类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 22A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@4.5V,5A |
功率(Pd) | 2.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 997pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CSD13202Q2是一款由德州仪器(Texas Instruments)推出的高性能N沟道MOSFET,设计用于各种功率转换和自动化应用。它具备卓越的电气性能,适用于需要高效率和快速开关响应的场合,如DC-DC转换器、电源管理以及电机驱动等。
CSD13202Q2采用6-WSON(2x2)封装类型,这种小型化表面贴装设计使其在空间受限的电路板设计中表现出色。该封装配置裸露焊盘,有助于提高热传导效率和简化焊接过程。
CSD13202Q2被广泛应用于以下几个领域:
CSD13202Q2的多个技术优势使其在市场上独具竞争力。其设计特点确保了快速开关速度和低导通损耗,为电源设计人员提供了更多优化空间。此外,该产品具备高温操控能力,能够在严格制约环境中稳定工作。
总的来说,CSD13202Q2是德州仪器推出的一款极具性能和可靠性的N沟道MOSFET,拥有众多优良的参数和广泛的应用场景。其集低电压高电流、中等功耗与优良的热稳定性于一身,确保了在现代电子设计中的实用性和灵活性。对于正寻求高效、可靠的功率开关解决方案的工程师来说,CSD13202Q2无疑是一个理想的选择。