晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BC817-16,215 是一款由安世(Nexperia)公司生产的NPN型晶体管,具有优良的性能和广泛的应用前景。该晶体管在电子电路中扮演着关键角色,广泛用于信号放大和开关电路中。凭借其小巧的封装、优秀的热性能及电气特性,BC817-16,215 适用于各种工业、消费及汽车电子领域。
额定功率: BC817-16,215 的额定功率为250mW,意味着该器件在正常工作条件下,可以安全地 dissipate (散发) 250毫瓦的功耗。这一点使其对小功率信号放大和开关应用尤其适用。
集电极电流 (Ic): 最大集电极电流 (Ic) 为500mA,使得该晶体管能支持相对较高的负载电流。这为驱动小型电机、继电器及LED等负载提供了支持。
集射极击穿电压 (Vce): 最大集射极击穿电压为45V,提供了良好的电压裕量。这使得BC817-16,215能够在多个应用环境中有效运作,甚至在一定电压尖峰情况下也能保护电路组件。
饱和压降: 在最大Ic(500mA)时,Vce饱和压降为700mV,意味着在驱动负载时,晶体管的能量损耗相对较小。
截止电流: 在工作情况下,集电极截止电流(ICBO)的最大值为100nA。这保证了晶体管在切断状态下的漏电流非常小,从而提高了电路的效率。
DC电流增益 (hFE): 该晶体管在Ic为100mA和Vce为1V时,最小DC电流增益(hFE)为100。这一特性确保了其在信号放大应用中的高效性。
频率特性: BC817-16,215 的跃迁频率为100MHz,适用于高频信号应用,使其在RF(射频)应用中具有潜在的使用价值。
工作温度范围: 工作温度可达150°C(TJ),提供了良好的热稳定性,适用于高温环境中的使用。
封装: 采用TO-236AB(SOT-23)封装,极小的体积使其适合于空间受限的电路板设计。
BC817-16,215 凭借其出色的参数,广泛适用于多种应用场合,包括但不限于:
BC817-16,215 是一款高效能的NPN型晶体管,结合其小型封装、高集电极电流、高电压耐受和优秀的增益特性,适合于多种电子应用。无论是在商业产品、工业设备还是复杂的消费电子产品中,BC817-16,215均能提供可靠的性能和出色的稳定性,是工程师们进行电路设计时的理想选择。选用Nexperia 的BC817-16,215,将为您的设计添上可靠性与效率的双重保证。