类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,15A |
功率(Pd) | 62.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.55nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@20V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
基本信息
AOD4185L是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具有一个相对较高的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),适用于多种应用场景。它的规格适合用于电源管理、负载开关和其他需要高功率处理的电路设计。产品的封装类型为TO-252(DPAK),这使得它在散热性能和安装便捷性方面都有很好的表现。
电气特性
封装与散热
AOD4185L采用TO-252封装,提供了良好的热管理性能和稳定的机械强度。DPAK 是一种常见的表面贴装封装类型,由于其良好的散热设计,能够有效地转移在工作中产生的热量,确保器件在高电流和高功率条件下运行时的可靠性。此外,DPAK封装有助于简化PCB的布局和设计,方便集成到各种电子设备中。
应用场景
AOD4185L极其适合于多种应用:
总结
AOD4185L P沟道场效应管具有出色的电气特性与适用范围,适配于众多现代电子设备。其设计兼顾了高效能与稳定性,为工程师在开发和设计中提供了可靠的选择。该器件在电源管理、负载开关及马达控制等领域中表现出色,是一个理想的电子元器件,满足了现代电子产品对高效率和高可靠性的逐步提升的需求。无论是在家庭电器、工业控制还是便携式电子设备中,AOD4185L都能实现预期的性能目标,成为业内一种值得信赖的选择。