类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 50mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160Ω@10V,16mA |
功率(Pd) | 610mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.08nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 21.8pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介
BSS127S-7 是一款高压 N 沟道场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)品牌制造。该器件特别设计用于高效的开关和放大应用,具备优良的电气特性和可靠的性能。它的主要参数包括漏源电压(Vdss)为650V,最大连续漏极电流(Id)为50mA,适合采用表面贴装方式的电路板设计。
基本参数
电气特性
BSS127S-7 提供了足够的操作范围,在低功耗下仍能保持高性能。例如,它的驱动电压范围为5V至10V,确保了在不同工作条件下的稳定性与可靠性。该器件的导通电阻表现良好,对于保证性能的电源开关和信号调节应用至关重要。根据测试结果,其在16mA时的导通电阻为160Ω,这使得它非常适合低功率电气设备,尤其是在16mA以下的漏极电流下。
工作环境
BSS127S-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,表明它能够在极端环境中可靠工作,满足各种工业和消费电子产品的需求。通过优良的热管理设计,用户可以在较高温度下安全使用该器件,而不必担心过热损坏。这为其在电动工具、汽车电气系统以及便携式设备中的应用提供了理想的解决方案。
封装与安装
该MOSFET采用 SOT-23 封装(TO-236-3,SC-59),适合表面贴装。SOT-23 封装小巧灵活,便于在空间有限的电路板上使用,适用于现代微型设备。其封装设计还确保了良好的散热性能,有助于器件在高功率工作时保持稳定。安装过程简单,可以有效降低生产工艺成本。
应用领域
BSS127S-7 非常适合以下几种应用:
总结
总的来说,BSS127S-7 是一款兼具高性能和广泛适用性的 N 沟道 MOSFET,具备优良的电气特性、良好的散热能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种工业和消费类应用。其高压、低功耗的特性,使其在现代电子设计中成为一个可靠且高效的选择。