BSS84AK,215
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW；1.14W 50V 180mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
19910(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.529按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.529
--
200+
￥0.176
--
1500+
￥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS84AK,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 180mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 100mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .35nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta），1.14W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS84AK,215手册
BSS84AK,215概述
BSS84AK,215 产品概述
1. 引言
BSS84AK,215 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高效表面贴装型 P 沟道MOSFET。它在电子电路中体现了出色的电流控制、功耗管理和小型化设计的优势，广泛应用于开关电源、信号放大和各种低功率应用场景。
2. 主要规格
- 漏源电压 (Vdss): 50V
- 连续漏极电流 (Id): 180mA (在25°C下)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.1V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 7.5Ω @ 100mA，10V
- 最大功率耗散: 350mW（环境温度 Ta = 25°C 时）；1.14W（结温 Tc 时）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: TO-236AB (SOT-23-3)
3. 性能特点
BSS84AK,215 采用优质材料和先进的MOSFET技术，具有以下性能特点：
- 高效率: 显示优异的电导性能，漏源导通电阻 Rds(on) 的值仅为 7.5Ω，能有效减少功耗，适合高效率电源管理和开关应用。
- 宽工作温度范围: 可在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定工作，确保在严苛条件下的可靠性，对于航空航天、汽车等行业尤其重要。
- 小型封装: TO-236AB（SOT-23-3）封装设计，使得BSS84AK,215适合紧凑型电路设计，适应现代电子行业对小型化、轻量化的需求。
- 高开关速度: 由于其小的栅极电荷 (Qg) 0.35nC ( @ 5V)，使该MOSFET在开关过程中能够快速响应，适合高频率的开关应用。
4. 应用场景
BSS84AK,215 MOSFET广泛用于各类电子产品和模块，包括但不限于：
- 开关电源: 用于高效能的电源转换和管理。
- 信号控制: 在各种低功耗设备中，作为开关控制元件，进行信号的开关切换。
- 音频设备: 可用于音频放大应用中，保证信号传导的高效率和低失真。
- 家用电器: 适用于各类家居设备中的开关组件，提升能效和可靠性。
- 移动设备: 在智能手机和平板电脑中充当电源管理和信号放大元件。
5. 结论
BSS84AK,215 是一款高性能的 P 沟道MOSFET，结合了良好的电气特性和宽广的工作温度范围，适合各种应用场景。无论是在高效的电源管理，快速的信号控制，还是在严苛的环境下运行，BSS84AK,215 都是您的理想选择。凭借其小巧的封装和优良的性能，它十分符合现代电子设计需求，是开发工程师们在设计优质电源和信号控制电路时的可靠伴侣。