AON6224 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AON6224

商品编码: BM0000279034
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L EP1
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 56.5W 100V 34A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
3000+
¥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6224参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)34A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@20A,10V
功率(Pd)56.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.42nF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AON6224手册

AON6224概述

AON6224 产品概述

一、产品概述

AON6224 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),在功率电子应用中表现出色。该器件具有 56.5W 的功率处理能力,电压额定值为 100V,电流额定值达到 34A,非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高频开关应用。

二、主要规格

  • 类型: N 沟道 MOSFET
  • 功率: 56.5W
  • 漏极-源极电压 (V_DS): 100V
  • 漏极电流 (I_D): 34A
  • 封装: DFN5x6-8L EP1
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C

三、封装与散热

AON6224 采用 DFN-8 (5x6mm) 的紧凑型封装设计,该封装不仅节省空间,还能增强散热效果。DFN 封装的底部具有良好的热接触面积,使得 MOSFET 在高功率条件下能够保持较低的工作温度,从而提高了整体系统的可靠性和性能。此外,封装的设计使引脚短且直接,有利于减少电感与电阻,提高开关效率。

四、关键特性

  1. 低 R_DS(on): AON6224 的导通电阻 (R_DS(on)) 较低,这意味着在工作时器件的损耗小,热量生成少,从而提升了整体效率。这使其非常适合用于高效能源转换和功率管理应用。

  2. 高开关频率: 该 MOSFET 的设计允许其在高频开关操作中保持良好的性能,适用于现代高频率的电源转换器。

  3. 良好的热管理: 对于大功率应用,良好的热性能是至关重要的。AON6224 的设计综合了低导通损耗和高效的散热解决方案,使其能够长时间稳定工作。

  4. 高耐压: 具备 100V 的耐压特性,使其适用于各种工业和消费类产品中的电源管理及控制电路。

  5. 高电流处理能力: 34A 的漏极电流能力使其可以轻松应对各种电源应用中的负载要求。

五、应用场景

AON6224 适用于众多电子应用场合,主要包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高效的能量转换能力,AON6224 可以在 AC-DC 和 DC-DC 转换过程中提供高效的开关控制。

  • 电动汽车: 该器件在汽车电力电子方面的应用包括电机驱动、充电系统及能量回收系统中的关键组件。

  • 消费电子: AON6224 在各种消费类电子设备中应用广泛,尤其是在笔记本电脑、电脑周边设备和便携式设备的电源管理模块中。

  • 工业自动化: 在各类工业设备和自动化控制中,该 MOSFET 可以用作负载开关、驱动电路和保护电路等。

六、总结

AON6224 是一款具有高功率、低导通损耗和良好散热性能的 N 沟道 MOSFET,适合用于多种高效能的电源管理应用。其广泛的应用背景与优越的性能特征,使其成为现代功率电子设计中不可或缺的元器件之一。设计工程师在选择合适的 MOSFET 时,AON6224 显然是一个优质的选择,可以有效提高产品的整体效率与性能。