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ON(安森美) 品牌logo图

ON(安森美)

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT2222ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN复制
库存:2539106复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0693
3000+0.055
量大可议价
合计0.07
现在下单最快1小时发货
BAV99LT1G 产品实物图片
自营BAV99LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
二极管配置1对串联式复制
整流电流215mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA复制
库存:1954922复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0693
3000+0.055
量大可议价
合计0.07
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BC847BLT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN复制
库存:298545复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0756
3000+0.06
量大可议价
合计0.08
现在下单最快1小时发货
MMBT4403LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA PNP复制
库存:296484复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.0756
3000+0.06
量大可议价
合计0.08
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MMBD914LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
二极管配置独立式复制
耗散功率(Pd)225mW复制
整流电流200mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 100V 200mA复制
库存:289217复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0693
3000+0.055
量大可议价
合计0.07
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MMBT5551LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)160V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN复制
库存:282935复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0807
3000+0.064
量大可议价
合计0.08
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MMBTA06LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)80V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 80V 500mA NPN复制
库存:280520复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.11
3000+0.087
量大可议价
合计0.11
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MMBT3904LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN复制
库存:272691复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0605
3000+0.048
量大可议价
合计0.06
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MMBT2907ALT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)60V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 300mW 60V 600mA PNP复制
库存:263938复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0883
3000+0.0699
量大可议价
合计0.09
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MMBTA42LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)300V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
描述:三极管(BJT) 225mW 300V 500mA NPN复制
库存:244706复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.136
3000+0.12
量大可议价
合计0.14
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MRA4007T3G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)1.18V@2A复制
直流反向耐压(Vr)1kV复制
整流电流1A复制
描述:通用二极管 1.18V@2A 1kV 10uA@1kV 1A复制
库存:231067复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.223
5000+0.202
量大可议价
合计0.22
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MRA4007T3G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)1.18V@2A复制
直流反向耐压(Vr)1kV复制
整流电流1A复制
描述:通用二极管 1.18V@2A 1kV 10uA@1kV 1A复制
库存:10复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.21854
量大可议价
合计0.22
现在下单最快1小时发货
LM2904DR2G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-8复制
放大器数2复制
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V复制
输入失调电压(Vos)2mV复制
输入失调电压温漂(Vos TC)7uV/℃复制
描述:运算放大器 40mA 双路 45nA 1MHz复制
库存:219272复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.242
2500+0.212
量大可议价
合计0.24
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MMSZ4697T1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
二极管配置1个独立式复制
稳压值(标称值)10V复制
反向电流(Ir)1uA@7.6V复制
稳压值(范围)9.5V~10.5V复制
描述:稳压二极管 独立式 10V 9.5V~10.5V 1uA@7.6V复制
库存:191453复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.13
3000+0.115
量大可议价
合计0.13
现在下单最快1小时发货
SS14 产品实物图片
自营SS14复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)500mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流1A复制
描述:肖特基二极管 500mV@1A 40V 200uA@40V 1A复制
库存:184967复制
最小包 : 7500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.436
7500+0.4
量大可议价
合计0.44
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SZNUP2105LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)24V复制
钳位电压44V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:稳压二极管 SZNUP2105LT1G 27EM复制
库存:180000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.267
3000+0.236
量大可议价
合计0.27
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