MATSUKI(松木)
MATSUKI(松木)
类目:
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
封装:
- SOT-23
- SOP-8
- TO-252-2(DPAK)
- DFN-8(3X3)
- TO-252(DPAK)
- TO-252-3
- DFN-8(5X6)
- DFN3X3
- SOT-363
- DFN-3(3X3)
- DFN-8-EP(3.3X3.3)
- SOT-323
- TO-252
- TO-252-2
- TO-252-3L
- TSOP-6
- DFN1006-3
- SOIC8_150MIL
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):61A复制
导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 114W 60V 61A 1个P沟道复制库存:8778复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.37
2500+¥1.3
合计¥1.37
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):6.4A复制
导通电阻(RDS(on)):40mΩ@1.8V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制库存:2060复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
1+¥0.231
3000+¥0.203
合计¥0.23
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¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):14.7A复制
导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 34.7W 100V 14.7A 1个N沟道复制库存:985复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.647
2500+¥0.6
合计¥0.65
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):27.6A复制
导通电阻(RDS(on)):42mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) ME20P03 TO-252(DPAK)复制库存:984复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.647
2500+¥0.6
合计¥0.65
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):17.7A复制
导通电阻(RDS(on)):65mΩ复制
描述:场效应管(MOSFET) 39.1W 60V 17.7A 1个P沟道复制库存:960复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.647
2500+¥0.6
合计¥0.65
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):3.6A复制
导通电阻(RDS(on)):100mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个P沟道复制库存:96复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.224
3000+¥0.198
合计¥0.22
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):3.6A复制
导通电阻(RDS(on)):100mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个P沟道复制库存:13复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.21952
合计¥0.22
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):18.6A复制
导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 25W 40V 18.6A 1个P沟道复制库存:50复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
1+¥0.594
2500+¥0.55
合计¥0.59
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¥15领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):3.6A复制
导通电阻(RDS(on)):100mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个P沟道复制库存:13复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
1+¥0.21952
合计¥0.22
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):12A复制
导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V复制
描述:ME4894 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且具有低在线功率损耗的电池供电电路复制库存:0复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
-
1+¥0.933
2500+¥0.88
合计¥0.93
描述:-
库存:10000复制
最小包 : -复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
批次:两年内
10+¥0.182435
100+¥0.170665
500+¥0.158895
2000+¥0.14124
5000+¥0.135355
10000+¥0.131824
合计¥1.82
2-3 工作日内发货数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):5.38A复制
导通电阻(RDS(on)):50mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) ME2306A-G SOT-23复制库存:4335复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+¥0.473078
100+¥0.394956
300+¥0.355948
3000+¥0.316834
合计¥4.73
2-5 工作日内发货数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):40V复制
连续漏极电流(Id):30A复制
导通电阻(RDS(on)):25mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 25W 40V 30A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)复制库存:3264复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+¥2.099966
50+¥1.640456
150+¥1.443614
500+¥1.197906
2500+¥1.088514
合计¥10.5
2-5 工作日内发货描述:场效应管(MOSFET) ME3920D TSOP-6复制
库存:3000复制
最小包 : -复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
批次:两年外
5+¥0.78217
50+¥0.713155
500+¥0.621135
1000+¥0.55212
2500+¥0.519913
合计¥3.91
2-3 工作日内发货描述:-
库存:3000复制
最小包 : -复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
批次:两年外
10+¥0.447795
100+¥0.418905
500+¥0.390015
2000+¥0.34668
5000+¥0.332235
10000+¥0.323568
合计¥4.48
2-3 工作日内发货描述:-
库存:3000复制
最小包 : -复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
批次:两年外
50+¥0.1284
500+¥0.11556
5000+¥0.107
10000+¥0.10272
30000+¥0.09844
50000+¥0.095872
合计¥6.42
2-3 工作日内发货还有90条型号未显示
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