0.91
现在下单1小时内发货
ME2333-G 产品实物图片
自营ME2333-G
封装:SOT-23
手册:-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@4.5V,8A
功率(Pd)800mW
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.523
200+0.338
1500+0.294
3000+0.26
30000+
量大可议价
合计:5.23
ME85P03 产品实物图片
自营ME85P03
封装:TO-252
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 83W 30V 80A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:0
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.79
100+1.38
1250+1.2
2500+1.13
37500+
量大可议价
合计:1.79
ME2325-G 产品实物图片
自营ME2325-G
封装:SOT-23(SOT-23-3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,4.1A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.41
200+0.264
1500+0.229
3000+0.203
45000+
量大可议价
合计:4.1
ME2328-G 产品实物图片
自营ME2328-G
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)105V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)230mΩ@10V,1.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 105V 1.5A 1个N沟道 SOT-23
库存:0
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.583
200+0.376
1500+0.327
3000+0.289
45000+
量大可议价
合计:2.92
ME2306A-G 产品实物图片
封装:SOT23
手册:-
库存:22504
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1619
增量 : 10
10+0.545345
100+0.38597
300+0.30876
3000+0.230762
6000+0.205534
9000+0.19292
合计:883.46
2-5 工作日内发货

数据更新

ME7170 产品实物图片
封装:DFN(5x6)
手册:-
库存:4978
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 675
增量 : 1
1+2.56882
10+1.65438
30+1.27056
100+0.9108
500+0.74052
1000+0.638014
合计:1733.95
2-5 工作日内发货

数据更新

ME3920D 产品实物图片
封装:TSOP-6
手册:-
库存:3000
批次 : -
最小包 : -
起订量 : 835
增量 : 1
1+0.9417
100+0.78862
300+0.67639
500+0.59856
2000+0.529115
5000+0.515312
合计:786.32
2-3 工作日内发货

数据更新

ME2N7002D 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存:3000
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 3000
增量 : 1
1+0.219
100+0.1834
300+0.1573
500+0.1392
2000+0.12765
5000+0.11984
合计:657
2-3 工作日内发货

数据更新

ME2306A-G 产品实物图片
封装:SOT23
手册:-
库存:3000
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 2117
增量 : 1
1+0.40515
100+0.33929
300+0.291005
500+0.25752
2000+0.236153
5000+0.221704
合计:857.7
2-3 工作日内发货

数据更新

ME2303 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
库存:3000
批次 : -
最小包 : -
起订量 : 1796
增量 : 1
1+0.438
100+0.3668
300+0.3146
500+0.2784
2000+0.2553
5000+0.23968
合计:786.65
2-3 工作日内发货

数据更新

ME2309-G 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
库存:3000
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 1437
增量 : 1
1+0.5475
100+0.4585
300+0.39325
500+0.348
2000+0.307625
5000+0.2996
合计:786.76
2-3 工作日内发货

数据更新

ME2345A 产品实物图片
封装:SOT23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)68mΩ@10V,4.2A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个P沟道 SOT-23
库存:3000
批次 : -
最小包 : 3000
起订量 : 2117
增量 : 1
1+0.40515
100+0.33929
300+0.291005
500+0.25752
2000+0.236153
5000+0.221704
合计:857.7
2-3 工作日内发货

数据更新

ME15N10-G 产品实物图片
封装:TO-252
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A
描述:场效应管(MOSFET) 34.7W 100V 14.7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:2500
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 691
增量 : 1
1+1.06288
30+0.91962
100+0.81796
500+0.72384
1000+0.63986
2000+0.623168
合计:734.45
2-3 工作日内发货

数据更新

ME4953 产品实物图片
封装:SOP8
手册:-
描述:场效应管(MOSFET) 2W 30V 5.3A 2个P沟道 SOP-8
库存:2500
批次 : -
最小包 : 2500
起订量 : 718
增量 : 1
1+1.022
30+0.88425
100+0.7865
500+0.696
1000+0.61525
2000+0.5992
合计:733.8
2-3 工作日内发货

数据更新

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