类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 34A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@20A,10V |
功率(Pd) | 56.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.42nF@50V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AON6224 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),在功率电子应用中表现出色。该器件具有 56.5W 的功率处理能力,电压额定值为 100V,电流额定值达到 34A,非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高频开关应用。
AON6224 采用 DFN-8 (5x6mm) 的紧凑型封装设计,该封装不仅节省空间,还能增强散热效果。DFN 封装的底部具有良好的热接触面积,使得 MOSFET 在高功率条件下能够保持较低的工作温度,从而提高了整体系统的可靠性和性能。此外,封装的设计使引脚短且直接,有利于减少电感与电阻,提高开关效率。
低 R_DS(on): AON6224 的导通电阻 (R_DS(on)) 较低,这意味着在工作时器件的损耗小,热量生成少,从而提升了整体效率。这使其非常适合用于高效能源转换和功率管理应用。
高开关频率: 该 MOSFET 的设计允许其在高频开关操作中保持良好的性能,适用于现代高频率的电源转换器。
良好的热管理: 对于大功率应用,良好的热性能是至关重要的。AON6224 的设计综合了低导通损耗和高效的散热解决方案,使其能够长时间稳定工作。
高耐压: 具备 100V 的耐压特性,使其适用于各种工业和消费类产品中的电源管理及控制电路。
高电流处理能力: 34A 的漏极电流能力使其可以轻松应对各种电源应用中的负载要求。
AON6224 适用于众多电子应用场合,主要包括但不限于:
开关电源: 由于其高效的能量转换能力,AON6224 可以在 AC-DC 和 DC-DC 转换过程中提供高效的开关控制。
电动汽车: 该器件在汽车电力电子方面的应用包括电机驱动、充电系统及能量回收系统中的关键组件。
消费电子: AON6224 在各种消费类电子设备中应用广泛,尤其是在笔记本电脑、电脑周边设备和便携式设备的电源管理模块中。
工业自动化: 在各类工业设备和自动化控制中,该 MOSFET 可以用作负载开关、驱动电路和保护电路等。
AON6224 是一款具有高功率、低导通损耗和良好散热性能的 N 沟道 MOSFET,适合用于多种高效能的电源管理应用。其广泛的应用背景与优越的性能特征,使其成为现代功率电子设计中不可或缺的元器件之一。设计工程师在选择合适的 MOSFET 时,AON6224 显然是一个优质的选择,可以有效提高产品的整体效率与性能。