2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3 产品概述

概述

2N7002E-T1-E3 是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件专为低电压及中等功率应用而设计，适合用于开关和放大电路，尤其是在需要高效率和小型化的现代电子设备中。

基础参数

该器件的主要电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）: 60V，意味着该MOSFET在最大工作电压下能有效控制电流。
• 连续漏极电流（Id）: 240mA（在25°C环境温度下），为较小功率应用提供了充足的驱动能力。
• 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250µA，反映了开启 MOSFET 所需的最小栅极电压。
• 漏源导通电阻: 3Ω @ 250mA, 10V，这一参数表明了器件在导通状态下的电阻，较低的导通电阻有助于减少功耗和热量生成。
• 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW，代表该器件在正常工作温度下能够承受的最大功率，确保其可在一定条件下稳定工作。

驱动特性

2N7002E-T1-E3 的驱动性能表现优异：

• 驱动电压: 嵌入电路时可以使用的最大 Rds On 和最小 Rds On 驱动电压为 4.5V 和 10V。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 0.6nC @ 4.5V，较小的栅极电荷有助于提高开关速度和降低功耗。

输入和输出特性

该MOSFET的输入和输出特性保证了在多种环境中可靠运行：

• Vgs（最大值）: ±20V，能够安全承受的栅源电压范围，提供了较大的设计灵活性。
• 输入电容（Ciss）: 最大值为 21pF @ 5V，确保其在高频信号中的良好响应。

应用场景

2N7002E-T1-E3 适合多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源: 能有效地控制能量流动，提高电源转换效率。
• 负载开关: 在各类电子设备中用于开关控制，特别适合低电流的控制电路。
• 信号放大: 可用于小信号放大电路，助力音频或传感器信号等应用。
• 电机驱动: 适合小型电机的驱动策略，配合PWM控制提供良好的效率。

封装和环境适应性

器件采用 SOT-23-3（TO-236） 表面贴装封装，具有良好的热性能和小型化特性，适合于高密度电路板设计。工作温度范围广泛，-55°C 到 150°C，确保其在各种苛刻环境下的可靠性，满足不同市场需求。

总结

总之，2N7002E-T1-E3是一款高效、稳定且用途广泛的N沟道MOSFET，非常适合于现代电子产品的设计要求。凭借其高电压额定值、低导通电阻、高功率承受能力以及小型化封装，用户可以在多个应用中实现优化的性能和散热管理，是设计师们在选择场效应管时的重要考虑。

在选择MOSFET时，设计师应仔细评估应用要求和使用环境，以确保所选器件能够达到最佳性能及可靠性。无论是在消费电子、工业控制还是其它任何领域，2N7002E-T1-E3都能够为产品提供稳定而强大的支持。