CSD13202Q2 产品实物图片
CSD13202Q2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

CSD13202Q2

商品编码: BM0000280037
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
6-WSON(2x2)
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.7W 12V 22A 1个N沟道 SON-8(2x2)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.986
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.986
--
1000+
¥0.897
--
9750+
产品参数
产品手册
产品概述

CSD13202Q2参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)22A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)2.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)997pF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)56pF@6V工作温度-55℃~+150℃

CSD13202Q2手册

CSD13202Q2概述

CSD13202Q2 产品概述

1. 产品概述

CSD13202Q2是一款由德州仪器(Texas Instruments)推出的高性能N沟道MOSFET,设计用于各种功率转换和自动化应用。它具备卓越的电气性能,适用于需要高效率和快速开关响应的场合,如DC-DC转换器、电源管理以及电机驱动等。

2. 关键参数

  • 漏源电压(Vdss): CSD13202Q2的漏源电压最高可达12V,适合用于较低电压的电源管理应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,其连续漏极电流可达22A,保证在高负载情况下的稳定性和可靠性。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 为1.1V @ 250µA,这意味着MOSFET能够在较低电压下及时开启,有利于降低功耗。
  • 漏源导通电阻(Rds On): 在5A和4.5V时,导通电阻低至9.3mΩ,极大地减少了在导通状态下的功耗,提高了整体系统效率。
  • 最大功率耗散: 在25°C的基础上,最大功率耗散为2.7W,使其能够应对较高的热负载。
  • 工作温度范围: CSD13202Q2的工作温度范围从-55°C到150°C,能够满足极端环境下的应用需求。

3. 封装与安装

CSD13202Q2采用6-WSON(2x2)封装类型,这种小型化表面贴装设计使其在空间受限的电路板设计中表现出色。该封装配置裸露焊盘,有助于提高热传导效率和简化焊接过程。

4. 应用领域

CSD13202Q2被广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 其低导通电阻和高可信度使之成为各种电源转换器的理想选择。
  • 电动机驱动: 可以用于电动机控制类应用中,提升系统效率和响应速度。
  • 自动化设备: 适合于各类自动化设备,需要低功耗和高效率的场景。
  • 智能手机和便携式设备: 由于其低功耗特性,适用于各种移动设备的电源管理。

5. 技术优势

CSD13202Q2的多个技术优势使其在市场上独具竞争力。其设计特点确保了快速开关速度和低导通损耗,为电源设计人员提供了更多优化空间。此外,该产品具备高温操控能力,能够在严格制约环境中稳定工作。

6. 总结

总的来说,CSD13202Q2是德州仪器推出的一款极具性能和可靠性的N沟道MOSFET,拥有众多优良的参数和广泛的应用场景。其集低电压高电流、中等功耗与优良的热稳定性于一身,确保了在现代电子设计中的实用性和灵活性。对于正寻求高效、可靠的功率开关解决方案的工程师来说,CSD13202Q2无疑是一个理想的选择。