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安森美

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

分类 :
全部稳压二极管三极管(BJT)场效应管(MOSFET)线性稳压器(LDO)二极管 - 整流器 - 单肖特基二极管运算放大器瞬态抑制二极管(TVS)光耦-光电晶体管输出逻辑 - 栅极和逆变器数字晶体管逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器开关二极管静电放电(ESD)保护器件AC-DC控制器和稳压器栅极驱动IC功率电子开关二极管 - 整流器 - 阵列快恢复/超快恢复二极管模拟开关/多路复用器通用二极管结型场效应管(JFET)光耦-可控硅信号输出监控和复位芯片DC-DC电源芯片DC-DC控制芯片光耦-逻辑输出逻辑门比较器反相器IGBT管/模块电压基准芯片EEPROM寄存器存储器LED驱动触发器整流桥电机驱动芯片转换器/电平移位器缓冲器/驱动器信号开关/编解码器/多路复用器存储器肖特基二极管
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT4401LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:898504复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0756
3000+0.06
30000+
量大可议价
合计:0.08
MBR0540T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
手册:-
正向压降(Vf)510mV@500mA复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流500mA复制
反向电流(Ir)20uA@40V复制
库存:586567复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.186
3000+0.165
30000+
量大可议价
合计:0.19
BAT54SLT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:466219复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.123
3000+0.098
30000+
量大可议价
合计:0.12
MMBD7000LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)750mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:429651复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.068
3000+0.054
30000+
量大可议价
合计:0.07
MMSD4148T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:318901复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0731
3000+0.058
45000+
量大可议价
合计:0.07
LM2904DR2G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-8复制
手册:-
放大器数双路复制
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V复制
输入失调电压(Vos)2mV复制
输入失调电压温漂(Vos TC)7uV/℃复制
库存:305312复制
批次 : 25+复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.262
2500+0.225
25000+
量大可议价
合计:0.26
BAT54CLT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对共阴极复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:270858复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.113
3000+0.0899
30000+
量大可议价
合计:0.11
BC847BLT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:253134复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0807
3000+0.062
30000+
量大可议价
合计:0.08
MMBT2222ALT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:248235复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0705
3000+0.056
30000+
量大可议价
合计:0.07
BAT54HT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-323复制
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
反向电流(Ir)2uA@25V复制
库存:227473复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0971
3000+0.077
30000+
量大可议价
合计:0.1
S1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
手册:-
正向压降(Vf)1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr)400V复制
整流电流1A复制
反向电流(Ir)1uA@400V复制
库存:222115复制
批次 : 24+复制
最小包 : 7500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.299
7500+0.275
75000+
量大可议价
合计:0.3
2N7002LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)115mA复制
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V复制
库存:209012复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.123
3000+0.098
30000+
量大可议价
合计:0.12
LL4148 产品实物图片
自营LL4148复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-80复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流150mA复制
库存:171230复制
批次 : 25+复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0896
2500+0.0699
25000+
量大可议价
合计:0.09
BZX84C15LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置独立式复制
稳压值(标称值)15V复制
反向电流(Ir)50nA@10.5V复制
稳压值(范围)13.8V~15.6V复制
库存:149950复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.101
3000+0.08
30000+
量大可议价
合计:0.1
S1M 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
手册:-
正向压降(Vf)1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr)1kV复制
整流电流1A复制
反向电流(Ir)1uA@1kV复制
库存:143866复制
批次 : 25+复制
最小包 : 7500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.279
7500+0.253
45000+
量大可议价
合计:0.28
MMBF4392LT1G 产品实物图片
自营MMBF4392LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
栅源截止电压(VGS(off))2V@10nA复制
栅源击穿电压(Vgss)30V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
漏源电流(Idss)25mA@15V复制
库存:139311复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.435
3000+0.407
45000+
量大可议价
合计:0.44
BC817-16LT1G 产品实物图片
自营BC817-16LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:133763复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.127
3000+0.1
30000+
量大可议价
合计:0.13
MMBT5550LT1G 产品实物图片
自营MMBT5550LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)140V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:123452复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.13
3000+0.115
45000+
量大可议价
合计:0.13
BC857BLT1G 产品实物图片
自营BC857BLT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:123050复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.127
3000+0.1
30000+
量大可议价
合计:0.13
MMBD914LT1G 产品实物图片
自营MMBD914LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:120010复制
批次 : 24+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0668
3000+0.053
30000+
量大可议价
合计:0.07
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