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ON(安森美) 品牌logo图

ON(安森美)

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

类目:
  • 场效应管(MOSFET)
  • 稳压二极管
  • 三极管(BJT)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 肖特基二极管
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 逻辑门
  • 晶体管输出光耦
  • 通用二极管
  • 快恢复/高效率二极管
  • 缓冲器/驱动器/收发器
  • AC-DC控制器和稳压器
  • 运算放大器
  • 数字晶体管
  • 开关二极管
  • 反相器
  • 栅极驱动芯片
  • DC-DC电源芯片
  • IGBT管/模块
  • EEPROM
  • 逻辑输出光耦
  • 功率电子开关
  • 可控硅输出光耦
  • LED驱动
  • 监控和复位芯片
  • 达林顿管
  • 模拟开关/多路复用器
  • 信号开关/编解码器/多路复用器
  • 电压基准芯片
  • 整流桥
  • 比较器
  • 转换器/电平移位器
  • 结型场效应管(JFET)
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
  • 触发器
  • 碳化硅二极管
  • 精密运放
  • 锁存器
  • 移位寄存器
  • 计数器/分频器
  • 智能功率模块(IPM)
  • EMI滤波器(RC,LC网络)
  • 时钟缓冲器/驱动器/分配器
  • USB转换芯片
  • 浪涌保护器
  • CAN收发器
  • 同步整流控制器
  • 开发板
  • 时钟发生器/频率合成器/PLL
  • 功率因数校正(PFC)控制器
  • 隔离式栅极驱动器
  • 电流感应放大器
  • 其他接口
  • 专业电源管理(PMIC)
  • LVDS芯片
  • 温度传感器
  • FET输入运放
  • 红外发射管
  • LIN收发器
  • 音频功率放大器
  • 特殊逻辑IC
  • 达林顿晶体管阵列
  • 数字隔离器
  • 继电器/线圈驱动芯片
  • 光电晶体管
  • 光电二极管
  • I/O扩展器
  • 单稳态多谐振荡器
  • 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
  • 步进电机驱动芯片
  • 图像传感器
  • 定时器/计时器
  • 电荷泵
  • 环境光传感器
  • 无线收发芯片
  • 视频放大器
  • 射频开关
  • RF调制器和解调器
  • 有刷直流电机驱动芯片
  • ADC/DAC-专用型
  • 反射式光电开关
  • 电池管理
  • RF放大器
  • 理想二极管/ORING控制器
  • 漏电保护芯片
  • 隔离电源模块
  • 数字电位器
  • 模数转换芯片ADC
  • 以太网供电(POE)控制器
  • LCD驱动
  • 时钟延迟
  • NOR FLASH
  • 模拟开关-特殊用途
  • 视频接口芯片
  • 共模滤波器
  • 串行器/解串器
  • 音频接口芯片
  • 其他模块
  • 信号缓冲器/中继器/分配器
  • 特殊功能放大器
  • 模拟前端(AFE)
  • LED保护
  • 专用时钟/计时
  • 电信接口IC
  • 压控振荡器(VCO)
  • 单片机(MCU/MPU/SOC)
  • 数字信号处理器(DSP/DSC)
  • 插拔式接线端子
  • AC-DC电源模块
  • 栅极驱动光耦
  • 555定时器/计时器
  • 以太网收发器
  • 以太网控制器
封装:
  • SOT-23
  • SOIC-8
  • SOD-123
  • SOIC-14
  • SOD-323
  • DPAK
  • TO-220
  • TSOP-5
  • SOT-223
  • SOIC-16
  • DO-41
  • SOT-23-3
  • TO-92-3
  • TSSOP-14
  • SMB
  • 8-SOIC
  • SOD-523
  • DO-35
  • SMA
  • TO-92-3L
  • TO-247-3
  • SOT-363
  • SMA(DO-214AC)
  • SOT-23-5
  • SO-8
  • SOT-23-3(TO-236)
  • TO-220-3
  • D2PAK
  • SOD-923
  • SMD-6P
  • SOIC-20-300MIL
  • DIP-6
  • 14-SOIC
  • TSSOP-20
  • TO-252(DPAK)
  • SC-70-5
  • TO-92
  • TO-252-2(DPAK)
  • SO-8FL
  • SOD-123FL
  • TSOP-5-1.5MM
  • SC-88
  • SOT-223-4
  • TSOP-6
  • 16-SOIC
  • DO-27
  • SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
  • SOT-563
  • TSSOP-16
  • SMD-4P
  • DO-201AD
  • D2PAK-5
  • TO-92(TO-226)
  • SUPERSOT-6
  • DPAK-3
  • XDFN-4-EP(1X1)
  • TO-225-3
  • 14-TSSOP
  • 待确认
  • SOT-723
  • TSOT-23-5
  • SC-70-6
  • TO-220F
  • TO-252
  • SOT-353
  • TO-220AB
  • TO-263-2
  • 轴向
  • TO-252AA
  • SC-74
  • SMB(DO-214AA)
  • SOD-323FL
  • DIP-8
  • SOT-223-3
  • TO-247
  • SC-70
  • SOIC-16-300MIL
  • MSOP-8
  • WDFN-8(3.3X3.3)
  • XDFN-4(1X1)
  • 20-TSSOP
  • SC-70(SOT-323)
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 插件,D3.3XL8.4MM
  • DPAK(TO-252)
  • SMC(DO-214AB)
  • TSSOP-8
  • SC-70-3
  • TO-220F-3
  • TO-247-4L
  • 6-DIP
  • DO-214AA(SMB)
  • SOD-323F
  • TSOP-6-1.5MM
  • 6-SMD
  • TO-277-3
  • WDFN-6(2X2)
  • 插件,D1.53XL3.05MM
  • SOP-8-2.54MM
  • UDFN-4-EP(1X1)
  • DFN-5(5.9X4.9)
