类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@1.8V,2A |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 300mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 751pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO3485 是一种高性能的 P 型 MOSFET,专为各种电子电路中的开关和放大应用设计。该器件具有良好的电流承载能力和低导通电阻,适合用于电源管理、负载开关、低功耗应用以及其它相关电子产品中。下文将详细介绍该产品的关键参数、特性、应用场景及优势。
漏源电压 (Vdss): 该产品的漏源电压最高可达 20V,意味着其能够在 20V 的电压下安全稳定地工作,适应多种输入电源方案。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下,AO3485 可以持续输出高达 4A 的电流。这使得它在处理相对高功率负载时仍保持良好的可靠性和稳定性。
栅源极阈值电压: 该器件的栅源阈值电压为 900mV @ 250μA,确保其在低电压驱动下即可实现稳定导通,适用于低压控制信号的应用。
漏源导通电阻: AO3485 的导通电阻为 41mΩ @ 4A, 4.5V,极低的导通电阻有效减少了能量损耗和发热,提升工作效率。
最大功率耗散: 在环境温度达到 25°C 时,该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 1.5W,这使得其在高负荷运行时依然能够低温工作,延长了产品的使用寿命。
封装: AO3485 采用 SOT-23 小型封装设计,方便在各种电路板上实现高密度布局,同时其小巧的体积也利于在空间受限的应用中使用。
AO3485 的设计突显出其多个显著特性:
低功耗: 由于其低导通电阻,AO3485 能够有效降低功耗,适合用在电源效率要求高的设备中。
高可靠性: 优越的电压和电流承受能力让该 MOSFET 在多种工作环境中都能保持稳定,减少了因过载导致的潜在损坏。
优秀的热性能: 最大功率耗散能力强,使得其在高温运行条件下也能保障电路的安全。
适应性强: 除了能满足传统的开关应用外,AO3485 还可用于各种现代电子产品,如 LED 驱动、电动机控制及其他电源转换器件。
AO3485 的广泛应用前景主要集中在以下几个领域:
电源管理: 适合用于各种电源开关电路,提供高效能的电源开关控制,保证电源的高效使用和系统的低功耗。
负载开关: 可以在需要对负载进行开关控制的场合,如电池供电设备,便携式电子产品等提供强有力的支持。
自动化控制: AO3485 可用于家庭自动化和工业设备中的开关控制,帮助实现智能电源管理。
LED 驱动: 其良好的导通性能和高效能,非常适合应用于 LED 驱动电路,在照明系统中能有效控制LED的电流。
AO3485 以其出色的技术参数和广泛的应用场景,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。其高性能的 P 型 MOSFET 特性,结合低功耗、高效率和可靠的热性能,使其特别适合低压高效能的电源管理和控制。无论是在电源应用规划还是高效负载控制中,AO3485 都是一个理想的选择,对提升产品性能和减少能耗均有显著效果。