正向压降(Vf) | 750mV@3A | 直流反向耐压(Vr) | 20V |
整流电流 | 1A | 反向电流(Ir) | 1mA@20V |
1N5817-T 是一种高性能的肖特基二极管,具有较好的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电子设备中。这款二极管的主要参数包括:直流反向耐压(Vr)最大值为20V,平均整流电流(Io)为1A,正向压降(Vf)为450mV(在1A的工作条件下),以及快速恢复特性,使其适合用于高频和高效的整流场合。
1N5817-T 二极管因其低正向压降和高效整流能力,适用于各类电源管理、电池充电、逆变器及开关电源等领域。其指标非常适合以下具体应用:
低正向压降: 相比于常规二极管,1N5817-T 由于其肖特基特性,能够在整流过程中提供更低的正向压降,这对降低发热和提高系统效率至关重要。
快速恢复时间: 该二极管具备快速恢复能力,特别适合于高频率应用,如开关电源及脉冲电路。这使得其在动态负载条件下表现出色,减少开关损耗。
优秀的热性能: 1N5817-T 设计的工作温度范围为 -65°C 到 125°C,确保在极端环境下仍能稳定工作,适合各种工业和消费电子产品的应用。
可靠的反向耐压: 最大20V 的反向耐压使得该二极管在中低压应用中可靠,适用于汽车电子、计算机外围设备等低电压环境。
1N5817-T 采用 DO-41 轴向通孔封装,便于在电路板上的安装和焊接。这种封装形式不仅提高了其散热效果,也保证了其在电路中占据小空间的同时,能够承受较高的功率需求。
1N5817-T 是一种高性能肖特基二极管,其具有的低正向压降、快速恢复特性和可靠性使其在电子应用中极具优势。无论是在电源管理、充电电路,还是逆变器等高频、高效的应用场景中,1N5817-T 都能提供卓越的性能表现,是设计工程师和电子产品制造商的理想选择。