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BC856BW,115

- 商品编码: BM0000279926复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOT-323复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.038g复制
- 描述: 三极管(BJT) 200mW 65V 100mA PNP复制
BC856BW,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 475 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 75mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
BC856BW,115手册
BC856BW,115概述
产品概述:BC856BW,115 PNP三极管
1. 产品简介
BC856BW是Nexperia(安世电子)生产的一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),其具有优秀的电流增益和高频特性,是电子电路中常用的信号放大和开关元件。其额定功率为200mW,集电极电流(Ic)最大值为100mA,集射极击穿电压(Vce)达到65V,适用于低功率、高频应用。
2. 主要参数
- 额定功率:BC856BW的额定功率为200mW,使其在多种电路设计中可以安全可靠地工作。
- 集电极电流(Ic):其最大集电极电流为100mA,能够支持中等负载的应用需求。
- 集射极击穿电压(Vce):最大集射极击穿电压为65V,这表明该器件在高电压环境下的稳定性良好,适合多种供电电压的使用场景。
- Vce饱和压降:在不同集电极电流(Ic)下,如5mA和100mA时,其饱和压降最大为600mV。这意味着在开关状态下,BC856BW能够有效地降低功耗。
- DC电流增益(hFE):产品在2mA和5V条件下,最小直流电流增益(hFE)可达220,这使得在放大电路中效率更高。
- 集电极截止电流(ICBO):最大集电极截止电流仅为15nA,表现出良好的关闭特性。
- 频率响应:BC856BW具有高达100MHz的跃迁频率,能够处理高速信号,适合用于高频通讯设备。
- 工作温度:其工作温度可达到150°C(TJ),适应多种工作环境,不易因温度波动降低性能。
3. 物理特性
- 封装类型:BC856BW采用SOT-323封装,属于表面贴装型,这一封装形式适合现代自动化焊接和紧凑型电路板设计。
- 尺寸和形状:SOT-323封装小巧,便于在有限空间内实现高密度布线,适合各种便携式电子设备。
- 供应商器件封装:同样采用SOT-323封装,便于市场采购与替代。
4. 应用场景
BC856BW广泛应用于消费者电子产品、医疗设备、汽车电子、通信系统和工业控制等多种领域。其常见应用包括:
- 信号放大器:在低功率放大器电路和音频放大器中,BC856BW能够提供稳定的信号增益。
- 开关电路:在开关电源和继电器驱动电路中,BC856BW由于其低饱和压降和高效率,能够有效地控制负载。
- 线性调节器:适用作线性电源调节器中的输出三极管,实现稳压效果。
- RF放大应用:由于其高频特性,BC856BW还可以用于射频放大器电路中,提高通讯设备的信号质量。
5. 性能优势
- 高电流增益和低饱和压降:使得其在信号放大领域具有明显的优势,能够在较低输入信号下实现较高输出。
- 小型封装与高适应性:SOT-323封装不仅节约空间,同时满足不同电子电路的设计需求,灵活应用于各类设备。
- 良好的温度稳定性:其较高的工作温度使其能在多变的温环境中保持良好的性能,从而提升整体项目的可靠性。
结论
BC856BW,115是一款高效能的PNP三极管,凭借其优越的电气特性和物理设计,适用于多种现代电子应用。无论是在信号处理、开关控制还是高频应用中,BC856BW都展示了其卓越的性能与可靠性,是设计工程师在选择元器件时的优选之一。
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