类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15.5mΩ@4.5V,10A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.305nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11.5pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO4294A 是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其关键特性包括漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)在25°C环境下可达11.5A,具有极低的漏源导通电阻(RDS(on))为12mΩ。该器件采用SOIC-8封装,旨在为各种功率管理和开关电源应用提供优越的性能。作为AOS品牌的一部分,AO4294A在效率、可靠性和功能多样性方面进行了精心设计,适合需要高频和高功率处理的应用场合。
AO4294A采用了SOIC-8封装,这种封装形式具有较小的体积和优良的散热特性,方便PCB布线,并适合在空间受限的应用中使用。由于其高压、高流和低导通电阻的特性,AO4294A广泛应用于:
AO4294A的优异性能使其在各种应用中脱颖而出:
综上所述,AO4294A是一款兼具高压、高电流及低导通电阻的N沟道MOSFET,适合广泛的电源管理解决方案和开关电源应用。凭借其小巧的SOIC-8封装和优异的热管理能力,AO4294A将在满足高性能要求的同时,提升系统的总体效率和可靠性。作为一款能够应对严苛工作环境的电子元件,AO4294A无疑是设计工程师在进行电源设计时的一项优秀选择。