  • SC-59
  • TO-252-3
  • TO-264-3
  • SC-75(SOT-416)
  • SC-88A
  • GBPC
  • SOD-80
  • SOP-8
  • TO-247-4
  • WDFN-6-EP(2X2)
  • SOT-323
  • SOT-89
  • SUPERSOT™-6
  • TO-220-2
  • SOIC-7
  • TO-247-2
  • TO-247-3L
  • XDFN-6(1.2X1.2)
  • 017AA-2
  • PDIP-8
  • SC-70-6(SOT-363)
  • 8-TSSOP
  • GBPC-W
  • PQFN-8(5X6)
  • SSOT-6
  • TSOT-23-6
  • SOT-723-3
  • SC-70-3(SOT323)
  • SMC
  • SOT-23-3L
  • TO-220FP-3
  • TO-3PN
  • 20-SOIC
  • DFN-8-EP(3X3)
  • DPAK-5
  • SC-82AB
  • SOP-4-1.27MM
  • SOP-6-2.54MM
  • WLCSP-4(0.6X0.6)
  • DO-201
  • DO-216AA
  • SO-FL-8
  • SOD-123F
  • TO-126-3
  • TO-247-3LD
  • 插件,D3.3XL8.38MM
  • 16-TSSOP
  • DFN-5(5X6)
  • PDIP-6
  • PDIP-7
  • D2PAK-3
  • TO-220-5
  • US-8
  • 32-LQFP(7X7)
  • 6-CLCC(7X5)
  • D2PAK-7
  • SOD-123FA
  • TO-220FP
  • GBU
  • SC-74A-5
  • SOT-89-3
  • 8-DIP
  • DFN-8(5X6)
  • DO-204AL(DO-41)
  • DO-214AC
  • 插件,D2.03XL4.06MM
  • 32-QFN(5X5)
  • 5-TSOP
  • TO-263-7
  • 4-SDIP
  • D-PAK
  • MICRO-8
  • SC-88(SC-70-6)
  • SC-88-6
  • TO-252-2
  • 插件
  • DFN-10(3X3)
  • DO-41-2
  • PDIP-4
  • POWER-56-8
  • SOD-323HE
  • SOIC-4-175MIL
  • SOP-14
  • SOT-323-3
  • TO-204
  • 8-PQFN(5X6)
  • MSOP-10
  • SOD-123HE
  • VDFN-6(2X2)
  • WLCSP-4(0.8X0.8)
  • 4-SMD
  • 8-SMD
  • DFN-8(2X2)
  • DO-214AB(SMC)
  • PQFN-4(8X8)
  • SOT-223(TO-261)
  • 16-QFN(3X3)
  • LFPAK-4(5X6)
  • SOP-4-2.54MM
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
BAV99LT1G 产品实物图片
自营BAV99LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:开关二极管复制
¥15领取
二极管配置:1对串联式复制
整流电流:215mA复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
正向压降(Vf):1.25V@150mA复制
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA复制
库存:1995026复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0749
3000+¥0.0594
量大可议价
合计¥0.07
现在下单最快1小时发货
MMBT4401LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN复制
库存:1795432复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0735
3000+¥0.0583
量大可议价
合计¥0.07
现在下单最快1小时发货
BAV70LT1G 产品实物图片
自营BAV70LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:开关二极管复制
¥15领取
二极管配置:1对共阴极复制
耗散功率(Pd):225mW复制
整流电流:200mA复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
描述:开关二极管 1对共阴极 1.25V@150mA 100V 200mA复制
库存:995445复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0697
3000+¥0.0554
量大可议价
合计¥0.07
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MMBT2222ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制
库存:938986复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0693
3000+¥0.0549
量大可议价
合计¥0.07
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BC847BLT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):100mA复制
集射极击穿电压(Vceo):45V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN复制
库存:850233复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0605
3000+¥0.048
量大可议价
合计¥0.06
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MMBT3906LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA PNP复制
库存:626883复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.0584
3000+¥0.0463
量大可议价
合计¥0.06
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FDV301N 产品实物图片
