额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
BC856BW是Nexperia(安世电子)生产的一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),其具有优秀的电流增益和高频特性,是电子电路中常用的信号放大和开关元件。其额定功率为200mW,集电极电流(Ic)最大值为100mA,集射极击穿电压(Vce)达到65V,适用于低功率、高频应用。
BC856BW广泛应用于消费者电子产品、医疗设备、汽车电子、通信系统和工业控制等多种领域。其常见应用包括:
BC856BW,115是一款高效能的PNP三极管,凭借其优越的电气特性和物理设计,适用于多种现代电子应用。无论是在信号处理、开关控制还是高频应用中,BC856BW都展示了其卓越的性能与可靠性,是设计工程师在选择元器件时的优选之一。