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安森美

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

分类 :
全部稳压二极管三极管(BJT)场效应管(MOSFET)线性稳压器(LDO)二极管 - 整流器 - 单瞬态抑制二极管(TVS)肖特基二极管光耦-光电晶体管输出运算放大器逻辑 - 栅极和逆变器数字晶体管AC-DC控制器和稳压器逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器开关二极管功率电子开关快恢复/超快恢复二极管静电放电(ESD)保护器件监控和复位芯片栅极驱动IC二极管 - 整流器 - 阵列光耦-可控硅信号输出模拟开关/多路复用器通用二极管DC-DC控制芯片比较器DC-DC电源芯片光耦-逻辑输出结型场效应管(JFET)电压基准芯片IGBT管/模块反相器逻辑门LED驱动EEPROM缓冲器/驱动器电机驱动芯片开发板转换器/电平移位器肖特基二极管触发器整流桥存储器EMI滤波器(RC,LC网络)寄存器信号开关/编解码器/多路复用器存储器
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT3904LT1G 产品实物图片
自营MMBT3904LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:1500460
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0479
3000+0.0381
45000+
量大可议价
合计:0.05
2N7002KT1G 产品实物图片
自营2N7002KT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V,200mA
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道 SOT-23
库存:452388
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.111
3000+0.088
30000+
量大可议价
合计:0.11
NSVBAS21AHT1G 产品实物图片
自营NSVBAS21AHT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-323
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 200V 200mA SOT-323
库存:414962
批次 : 22+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.192
3000+0.17
30000+
量大可议价
合计:0.19
BAT54T1G 产品实物图片
自营BAT54T1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-123
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA@25V
描述:肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2uA@25V 200mA SOD-123
库存:409204
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0883
3000+0.0699
45000+
量大可议价
合计:0.09
MMBD4148SE 产品实物图片
自营MMBD4148SE
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)1V@10mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
描述:通用二极管 1对串联式 1V@10mA 100V 200mA SOT-23
库存:350169
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.226
3000+0.2
45000+
量大可议价
合计:0.23
MMBD7000LT1G 产品实物图片
自营MMBD7000LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)750mV@100mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
描述:开关二极管 1对串联式 750mV@100mA 100V 200mA SOT-23
库存:318454
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0641
3000+0.0509
30000+
量大可议价
合计:0.06
BAS21LT1G 产品实物图片
自营BAS21LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOT-23
库存:305499
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0684
3000+0.0542
45000+
量大可议价
合计:0.07
MMBT5551LT1G 产品实物图片
自营MMBT5551LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
耗散功率(Pd)300mW
描述:三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN SOT-23
库存:288051
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0693
3000+0.055
45000+
量大可议价
合计:0.07
BSS84LT1G 产品实物图片
自营BSS84LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V,100mA
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道 SOT-23
库存:282566
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.123
3000+0.109
45000+
量大可议价
合计:0.12
MMBT4403LT1G 产品实物图片
自营MMBT4403LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA PNP SOT-23
库存:266934
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0661
3000+0.0525
45000+
量大可议价
合计:0.07
BC817-16LT1G 产品实物图片
自营BC817-16LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN SOT-23
库存:260044
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0945
3000+0.075
45000+
量大可议价
合计:0.09
MMBTA56LT1G 产品实物图片
自营MMBTA56LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 80V 500mA PNP SOT-23
库存:249168
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.107
3000+0.085
45000+
量大可议价
合计:0.11
BAS21HT1G 产品实物图片
自营BAS21HT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-323
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOD-323
库存:232924
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0731
3000+0.058
45000+
量大可议价
合计:0.07
BC846ALT1G 产品实物图片
自营BC846ALT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 65V 100mA NPN SOT-23
库存:231971
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0746
3000+0.0592
45000+
量大可议价
合计:0.07
MMBTA06LT1G 产品实物图片
自营MMBTA06LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 225mW 80V 500mA NPN SOT-23
库存:229003
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0903
3000+0.0716
45000+
量大可议价
合计:0.09
BAT54HT1G 产品实物图片
自营BAT54HT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-323
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA@25V
描述:肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2uA@25V 200mA SOD-323
库存:209602
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0883
3000+0.0699
30000+
量大可议价
合计:0.09
MMBT4401LT1G 产品实物图片
自营MMBT4401LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN SOT-23
库存:197047
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.057
3000+0.0452
30000+
量大可议价
合计:0.06
BC847BLT1G 产品实物图片
自营BC847BLT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN SOT-23
库存:176175
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0732
3000+0.0581
45000+
量大可议价
合计:0.07
BC846BDW1T1G 产品实物图片
自营BC846BDW1T1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-363
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)380mW
描述:三极管(BJT) 380mW 65V 100mA NPN SOT-363
库存:174508
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.122
3000+0.108
45000+
量大可议价
合计:0.12
RB751S40T1G 产品实物图片
自营RB751S40T1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOD-523
手册:-
正向压降(Vf)370mV@1mA
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流30mA
反向电流(Ir)500nA@30V
描述:肖特基二极管 370mV@1mA 40V 500nA@30V 30mA SOD-523
库存:172386
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.127
3000+0.1
45000+
量大可议价
合计:0.13
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