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安森美

安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,专注于智能电源和感知技术的创新。公司成立于1999年,前身为摩托罗拉的半导体部门,经过多次并购与整合,现已在汽车和工业市场中占据重要地位。安森美致力于推动可持续能源解决方案,帮助客户应对能源效率和安全性等挑战。其产品涵盖功率管理、信号处理和传感器等多个领域,广泛应用于电动汽车、工业自动化、5G基础设施等高增长市场。凭借强大的研发能力和全球化的生产网络,安森美不断推出高性能、高能效的半导体产品,以满足市场对智能化和电动化的需求。

分类 :
全部稳压二极管场效应管(MOSFET)三极管(BJT)线性稳压器(LDO)二极管 - 整流器 - 单肖特基二极管瞬态抑制二极管(TVS)运算放大器光耦-光电晶体管输出数字晶体管逻辑 - 栅极和逆变器AC-DC控制器和稳压器开关二极管逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器功率电子开关二极管 - 整流器 - 阵列监控和复位芯片快恢复/超快恢复二极管静电放电(ESD)保护器件栅极驱动IC模拟开关/多路复用器通用二极管DC-DC电源芯片光耦-可控硅信号输出DC-DC控制芯片比较器光耦-逻辑输出结型场效应管(JFET)电压基准芯片反相器IGBT管/模块逻辑门LED驱动触发器缓冲器/驱动器肖特基二极管电机驱动芯片寄存器转换器/电平移位器EEPROM开发板信号开关/编解码器/多路复用器整流桥存储器EMI滤波器(RC,LC网络)存储器
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
BAV99LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流215mA复制
库存:784979复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0655
3000+0.052
45000+
量大可议价
合计:0.07
MMBD4148SE 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:332727复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.218
3000+0.193
45000+
量大可议价
合计:0.22
MMBF4392LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
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栅源截止电压(VGS(off))2V@10nA复制
栅源击穿电压(Vgss)30V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
漏源电流(Idss)25mA@15V复制
库存:170251复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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1+0.459
3000+0.429
30000+
量大可议价
合计:0.46
MMBT5550LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)140V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:165965复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.124
3000+0.11
45000+
量大可议价
合计:0.12
BAT54T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
反向电流(Ir)2uA@25V复制
库存:165787复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0855
3000+0.0679
30000+
量大可议价
合计:0.09
MMSD4148T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:152300复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.068
3000+0.054
30000+
量大可议价
合计:0.07
BC846BDW1T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-363复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)65V复制
耗散功率(Pd)380mW复制
库存:148589复制
批次 : 24+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.119
3000+0.105
30000+
量大可议价
合计:0.12
MBR0540T1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-123复制
手册:-
正向压降(Vf)510mV@500mA复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流500mA复制
反向电流(Ir)20uA@40V复制
库存:145473复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.17
3000+0.15
45000+
量大可议价
合计:0.17
1N4148WS 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-323复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)75V复制
整流电流150mA复制
库存:140544复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.127
3000+0.1
45000+
量大可议价
合计:0.13
BAT54HT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOD-323复制
手册:-
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
反向电流(Ir)2uA@25V复制
库存:129033复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0907
3000+0.072
30000+
量大可议价
合计:0.09
MMBZ5231BLT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置独立式复制
稳压值(标称值)5.1V复制
反向电流(Ir)5uA复制
稳压值(范围)4.84V~5.36V复制
库存:104609复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.1
3000+0.0793
45000+
量大可议价
合计:0.1
BAT54SLT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:102137复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.107
3000+0.078
30000+
量大可议价
合计:0.11
MRA4007T3G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SMA(DO-214AC)复制
手册:-
正向压降(Vf)1.18V@2A复制
直流反向耐压(Vr)1kV复制
整流电流1A复制
反向电流(Ir)10uA@1kV复制
库存:97417复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.243
5000+0.22
50000+
量大可议价
合计:0.24
NCP1399ACDR2G 产品实物图片
自营NCP1399ACDR2G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-16-EP复制
手册:-
工作电压9.5V~15.8V复制
开关频率20kHz~750kHz复制
晶体管耐压600V复制
拓扑结构半桥式复制
库存:90000复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+2.35
2500+2.25
25000+
量大可议价
合计:2.35
MMBT5401LT1G 产品实物图片
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品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)150V复制
耗散功率(Pd)300mW复制
库存:96702复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.101
3000+0.08
45000+
量大可议价
合计:0.1
MMBD914LT1G 产品实物图片
自营MMBD914LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1V@10mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流200mA复制
库存:93573复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0591
3000+0.0469
45000+
量大可议价
合计:0.06
MMBTA13LT1G 产品实物图片
自营MMBTA13LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
类型NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
直流电流增益(hFE)10000复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:88628复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.11
3000+0.087
45000+
量大可议价
合计:0.11
MMBTA06LT1G 产品实物图片
自营MMBTA06LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)80V复制
耗散功率(Pd)225mW复制
库存:81847复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0903
3000+0.0716
45000+
量大可议价
合计:0.09
MMBD301LT1G 产品实物图片
自营MMBD301LT1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)450mV@1mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:81421复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.18
3000+0.158
45000+
量大可议价
合计:0.18
2N7002ET1G 产品实物图片
自营2N7002ET1G复制
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)310mA复制
导通电阻(RDS(on))3Ω@4.5V,50mA复制
库存:81162复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.116
3000+0.103
45000+
量大可议价
合计:0.12
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