AOD482 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AOD482

商品编码: BM0000279228
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.478g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;100W 100V 5A;32A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
2945(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
2.19
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.19
--
100+
¥1.68
--
1250+
¥1.47
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD482参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)32A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@4.5V,32A
功率(Pd)100W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@50V工作温度-55℃~+175℃

AOD482手册

AOD482概述

AOD482 产品概述

一、产品简介

AOD482 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其设计旨在提供优异的电源管理解决方案。它具备高漏源电压(Vdss)能力,达到 100V,能够支持多种电子应用的需求。AOD482 的连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 5A,使其适用于对电流要求较高的电路。其漏源导通电阻仅为 37mΩ,意味着在较高电流下的能量损耗极低,这对于提升整体系统的效率至关重要。

二、主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 5A @ 25°C
  • 栅源极阈值电压: 2.7V @ 250µA
  • 漏源导通电阻: 37mΩ @ 10A, 10V
  • 最大功率耗散: 2.5W @ Ta=25°C
  • 类型: N 沟道
  • 封装类型: TO-252 (DPAK)

三、应用领域

AOD482 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. DC-DC 转换器:由于其低导通电阻和高效率,AOD482 可以在各种 DC-DC 转换应用中有效降低开关损耗,提升总体系统效率。

  2. 电源管理:在开关电源和其他电源管理应用中,AOD482 由于其高电压和电流能力能够实现稳健的开关控制。

  3. 马达控制:适用于马达驱动和控制电路,AOD482 的高电流承受能力使其能够应对电动机启动时瞬时电流的需求。

  4. LED 驱动:在 LED 驱动电路中,该产品能够高效控制流过 LED 的电流,确保其正常工作。

  5. 开关电路:适合用于各种开关电路中,包括后备电源、继电器驱动等。

四、优异性能

AOD482 的几项关键性能,使其在市场上具备竞争优势:

  • 高开关速度:得益于其 N 沟道设计,该 MOSFET 在高频开关应用中展现出卓越的表现。

  • 低功耗:得益于低导通电阻,AOD482 在高电流应用下能够有效降低能量损耗,从而提高系统效率。

  • 热管理:其 2.5W 的最大功率耗散能力使得 AOD482 在正常工作条件下能够维持良好的散热特性,增强了器件的可靠性。

  • 兼容性强:TO-252 封装形式使其能够方便地与其他电子元器件搭配使用,降低了设计难度。

五、结论

总的来说,AOD482 是一款性能卓越、功能多样的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压、低电阻和较高电流能力,适合用于各种电源管理应用和高效开关电路中。在电源设计日益注重高效率和低热量损耗的今天,AOD482 将成为设计工程师们理想的选择。借助其高性能品牌 AOS 的可靠性,AOD482 将为采用该产品的各种电子设计提供强有力的支持。