类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 730mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 170pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
AO6802 是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),主要应用于电源管理、开关电路、负载驱动等领域。其采用先进的制造工艺,具有较低的漏源导通电阻和阈值电压,使其在高频率和高效能的工作条件下表现优异。AO6802 的基本参数包括漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)为 3.5A,最大功率耗散(Ta=25°C)为 1.15W,适合在各种电子设备中广泛应用。
二、主要参数解析
漏源电压(Vdss):30V AO6802 可承受的最大漏源电压为 30V,此特性使得其在许多中低压电源管理和开关应用中得以有效使用,能够处理从电池管理、LED 驱动到电机控制的重负载和高功率要求的应用场景。
连续漏极电流(Id):3.5A AO6802 具有较高的连续漏极电流承载能力,为 3.5A,这为大多数电源模块或开关电路提供了充足的载流能力,确保其在高负载条件下的稳定工作。
栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA AO6802 的栅源极阈值电压为 2.5V,这意味着该 MOSFET 可以在较低的门电压下有效开启,尤其适合与低电压逻辑电平兼容的电路设计,简化电路设计过程,减少能源消耗。
漏源导通电阻:50mΩ @ 3.5A, 10V 该器件的漏源导通电阻为 50毫欧,在高电流情况下保持低衰耗特性,有效提高了电源转化率,降低了发热,提升了系统的整体稳定性和可靠性。
最大功率耗散(Ta=25°C):1.15W AO6802 的最大功率耗散达到 1.15W,意味着用户在设计电路时能够有更高的灵活性,确保选择合适的散热方式以维持器件的性能。
三、应用场景
AO6802 在多个电子应用中均有广泛的应用,主要包括:
电源管理 AO6802 可用于开关电源(SMPS),具有高效率和低功耗的特性,适合各种电池供电的设备、充电器等电源转换应用。
LED 驱动 由于其适应不同负载情况的能力,可以有效控制 LED 的驱动电流,保证亮度稳定且可调。
电机驱动 在电机驱动控制中,AO6802 可以作为高效的开关元件,适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。
开关电路 其低导通电阻特性使之在开关电路,实现快速开关和高效能控制,并降低能量损失。
消费电子 AO6802 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,主要用作电源开关和保护电路,助力提升整体效率。
四、封装与品牌
AO6802 采用 TSOP-6 封装,这种紧凑的封装形式对 PCB 板的空间占用相对较小,方便更高密度的电路设计,适配多种小型化电子产品。同时,该器件由 AOS(美国半导体公司)生产,具备良好的市场声誉以及可靠的质量保证。
五、总结
总之,AO6802 是一款符合市场需求的先进双N沟道 MOSFET,具备多种优良的电气特性,适用于多种中低压电源管理和开关领域。其出色的性能和灵活的应用场景使其成为电子设计工程师首选的高效能器件,能够有效地提升电子设备的整体性能与能效。