自营FDV301N复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):25V复制
连续漏极电流(Id):220mA复制
导通电阻(RDS(on)):5Ω@2.7V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道复制
库存:612617复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.122
3000+¥0.108
量大可议价
合计¥0.12
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BC817-25LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):45V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN复制
库存:523143复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.103
3000+¥0.082
量大可议价
合计¥0.1
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NTR4501NT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3.2A复制
导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.2A 1个N沟道复制
库存:456709复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.381
3000+¥0.356
量大可议价
合计¥0.38
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MMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN复制
库存:345319复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0567
3000+¥0.045
量大可议价
合计¥0.06
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BAV199LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:通用二极管复制
¥15领取
二极管配置:1对串联式复制
正向压降(Vf):1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr):70V复制
整流电流:215mA复制
描述:通用二极管 1对串联式 1.25V@150mA 70V 215mA复制
库存:328489复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.107
3000+¥0.085
量大可议价
合计¥0.11
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NSVR0340HT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-323复制
类目:肖特基二极管复制
¥15领取
二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):590mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:250mA复制
描述:肖特基二极管 590mV@200mA 40V 6uA@40V 250mA复制
库存:315775复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.342
3000+¥0.32
量大可议价
合计¥0.34
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NSVR0340HT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-323复制
类目:肖特基二极管复制
¥15领取
二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):590mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:250mA复制
描述:肖特基二极管 590mV@200mA 40V 6uA@40V 250mA复制
库存:3复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.33516
量大可议价
合计¥0.34
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MMSZ5231BT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
类目:稳压二极管复制
¥15领取
二极管配置:1个独立式复制
稳压值(标称值):5.1V复制
反向电流(Ir):5uA复制
稳压值(范围):4.85V~5.36V复制
描述:稳压二极管 独立式 5.1V 4.85V~5.36V 5uA@2V复制
库存:314981复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.113
3000+¥0.0899
量大可议价
合计¥0.11
现在下单最快1小时发货
BSS123LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
¥15领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):170mA复制
导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道复制
库存:309041复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.158
3000+¥0.14
量大可议价
合计¥0.16
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BC817-40LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):45V复制
耗散功率(Pd):225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN复制
库存:297787复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.128
3000+¥0.113
量大可议价
合计¥0.13
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