类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44mΩ@10V,4.3A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AO3401A是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),特别设计用于低电压和中等电流应用。其基于先进的半导体技术,提供优异的电气特性,适合各种电子电路和系统的需求。作为一种双极型半导体器件,AO3401A具有快速开关能力、低功耗及高效率,广泛应用于电源管理、照明控制、开关电路等多个领域。
AO3401A采用SOT-23封装,这种封装形式具有体积小、封装简单的优势,非常适合于小型化电子产品和市场对空间的苛刻要求。SOT-23的引脚布局也让其在电路板焊接和布局中具备更好的灵活性。
AO3401A因其优异的性能和特性,被广泛应用于以下几个领域:
AO3401A作为一款高效的P沟道场效应管,凭借其优秀的电气特性和适应性,成为电子设计师和工程师的首选。其广泛的适用性和优越的性能使得它在现代电子产品中占据了重要的地位。随着科技的发展和应用需求的增加,AO3401A无疑将在未来的电子市场中发挥更关键的作用。