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安森美

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

分类 :
全部稳压二极管(457)三极管(BJT)(404)场效应管(MOSFET)(403)线性稳压器(LDO)(301)二极管 - 整流器 - 单(123)运算放大器(96)肖特基二极管(96)光耦-光电晶体管输出(90)逻辑 - 栅极和逆变器(74)瞬态抑制二极管(TVS)(73)数字晶体管(59)AC-DC控制器和稳压器(53)开关二极管(49)快恢复/超快恢复二极管(47)逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器(47)光耦-可控硅信号输出(45)功率电子开关(45)静电放电(ESD)保护器件(41)DC-DC控制芯片(37)二极管 - 整流器 - 阵列(37)模拟开关/多路复用器(36)通用二极管(36)监控和复位芯片(35)栅极驱动IC(34)比较器(29)光耦-逻辑输出(29)IGBT管/模块(28)反相器(24)DC-DC电源芯片(23)EEPROM(22)结型场效应管(JFET)(22)电压基准芯片(21)逻辑门(21)缓冲器/驱动器(17)LED驱动(15)触发器(14)肖特基二极管(14)电机驱动芯片(13)转换器/电平移位器(13)存储器(13)寄存器(11)存储器(11)EMI滤波器(RC,LC网络)(10)信号开关/编解码器/多路复用器(10)整流桥(8)通用二极管(8)电流源/恒流源(7)达林顿管(7)共模滤波器(6)计数器/分频器(6)模拟开关-特殊用途(5)逻辑门(5)定时器/计时器/时钟振荡器(4)USB芯片(4)专业电源管理(PMIC)(4)锁存器(4)单稳态多谐振荡器(4)智能功率模块(4)接口 - 驱动器,接收器,收发器(4)I/O扩展器(3)视频接口芯片(3)其他接口(3)开发板(3)RF其它IC和模块(3)LED驱动(3)反相器(3)浪涌保护器(2)时钟发生器/频率合成器/PLL(2)逻辑器件(2)串行器/解串器(2)电源开关 IC - 配电(2)电池管理(2)晶闸管(可控硅)/模块(2)EEPROM(2)开关二极管(2)接口 - 控制器(2)ESD 抑制器/TVS 二极管(1)精密运放(1)音频功率放大器(1)视频放大器(1)数字电位器(1)LED保护(1)时钟缓冲器,驱动器(1)图像传感器(1)温度传感器(1)反射式光电开关(1)音频接口芯片(1)LED显示驱动(1)其他照明驱动(1)RF放大器(1)D-SUB/DVI/HDMI连接器(1)USB芯片(1)专用 IC(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:1762166
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0599
3000+0.0475
30000+
量大可议价
合计:0.06
BAV99LT1G 产品实物图片
自营BAV99LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流215mA
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA SOT-23
库存:1364773
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0669
3000+0.0531
30000+
量大可议价
合计:0.07
MMBT2222ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN SOT-23
库存:1011813
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0598
3000+0.0475
30000+
量大可议价
合计:0.06
MMBT4401LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN SOT-23
库存:622197
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0626
3000+0.0497
30000+
量大可议价
合计:0.06
MMBT3906LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA PNP SOT-23(TO-236)
库存:531177
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0555
3000+0.0441
30000+
量大可议价
合计:0.06
BAT54T1G 产品实物图片
自营BAT54T1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-123
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA@25V
描述:肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2uA@25V 200mA SOD-123
库存:487311
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.119
3000+0.105
30000+
量大可议价
合计:0.12
BSS138LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.6Ω@2.75V
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存:473932
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.14
3000+0.124
30000+
量大可议价
合计:0.14
MMBT4403LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA PNP SOT-23
库存:473710
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.079
3000+0.0627
45000+
量大可议价
合计:0.08
NSVBAS21AHT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-323
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 200V 200mA SOT-323
库存:443989
批次 : 22+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.226
3000+0.2
30000+
量大可议价
合计:0.23
BC817-16LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN SOT-23
库存:381451
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.111
3000+0.088
30000+
量大可议价
合计:0.11
BAS21LT1G 产品实物图片
自营BAS21LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOT-23
库存:366114
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0756
3000+0.06
30000+
量大可议价
合计:0.08
BAV70LT1G 产品实物图片
自营BAV70LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
描述:开关二极管 1对共阴极 1.25V@150mA 100V 200mA SOT-23
库存:364633
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0693
3000+0.055
30000+
量大可议价
合计:0.07
MMBTA42LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)300V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 300V 500mA NPN SOT-23
库存:357249
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.114
3000+0.101
30000+
量大可议价
合计:0.11
MMBD4148SE 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)1V@10mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
描述:通用二极管 1对串联式 1V@10mA 100V 200mA SOT-23
库存:336343
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.277
3000+0.245
30000+
量大可议价
合计:0.28
1N4007RLG 产品实物图片
自营1N4007RLG
品牌:ON(安森美)
封装:DO-41
手册:-
正向压降(Vf)930mV@1A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流1A
反向电流(Ir)50nA@1kV
描述:通用二极管 930mV@1A 1kV 50nA@1kV 1A DO-41
库存:335011
批次 : 24+
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.166
5000+0.151
50000+
量大可议价
合计:0.17
BC846ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 300mW 65V 100mA NPN SOT-23
库存:308819
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0907
3000+0.072
30000+
量大可议价
合计:0.09
MMBD914LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1V@10mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 100V 200mA SOT-23
库存:281693
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0819
3000+0.065
30000+
量大可议价
合计:0.08
ESD9B5.0ST5G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-923
手册:-
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
击穿电压5.8V
通道数单路
描述:-夹子-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-SOD-923
库存:271853
批次 : 24+
最小包 : 8000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.104
8000+0.085
80000+
量大可议价
合计:0.1
MMBTA56LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 80V 500mA PNP SOT-23
库存:266864
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.114
3000+0.101
30000+
量大可议价
合计:0.11
S1M 产品实物图片
自营S1M
品牌:ON(安森美)
封装:SMA(DO-214AC)
手册:-
正向压降(Vf)1.1V@1A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流1A
反向电流(Ir)1uA@1kV
描述:通用二极管 1.1V@1A 1kV 1uA@1kV 1A SMA(DO-214AC)
库存:259891
批次 : 2年内
最小包 : 7500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.294
7500+0.27
75000+
量大可议价
合计:0.29
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