AON6994 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON6994

商品编码: BM0000279831
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6D-8L EP2_S
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)非对称型-30V-19A-26A-3.1W-表面贴装型-8-DFN-EP(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.06
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.06
--
3000+
¥2.94
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6994参数

封装/外壳8-PowerWDFNFET类型2N沟道(双)非对称型
漏源极电压(Vdss)30V安装类型表面贴装(SMT)

AON6994手册

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AON6994概述

AON6994 产品概述

一、基本信息

AON6994 是 AOS(Alpha & Omega Semiconductor)的高性能 2N 沟道(双)非对称型 MOSFET 阵列,特别设计用于需要高电流及高效率的应用场景。该产品采用先进的表面贴装(SMT)技术和 8-Power WDFN 封装,具备出色的热性能和电气特性,成为电源管理、DC-DC 转换器以及其他功率控制电路中的理想选择。

二、主要特性

  1. 封装及外形尺寸

    • 封装类型:DFN5x6D-8L EP2_S
    • 外形尺寸:5mm x 6mm
    • 具有良好的热散能力,适合高功率应用。
  2. 高性能电气参数

    • 漏源极电压(Vdss):30V,适用于大多数工业标准电源管理应用。
    • 持续漏电流:19A(在特定条件下可以达到26A),提供强大的输出能力,适合高负载的电路。
    • 功耗:最大功耗为3.1W,确保在高负载下的稳定运行。
  3. 低通态电阻(RDS(on))

    • 该 MOSFET 设计有低通态电阻,可以有效降低导通损耗,提升整体效率。
    • 低电阻值在开关应用中能显著提高电能转化效率,减小功耗,对于电源管理和转换应用非常有益。
  4. 快速开关特性

    • 设计用于快速开关操作,适合高频率应用,能够在快速转换过程中保持稳定的性能。

三、应用场景

AON6994 的广泛应用包括:

  1. 开关电源

    • 该 MOSFET 非常适合用作开关电源中的主要开关元件,具备优良的开关特性和高工作效率,适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换。
  2. 电机驱动

    • 在直流电机控制系统中,AON6994可以用作电机驱动电路中的开关元件,满足高电流和高频率的需求。
  3. LED 驱动器

    • 其低导通损耗和高电流能力使其成为高效 LED 驱动器的理想选择,尤其是在需要调光和快速调节的应用中。
  4. 电池管理系统

    • 在电池管理及充电系统中,AON6994 的高导电性和耐压特性使其能够有效地控制电池的充电和放电过程,保障电池的使用安全与性能。
  5. 其他高效能功率管理设备

    • 在各类功率管理应用中,AON6994都能展现出极好的适应性和效果,如便携式设备、电源适配器等。

四、总结

综上所述,AON6994 是一款以高性能和多样性著称的双沟道非对称 MOSFET,设计用于高电流和高效率的应用场合。其先进的封装技术、低导通电阻以及优异的开关性能为设计工程师提供了强大的设计范例,能够在多种复杂的电气环境中稳定运行。凭借其出色的参数和广泛的应用潜力,AON6994 已成为现代电源管理系统中不可或缺的关键组件。