CSD17551Q5A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

CSD17551Q5A

商品编码: BM0000280038
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-VSONP(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
0.13g
描述 : 
表面贴装型-N-通道-30V-48A(Tc)-3W(Ta)-8-VSONP(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.66
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.66
--
1000+
¥2.46
--
12500+
产品参数
产品手册
产品概述

CSD17551Q5A参数

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CSD17551Q5A手册

CSD17551Q5A概述

CSD17551Q5A 产品概述

一、基本信息

CSD17551Q5A 是德州仪器(Texas Instruments, TI)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用表面贴装型设计。这款 MOSFET 具有广泛的应用场景,在电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等领域表现出色。其封装为 8-VSONP(5x6),适合紧凑型电子设备的设计需求。

二、关键参数

CSD17551Q5A 的主要电气特性包括:

  • 最大漏极电流 (Id): 48A 在 25°C 的工作温度下,对于工业应用提供稳定性和可靠性。
  • 漏源电压 (Vdss): 30V,确保在高电压环境下的安全操作。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 8.8 毫欧 @ 11A,10V,意味着其在工作时的功耗相对较低,提升了整个电路的能效。
  • 驱动电压: 最小 Rds(on) 的驱动电压为 4.5V,最大为 10V,提供灵活的设计适应性。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 1272pF @ 15V,有助于实现较高的开关频率。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 7.2nC @ 4.5V,可以有效降低驱动电路的功耗。

三、工作温度和功率耗散

CSD17551Q5A 在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内运行,适用于严苛环境下的应用。其功率耗散能力最高可达 3W(Ta),为元器件提供充足的热管理能力,这对于实现高效率、高可靠性的电路设计至关重要。

四、结构与封装

这款 MOSFET 采用 8-VSONP(5x6)封装,具有小尺寸和低剖面特性,能够满足现代电子设备对空间和重量的严格要求。这种封装类型还有助于改善散热性能,进一步增强了其可靠性和稳定性。

五、应用场景

CSD17551Q5A 在多个领域具有广泛的应用,主要包括但不限于:

  1. 电源管理: 在开关电源转换中,CSD17551Q5A 可作为高效的开关元件,显著降低系统功耗,提升能量转化效率。
  2. DC-DC 转换器: 在降压或升压转换器中,其高电流和低导通电阻特性可以提供更小的损耗和更高的输出性能。
  3. 电机驱动: 这款 MOSFET 可用于各类电机驱动电路,提供强大的电流输出,满足各种电机控制的需要。
  4. 便携式设备: 由于其小巧的封装和高性能特点,适用于各种便携式电子产品和消费类电子设备。

六、结论

CSD17551Q5A 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,具有优良的电气特性和耐用性,能够满足现代电子产品的高要求。其灵活的驱动电压、多样的应用场景以及广泛的工作温度范围,使得它成为电源管理、电机驱动及其他相关应用的理想选择。凭借德州仪器的品牌支持和技术背景,用户可以放心地将 CSD17551Q5A 集成到各类复杂而多样的电路设计中,实现高效能的电子解决方案。