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美光科技公司

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)成立于1978年,总部位于美国爱达荷州博伊西,是全球领先的半导体存储解决方案供应商之一。美光专注于生产动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(NAND)、固态硬盘(SSD)和CMOS图像传感器等多种半导体产品。公司致力于为计算机、移动设备、数据中心、汽车电子等多个领域提供高性能的存储解决方案,满足日益增长的市场需求。美光在全球拥有超过四万名员工,并在中国设有多个办事处和工厂,积极拓展其在亚太地区的市场份额。近年来,美光通过技术创新和战略收购不断增强其市场竞争力,尤其是在人工智能和数据中心等新兴应用领域表现突出。

分类 :
全部DDR SDRAM(31)NOR FLASH(30)存储器(18)NAND FLASH(12)EMMC(3)同步动态随机存取内存(SDRAM)(3)单片机(MCU/MPU/SOC)(2)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
MT25QU128ABA8ESF-0SIT 产品实物图片
封装:16-SO
手册:-
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NOR
存储容量128Mb (16M x 8)
描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
库存:93
批次 : 23+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.6
100+7.41
720+7.06
14400+
量大可议价
合计:8.6
现在下单1小时内发货
MT41K128M16JT-125:K 产品实物图片
封装:144-µBGA(18.5x11)
手册:-
制造商Micron Technology Inc.
包装托盘
零件状态有源
存储器类型易失
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存:76
批次 : 5年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.08
100+8.69
1000+8.28
20000+
量大可议价
合计:10.08
现在下单1小时内发货
MT25QL128ABA8ESF-0SIT 产品实物图片
封装:16-SO
手册:-
接口类型SPI
存储容量128Mbit
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
描述:NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 6ns 16-Pin SOP-II Tray
库存:52
批次 : 23+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.61
100+7.42
720+7.07
14400+
量大可议价
合计:8.61
现在下单1小时内发货
MT41K512M8DA-107:P 产品实物图片
封装:78-FBGA(8x10.5)
手册:-
存储容量4Gb (512M x 8)
技术SDRAM - DDR3L
访问时间20ns
安装类型表面贴装型
描述:SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-(512M-x-8)-并联-933MHz-20ns-78-FBGA(8x10.5)
库存:50
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.61
100+9.15
1000+8.71
20000+
量大可议价
合计:10.61
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MT29F1G08ABAEAWP:E 产品实物图片
封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量1Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)20ns
页写入时间(Tprog)200us
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存:38
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+9.54
100+8.08
10000+
量大可议价
合计:9.54
现在下单1小时内发货
MT41K256M8DA-125 IT:K 产品实物图片
封装:78-FBGA(8x10.5)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量2Gb (256M x 8)
描述:IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
库存:34
批次 : 24+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+11.62
100+10.55
720+10.25
14400+
量大可议价
合计:11.62
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MT41J128M16JT-093:K 产品实物图片
封装:96-FBGA(8x14)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3
存储容量2Gb (128M x 16)
描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA Tray
库存:32
批次 : 24+
最小包 : 1368
起订量 : 1
增量 : 1
1+14.17
100+12.88
684+12.51
13680+
量大可议价
合计:14.17
现在下单1小时内发货
MT41K64M16TW-107:J 产品实物图片
封装:96-FBGA(8x14)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量1Gb (64M x 16)
描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存:30
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.68
100+9.21
1000+8.77
20000+
量大可议价
合计:10.68
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MT25QU128ABA1EW7-0SIT 产品实物图片
封装:8-WPDFN(6x5)(MLP8)
手册:-
接口类型SPI
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)166MHz
工作电压1.7V~2V
描述:FLASH-NOR-存储器-IC-128Mb-(16M-x-8)-SPI-133MHz-8-WPDFN(6x5)(MLP8)
库存:28
批次 : 23+
最小包 : 2940
起订量 : 1
增量 : 1
1+12.53
100+10.89
735+9.9
1470+9.53
29400+
量大可议价
合计:12.53
现在下单1小时内发货
MT47H64M16NF-25E IT:M 产品实物图片
封装:84-FBGA(8x12.5)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb (64M x 16)
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
库存:25
批次 : 22+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+13.58
100+12.35
1000+11.99
20000+
量大可议价
合计:13.58
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MT48LC16M16A2P-6A:G 产品实物图片
封装:54-TSOP II
手册:-
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)167MHz
工作电压3V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
描述:DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray
库存:23
批次 : 24+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+18
100+16.36
1000+15.89
20000+
量大可议价
合计:18
现在下单1小时内发货
MT29F4G08ABADAWP-IT:D 产品实物图片
封装:48-TSOP I
手册:-
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术闪存 - NAND
存储容量4Gb (512M x 8)
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存:23
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+15.73
100+14.05
10000+
量大可议价
合计:15.73
现在下单1小时内发货
MT41K64M16TW-107 IT:J 产品实物图片
封装:96-FBGA(8x14)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量1Gb (64M x 16)
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存:23
批次 : 23+
最小包 : 1368
起订量 : 1
增量 : 1
1+12.27
100+11.15
684+10.84
20520+
量大可议价
合计:12.27
现在下单1小时内发货
MT53D512M32D2DS-053 WT:D 产品实物图片
封装:200-WFBGA(10x14.5)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量16Gb(512M x 32)
描述:IC DRAM 16G 1866MHZ
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1360
起订量 : 1
增量 : 1
1+40.65
100+36.95
680+35.88
13600+
量大可议价
合计:40.65
现在下单1小时内发货
MT40A1G8SA-075:E 产品实物图片
封装:78-FBGA(7.5x11)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR4
存储容量8Gb (1G x 8)
描述:DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1Gx8 1.2V 78-Pin FBGA Tray
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1260
起订量 : 1
增量 : 1
1+22.07
100+20.06
630+19.47
12600+
量大可议价
合计:22.07
现在下单1小时内发货
MT40A1G8SA-062E IT:E 产品实物图片
封装:78-FBGA(7.5x11)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR4
存储容量8Gb (1G x 8)
描述:IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1260
起订量 : 1
增量 : 1
1+22.07
100+20.06
630+19.47
12600+
量大可议价
合计:22.07
现在下单1小时内发货
MT40A2G8SA-062E IT:F 产品实物图片
封装:FBGA-78
手册:-
描述:动态随机存取存储器 DDR4 16G 2GX8 FBGA IT
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+48.77
100+44.34
1000+43.05
20000+
量大可议价
合计:48.77
现在下单1小时内发货
MT47H128M8SH-25E:M 产品实物图片
封装:60-FBGA(8x10)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb(128M x 8)
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+13.93
100+12.67
1000+12.29
20000+
量大可议价
合计:13.93
现在下单1小时内发货
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 产品实物图片
封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量4Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)45ns
页写入时间(Tprog)300us
描述:闪存 SLC NAND 4 Gbit 512M x 8位 并行口 TSOP-I 48 引脚
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+14.9
100+13.3
15000+
量大可议价
合计:14.9
现在下单1小时内发货
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E 产品实物图片
封装:63-VFBGA(9x11)
手册:-
存储容量1Gbit
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
接口类型并口(Parallel)
描述:闪存-NAND-存储器-IC-1Gb(128M-x-8)-并联-63-VFBGA(9x11)
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+17.84
100+15.93
10000+
量大可议价
合计:17.84
现在下单1小时内发货
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