类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@7V,10A |
功率(Pd) | 100W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 985pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 31pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
AOD4454是一款高效的N沟道场效应管(MOSFET),采用TO-252-3封装,适用于各种功率管理和开关应用。这款MOSFET以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于电源转换、电机驱动和LED驱动等领域。凭借其150V的漏源极电压(Vdss)和20A的连续漏电流,AOD4454能够满足各种电子设备对高效能和高可靠性的要求。
AOD4454由于具备高电压、高电流和高效率的特点,广泛应用于以下领域:
AOD4454作为一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高效能、高可靠性和广泛的应用领域,成为电子产品设计中的重要选择。无论是在电源管理还是电机控制等方面,其优越的性能都能够为设计人员提供理想的解决方案。在未来的发展中,AOD4454将持续为各种高要求的应用提供强有力的支持,是您设计中值得信赖的高性能MOSFET。