类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流(Id) | 180mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,100mA |
功率(Pd) | 350mW;1.14W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 350pC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 36pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSS84AK,215 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的高效表面贴装型 P 沟道MOSFET。它在电子电路中体现了出色的电流控制、功耗管理和小型化设计的优势,广泛应用于开关电源、信号放大和各种低功率应用场景。
BSS84AK,215 采用优质材料和先进的MOSFET技术,具有以下性能特点:
BSS84AK,215 MOSFET广泛用于各类电子产品和模块,包括但不限于:
BSS84AK,215 是一款高性能的 P 沟道MOSFET,结合了良好的电气特性和宽广的工作温度范围,适合各种应用场景。无论是在高效的电源管理,快速的信号控制,还是在严苛的环境下运行,BSS84AK,215 都是您的理想选择。凭借其小巧的封装和优良的性能,它十分符合现代电子设计需求,是开发工程师们在设计优质电源和信号控制电路时的可靠伴侣。