类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 32A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@4.5V,32A |
功率(Pd) | 100W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@50V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
AOD482 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其设计旨在提供优异的电源管理解决方案。它具备高漏源电压(Vdss)能力,达到 100V,能够支持多种电子应用的需求。AOD482 的连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 5A,使其适用于对电流要求较高的电路。其漏源导通电阻仅为 37mΩ,意味着在较高电流下的能量损耗极低,这对于提升整体系统的效率至关重要。
AOD482 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DC-DC 转换器:由于其低导通电阻和高效率,AOD482 可以在各种 DC-DC 转换应用中有效降低开关损耗,提升总体系统效率。
电源管理:在开关电源和其他电源管理应用中,AOD482 由于其高电压和电流能力能够实现稳健的开关控制。
马达控制:适用于马达驱动和控制电路,AOD482 的高电流承受能力使其能够应对电动机启动时瞬时电流的需求。
LED 驱动:在 LED 驱动电路中,该产品能够高效控制流过 LED 的电流,确保其正常工作。
开关电路:适合用于各种开关电路中,包括后备电源、继电器驱动等。
AOD482 的几项关键性能,使其在市场上具备竞争优势:
高开关速度:得益于其 N 沟道设计,该 MOSFET 在高频开关应用中展现出卓越的表现。
低功耗:得益于低导通电阻,AOD482 在高电流应用下能够有效降低能量损耗,从而提高系统效率。
热管理:其 2.5W 的最大功率耗散能力使得 AOD482 在正常工作条件下能够维持良好的散热特性,增强了器件的可靠性。
兼容性强:TO-252 封装形式使其能够方便地与其他电子元器件搭配使用,降低了设计难度。
总的来说,AOD482 是一款性能卓越、功能多样的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压、低电阻和较高电流能力,适合用于各种电源管理应用和高效开关电路中。在电源设计日益注重高效率和低热量损耗的今天,AOD482 将成为设计工程师们理想的选择。借助其高性能品牌 AOS 的可靠性,AOD482 将为采用该产品的各种电子设计提供强有力的支持。