晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 90@10uA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847BLT1G 是来自安森美(ON Semiconductor)的一款高性能 NPN 晶体管,具有广泛的电子元器件应用场景。这款晶体管采用 SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装,以其紧凑的设计,有效节省电路板空间,是现代电子设备设计的理想选择。
晶体管类型:NPN
电流承载能力:
电压特性:
饱和压降:
功率特性:
增益特性:
频率特性:
温度范围:
BC847BLT1G 采用 SOT-23-3 封装,这种超小型封装设计尤其适合现代紧凑型电子设计。表面贴装技术(SMT)使其易于自动化生产及组装,显著提高生产效率。
BC847BLT1G 是一款高度集成的 NPN 晶体管,凭借其较高的工作频率、强大的电流承载能力和良好的温度适应性,适合多种电路应用。安森美在该产品中的设计保证了其在性能与效率上的平衡,使得 BC847BLT1G 成为工程师在设计电子产品时的理想选择。无论是用于消费电子、通讯设备,还是工业控制系统,BC847BLT1G 都能为您的设计提供强大的支持。