类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 350mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 440mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:2N7002BK,215 N通道MOSFET
基本资料 2N7002BK,215是一款高性能的N通道场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足各种电子设备的需求,特别是在开关和放大应用中的广泛应用。此器件具备出色的电气特性,能够在低功耗的同时提供高效能,是现代电子设计中理想的选择之一。
电气特性 该MOSFET的主要电气参数如下:
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):350mA @ 25°C
栅源阈值电压(Vgs(th)):2.1V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)):1.6Ω @ 500mA, 10V
最大功率耗散:370mW @ Ta=25°C
工作温度范围:最高可达150°C
输入电容(Ciss):最大值50pF @ 10V
栅极电荷(Qg):0.6nC @ 4.5V
封装与安装 2N7002BK,215采用TO-236AB(也称为SOT-23-3或SC-59)表面贴装封装。这种小型封装使得器件在现代电子设备中占用的空间非常小,对于空间受限的应用来说十分理想。其表面贴装格式简化了PCB设计和自动化组装工艺,能够提高生产效率并降低制造成本。
应用领域 该MOSFET适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
总结 作为一款可靠可靠且功能强大的N通道MOSFET,2N7002BK,215为设计工程师提供了灵活的选择,能够在各种环境中提供出色的性能。无论是用于家庭电器、自动化设备还是LED照明系统,2N7002BK,215 都拥有出色的市场表现。Nexperia(安世)作为知名电子元器件制造商,确保此器件的质量和性能,满足客户在高速开关应用方面的严格要求。