类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 300mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 350mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.75V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.09nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 47.2pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
产品简介
2N7002CK,215是一款由安世半导体(Nexperia)生产的N沟道MOSFET,采用SOT-23封装(TO-236AB)。此器件专为低电流和中等电压应用设计,适合表面贴装技术(SMT),适用于空间有限和高性能需求的电路板。凭借其出色的导电性能和热稳定性,2N7002CK,215在汽车、工业控制和消费电子等领域具有广泛的应用潜力。
关键参数
技术优势
高效能:2N7002CK,215在频率较高的开关应用中尤为突出,其最大导通电阻为1.6欧姆,确保在工作条件下优异的电流载流能力,从而降低能量损耗和发热量。
低输入电容:该MOSFET的输入电容为55pF,这使其在高频率切换时表现出色,允许更快速的开/关切换,适合用于PWM(脉宽调制)控制和高速开关电源等应用。
宽工作温度范围:支持最高150°C的工作温度,适用于多种工作环境,包括高温工业环境和汽车电子系统,提供额外的设计灵活性。
小型封装:SOT-23封装体积小,可以有效减少电路板占用空间,同时仍能满足性能需求,特别适合于便携嵌入式设备的应用。
应用场景
2N7002CK,215可以广泛应用于以下几个领域:
电源管理:作为开关元件使用于DC-DC转换器、降压/升压转换器和电池管理系统中。
信号开关:在数字电路中,2N7002CK可以用于开关功能,实现信号的选择和切换(如模拟和数字信号的开关)。
负载驱动:用于控制小型负载,如LED照明、马达驱动和继电器驱动等应用。
汽车电子:适合用于汽车电气系统的控制模块、灯光控制以及其它高温环境下的应用,确保设备在恶劣条件下也能正常工作。
总结
综上所述,2N7002CK,215是一款高性能的N沟道MOSFET,拥有理想的电气特性和可靠性,满足多种工业和消费应用的需求。其小型化设计以及卓越的热特性,使其在现代电子设备中成为一个不可或缺的元件。无论是用于低功耗应用还是对高温、恶劣环境的适应,2N7002CK,215都提供了出色的解决方案,是电子设计工程师的理想选择。