类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V |
功率(Pd) | 11W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 448pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 41pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AON7408 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),其设计主要用于各种需要高效率和高电流承载能力的应用场合。该器件采用 DFN-8(3x3mm)封装,具有出色的散热性能和紧凑的体积,适合在空间受限的环境中使用。AON7408 特别适用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动和其它高频率开关电源应用。
漏源电压(Vdss):AON7408 的最大漏源电压为 30V,能够承受多种电源条件下的电压峰值,确保在较高电压情况下的可靠性和稳定性。
连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境温度下,该器件提供高达 18A 的持续泄漏电流。其高电流承载能力使其适合用于需大电流输出的场合。
栅源极阈值电压:栅源极阈值电压为 2.6V @ 250µA,意味着其能够在较低的栅电压下迅速导通,有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。
漏源导通电阻:AON7408 在 10A 和 10V 的条件下,漏源导通电阻仅为 20mΩ,较低的导通电阻有助于减少内部发热,提高器件的效率,尤其在高频开关或高负载条件下表现突出。
最大功率耗散:在 25°C 的环境条件下,AON7408 最大功率耗散达到 3.1W,这是对该器件可靠性的进一步保障,能够有效传导热量,防止器件过热导致损坏。
AON7408 采用 DFN3x3-8L 封装,这种封装方式有效减小了引脚间距并优化了热管理。DFN 封装在散热方面表现优异,能够通过更大的底面散热区域提高热导性能,适合在高功率、高温环境下使用。此外,该器件的紧凑尺寸使其在空间有限的设计中也具备较高的适用性,能够满足现代电子产品对小型化的要求。
AON7408 的应用广泛,主要包括但不限于以下几个领域:
电源管理:在 DC-DC 转换器和开关电源中,AON7408 可以高效控制电流及电压,并保持较小的功耗。
马达控制:在无刷直流电机及步进电机驱动应用中,该器件可用作电机驱动器的开关器件,提供高电流支持。
负载开关:在电源管理系统中,使用 AON7408 作为负载开关能够有效地控制电流启停,提高整体电源的智能管理能力。
LED 驱动:在 LED 照明系统中,MOSFET 可以高效控制亮度,延长 LED 的使用寿命。
AON7408 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性、优异的 thermal performance 和多种应用潜力,成为在现代电子设计中极具吸引力的选择。无论是在日常的电源管理,还是在复杂的电机驱动和负载控制领域,AON7408 都能提供即时的响应和稳定的性能,以满足市场日益增长的高效与节能需求。其小巧的 DFN 封装设计使得在有限空间内的应用更加灵活,展现出广泛的适用性和市场价值。