BC858B,215 产品实物图片
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BC858B,215

商品编码: BM0000279928
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 30V 100mA PNP SOT-23
库存 :
405(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.0599
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.0599
--
3000+
¥0.0475
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC858B,215参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)220@2mA,5V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,5mA

BC858B,215手册

BC858B,215概述

产品概述:BC858B,215 是一款由安世半导体(Nexperia)生产的小功率三极管,属于PNP类型,具有优良的性能和宽广的应用场景。该产品采用TO-236AB封装,适合表面贴装,广泛应用于消费电子、工业控制及信号放大等电子电路中。

主要参数

BC858B的额定功率为250mW,适合在低功耗电路中进行信号放大和开关控制。它的集电极电流(Ic)最大为100mA,符合在多种应用中对电流处理的需求,尤其在需要较高集电极电流的场合表现卓越。

该三极管的集射极击穿电压(Vce)最大为30V,保证了该器件在较高电压环境下的可靠工作,使其适用于多种电源系统。同时,BC858B的饱和压降在不同条件下表现出色,当Ic为5mA和100mA时,Vce的饱和压降最大值分别为650mV,这意味着在开关状态下,该器件能够有效降低功耗并提高效率。

电流增益与频率响应

BC858B在较低基极电流条件下(例如2mA,5V)具有最小的直流电流增益(hFE)为220,确保了在信号放大时的高增益性能。该器件的过渡频率高达100MHz,使其不仅能在低频应用中良好表现,还能在高频信号处理领域胜任,适合用于射频(RF)电路和高速开关电路。

温度与可靠性

BC858B的工作温度范围高达150°C(TJ),确保在恶劣环境下的稳定性与长期可靠性。这一特性使得BC858B非常适用于高温应用场景,如汽车电子和工业设备等对环境要求苛刻的领域。此外,该三极管在集电极截止电流(ICBO)最大为15nA,表明在断开状态下的漏电流极小,有力减少了设备待机功耗。

封装与应用

BC858B采用的TO-236AB、SOT-23等小型封装,具有较小的占板面积,适合高密度电路设计。其表面贴装的安装类型方便于自动化生产,提高了整体生产效率。在实际应用中,BC858B广泛用于开关电源、音频放大器、信号开关、脉冲信号处理及驱动电路等多种电子系统中。

结论

总之,BC858B,215是一个高效、可靠的小功率PNP三极管,以其众多优良参数,适用范围广泛,成为电子设计师在选择电子元器件时的重要选择之一。无论是在代替传统元器件、升级现有电路设计,还是在新产品开发中,BC858B都能够提供优异性能,帮助设计师实现更高效的电路解决方案。凭借其卓越的参数和性能,它将在未来的电子产品中继续发挥重要作用。