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美光科技公司

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)成立于1978年,总部位于美国爱达荷州博伊西,是全球领先的半导体存储解决方案供应商之一。美光专注于生产动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(NAND)、固态硬盘(SSD)和CMOS图像传感器等多种半导体产品。公司致力于为计算机、移动设备、数据中心、汽车电子等多个领域提供高性能的存储解决方案,满足日益增长的市场需求。美光在全球拥有超过四万名员工,并在中国设有多个办事处和工厂,积极拓展其在亚太地区的市场份额。近年来,美光通过技术创新和战略收购不断增强其市场竞争力,尤其是在人工智能和数据中心等新兴应用领域表现突出。

分类 :
全部DDR SDRAMNOR FLASH存储器NAND FLASH同步动态随机存取内存(SDRAM)EMMC单片机(MCU/MPU/SOC)存储器
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
MT25QU128ABA8ESF-0SIT 产品实物图片
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封装:16-SO
手册:-
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NOR
存储容量128Mb (16M x 8)
描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
库存:90
批次 : 23+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+7.06
1440+6.83
14400+
量大可议价
合计:7.06
MT41K256M8DA-125 IT:K 产品实物图片
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封装:78-FBGA(8x10.5)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量2Gb (256M x 8)
描述:IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
库存:34
批次 : 24+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.25
1440+10
14400+
量大可议价
合计:10.25
MT29F1G08ABAEAWP:E 产品实物图片
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封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量1Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)20ns
页写入时间(Tprog)200us
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存:30
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.08
1000+7.8
10000+
量大可议价
合计:8.08
MT41K512M8DA-107:P 产品实物图片
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封装:78-FBGA(8x10.5)
手册:-
存储容量4Gb (512M x 8)
技术SDRAM - DDR3L
访问时间20ns
安装类型表面贴装型
描述:SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-(512M-x-8)-并联-933MHz-20ns-78-FBGA(8x10.5)
库存:30
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.71
2000+8.42
20000+
量大可议价
合计:8.71
MT25QU128ABA1EW7-0SIT 产品实物图片
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封装:8-WPDFN(6x5)(MLP8)
手册:-
接口类型SPI
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)166MHz
工作电压1.7V~2V
描述:FLASH-NOR-存储器-IC-128Mb-(16M-x-8)-SPI-133MHz-8-WPDFN(6x5)(MLP8)
库存:28
批次 : 23+
最小包 : 2940
起订量 : 1
增量 : 1
1+9.53
2940+9.2
29400+
量大可议价
合计:9.53
MT41K128M16JT-125:K 产品实物图片
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封装:144-µBGA(18.5x11)
手册:-
制造商Micron Technology Inc.
包装托盘
零件状态有源
存储器类型易失
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存:27
批次 : 5年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+8.28
2000+8
20000+
量大可议价
合计:8.28
MT41K64M16TW-107 IT:J 产品实物图片
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封装:96-FBGA(8x14)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量1Gb (64M x 16)
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存:23
批次 : 23+
最小包 : 1368
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.84
1368+10.57
20520+
量大可议价
合计:10.84
MT47H128M8SH-25E:M 产品实物图片
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封装:60-FBGA(8x10)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb(128M x 8)
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+12.29
2000+12
20000+
量大可议价
合计:12.29
MT40A1G8SA-075:E 产品实物图片
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封装:78-FBGA(7.5x11)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR4
存储容量8Gb (1G x 8)
描述:DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1Gx8 1.2V 78-Pin FBGA Tray
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1260
起订量 : 1
增量 : 1
1+19.47
1260+19
12600+
量大可议价
合计:19.47
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E 产品实物图片
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封装:63-VFBGA(9x11)
手册:-
存储容量1Gbit
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
接口类型并口(Parallel)
描述:闪存-NAND-存储器-IC-1Gb(128M-x-8)-并联-63-VFBGA(9x11)
库存:20
批次 : 23+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+15.93
1000+15.5
10000+
量大可议价
合计:15.93
MT47H128M8SH-25E IT:M 产品实物图片
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封装:FBGA-60(8x10)
手册:-
存储器构架(格式)SDRAM DDR2
时钟频率(fc)333MHz
存储容量1Gbit
工作电压1.8V~1.9V
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
库存:18
批次 : 24+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+13.84
2000+13.5
20000+
量大可议价
合计:13.84
MT48LC16M16A2P-6A:G 产品实物图片
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封装:54-TSOP II
手册:-
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)167MHz
工作电压3V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
描述:DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray
库存:18
批次 : 24+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+15.89
2000+15.5
20000+
量大可议价
合计:15.89
MT46V32M16P-5B:J 产品实物图片
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封装:66-TSOP
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR
存储容量512Mb (32M x 16)
描述:DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray
库存:17
批次 : 23+
最小包 : 1080
起订量 : 1
增量 : 1
1+19.79
1080+19.3
10800+
量大可议价
合计:19.79
MT25QL128ABA8ESF-0SIT 产品实物图片
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封装:16-SO
手册:-
接口类型SPI
存储容量128Mbit
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
描述:NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 6ns 16-Pin SOP-II Tray
库存:15
批次 : 23+
最小包 : 1440
起订量 : 1
增量 : 1
1+7.07
1440+6.84
14400+
量大可议价
合计:7.07
MT25QL512ABB8E12-0SIT 产品实物图片
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封装:24-T-PBGA(6x8)
手册:-
存储器类型非易失
存储容量512Mb (64M x 8)
写周期时间 - 字,页8ms,2.8ms
安装类型表面贴装型
描述:FLASH-NOR-存储器-IC-512Mb-(64M-x-8)-SPI-133MHz-24-T-PBGA(6x8)
库存:11
批次 : 23+
最小包 : 1122
起订量 : 1
增量 : 1
1+26.65
1122+26
11220+
量大可议价
合计:26.65
MT29F2G08ABAEAWP:E 产品实物图片
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封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量2Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)20ns
页写入时间(Tprog)200us
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存:11
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+10.49
1000+10.2
10000+
量大可议价
合计:10.49
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 产品实物图片
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封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量4Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)45ns
页写入时间(Tprog)300us
描述:闪存 SLC NAND 4 Gbit 512M x 8位 并行口 TSOP-I 48 引脚
库存:10
批次 : 23+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+13.3
1000+12.94
15000+
量大可议价
合计:13.3
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 产品实物图片
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封装:8-U-PDFN(8x6)
手册:-
存储容量2Gbit
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
接口类型SPI
描述:NAND FLASH -40℃~+85℃ 2Gbit SPI 2.7V~3.6V UPDFN-8
库存:10
批次 : 23+
最小包 : 650
起订量 : 1
增量 : 1
1+6.73
650+6.5
6500+
量大可议价
合计:6.73
MT41K256M16TW-107 AIT:P 产品实物图片
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封装:96-FBGA(8x14)
手册:-
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量4Gb (256M x 16)
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V Automotive AEC-Q100 96-Pin FBGA Tray
库存:9
批次 : 23+
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+26.65
2000+26
20000+
量大可议价
合计:26.65
MT29F4G08ABADAWP:D 产品实物图片
15领取
封装:48-TSOP I
手册:-
存储容量4Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(tWC)20ns
页写入时间(Tprog)200us
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
库存:8
批次 : 23+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+13.37
1000+13
10000+
量大可议价
合计:13.37
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