类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@4.5V,3A |
功率(Pd) | 1.28W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 540pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO6420是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为开关电源和其他高频应用而设计。该元件的封装类型为TSOP-6,属于表面贴装(SMT),其紧凑的外形使其适合在空间受限的电路板上使用。这款MOSFET的最高漏源极电压(Vds)为60V,最高栅源极电压(Vgs)为±20V,其额定连续漏电流可达4.2A,能够满足多种电子设备的需求。
封装与外观: AO6420采用TSOP-6封装,其小尺寸和轻量化的特性使得其适用于现代电子产品的紧凑设计。TSOP-6型封装拥有良好的热导性能,便于散热,尤其是在高电流应用中。
电气参数:
热特性: AO6420在工作时能够有效控制热量的产生,其较低的导通电阻(多少欧姆)确保了在大电流下的低发热量,这对于增强设备的可靠性和降低故障率至关重要。
动态特性: AO6420的高开关速度使其适合于高频应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器和其他开关电源系统。其快速切换能力为高效电源管理提供了支撑。
AO6420的广泛应用领域包括但不限于:
AO6420作为一款高性能MOSFET,其具有以下优势:
高效率:较低的导通电阻和无源损耗,使得设备在高温和高电流条件下依然能够维持高效运行。
平衡性能与成本:AO6420提供了优良的综合性能,能够有效平衡设计成本和性能需求,对于广大电子工程师来说是一个理想的选择。
可靠性:经过严格测试的电气特性和热稳定性保障了AO6420在各种环境下的可靠工作,降低了电子系统的故障率。
易于集成:TSOP-6封装方式,便于在高密度PCB设计中进行集成,减小了电路板的总体面积。
AO6420是一款结合了高性能、可靠性与易集成性的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用场合。其优秀的电气和热特性使其成为当今市场上颇具竞争力的选择,对于推动电子产品的高效能与小型化具有重要意义。无论是高频开关电源、马达驱动,还是便携设备,AO6420均能提供卓越的支持,成为工程师日常设计中的得力助手。